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1. (WO2015137006) オン故障検知装置及びその方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/137006 国際出願番号: PCT/JP2015/052842
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 02.02.2015
IPC:
H05B 3/00 (2006.01) ,B60H 1/22 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
3
抵抗加熱
B 処理操作;運輸
60
車両一般
H
特に車両の客室または貨物室の暖房,冷房,換気,または他の空気処理手段に関する装置または改造装置
1
暖房,冷房または換気装置
22
熱が推進設備からでなく他のものから出るもの
出願人:
三菱重工オートモーティブサーマルシステムズ株式会社 MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES AUTOMOTIVE THERMAL SYSTEMS CO., LTD. [JP/JP]; 愛知県清須市西枇杷島町旭三丁目1番地 1, Asahi 3-chome, Nishi-biwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi 4528561, JP
発明者:
永坂 圭史 NAGASAKA, Keiji; JP
佐藤 秀隆 SATO, Hidetaka; JP
大崎 智康 OSAKI, Tomoyasu; JP
代理人:
藤田 考晴 FUJITA, Takaharu; JP
優先権情報:
2014-04775811.03.2014JP
発明の名称: (EN) ON-STATE MALFUNCTION DETECTION DEVICE AND METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION DE DYSFONCTIONNEMENT À L'ÉTAT ACTIVÉ ET SON PROCÉDÉ
(JA) オン故障検知装置及びその方法
要約:
(EN) The on-state malfunction detection device detects an on-state malfunction, for instance, in an IGBT (3b), which is provided to correspond to a PTC element (2b) whereof the resistance value varies according to temperature, and which controls the electrification of the PTC element (2b). In a state in which a turn-off instruction has been sent from a control device to the IGBT (3b), the on-state malfunction detection device determines through calculation an electric potential difference after voltage division of the voltage between the two ends of the PTC element (2b), and detects an on-state malfunction of the IGBT (3b) when this electric potential difference is equal to a predetermined threshold value or greater. This allows for the detection of an on-state malfunction in a switching element that performs a conduction control for an element whereof the resistance value varies according to temperature.
(FR) L'invention porte sur un dispositif de détection de dysfonctionnement à l'état activé qui détecte un dysfonctionnement à l'état activé, par exemple, dans un Transistor Bipolaire à Grille Isolée (IGBT) (3b), qui agencé pour correspondre à un élément à Coefficient de Température Positif (PTC) (2b) dont la valeur de résistance varie selon la température, et qui commande l'électrification de l'élément PTC (2b). Dans un état dans lequel une instruction d'extinction a été envoyée par un dispositif de commande à l'IGBT (3b), le dispositif de détection de dysfonctionnement à l'état activé détermine par calcul une différence de potentiel électrique après division de tension de la tension entre les deux extrémités de l'élément PTC (2b), et détecte un dysfonctionnement à l'état activé de l'IGBT (3b) lorsque cette différence de potentiel électrique est égale ou supérieure à une valeur seuil prédéterminée. Cela permet la détection d'un dysfonctionnement à l'état activé dans un élément de commutation qui effectue une commande de conduction pour un élément dont la valeur de résistance varie selon la température.
(JA)  オン故障検知装置は、例えば、温度に応じて抵抗値が変化するPTC素子(2b)に対応して設けられるとともに、PTC素子(2b)の通電を制御するためのIGBT(3b)のオン故障を検知する。オン故障検知装置は、IGBT(3b)に制御装置からオフ指令が出力されている状態において、PTC素子(2b)の両端電圧の分圧後の電位差を演算により求め、この電位差が所定の閾値以上である場合に、IGBT(3b)のオン故障を検知する。これにより、温度に応じて抵抗値が変化する素子の導通制御を行うスイッチング素子のオン故障を検知することが可能となる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106031300DE112015001177US20170021696