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1. (WO2015136994) 研磨パッド及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/136994 国際出願番号: PCT/JP2015/051877
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 23.01.2015
IPC:
B24B 37/24 (2012.01) ,C08G 18/10 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01) ,C08G 101/00 (2006.01)
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
11
ラップ工具
20
平面を加工するためのラッピングパッド
24
パッドの材料の組成または特性に特徴のあるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
18
イソシアネートまたはイソチオシアネートの重合生成物
06
活性水素を有する化合物との
08
方法
10
イソシアネートまたはイソチオシアネートと活性水素を有する化合物との最初の反応段階における反応を伴うプレポリマー法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
101
発泡体の製造
出願人:
ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ シーエムピー ホウルディングス インコーポレイテッド ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. [US/US]; デラウェア州、ニューアーク、ベルヴュー・ロード 451 451 Bellevue Road, Newark, Delaware 19713, US
発明者:
清水 紳司 SHIMIZU, Shinji; JP
代理人:
特許業務法人 津国 TSUKUNI & ASSOCIATES; JP
優先権情報:
2014-05194514.03.2014JP
発明の名称: (EN) POLISHING PAD AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) TAMPON À POLIR ET MÉTHODE DE PRODUCTION DE CELUI-CI
(JA) 研磨パッド及びその製造方法
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide: a polishing pad having a high polishing rate and excellent planarizing properties; and a method for producing the polishing pad. A polishing pad which has a polishing layer comprising a polyurethane resin foam, said polishing pad being characterized in that a polyurethane resin, which is a material used for forming the polyurethane resin foam, has an alkoxysilyl group represented by general formula (1) in a side chain thereof. (In the formula, X represents OR1 or OH; and R1's independently represent an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.)
(FR) La présente invention concerne : un tampon à polir ayant un taux de polissage élevé et d'excellentes propriétés de planarisation; et une méthode de production du tampon à polir. L'invention concerne un tampon à polir qui a une couche de polissage comprenant une mousse de résine de polyuréthane, ledit tampon à polir étant caractérisé en ce qu'une résine de polyuréthane, qui est un matériau utilisé pour former la mousse de résine de polyuréthane, a un groupe alkoxysilyle représenté par la formule générale (1) dans une de ses chaînes latérales. (Dans la formule, X représente OR1 ou OH; et les R1 représentent indépendamment un groupe alkyle ayant 1 à 4 atomes de carbone.)
(JA)  本発明は、研磨速度が大きく、かつ平坦化特性に優れる研磨パッド及びその製造方法を提供することを目的とする。ポリウレタン樹脂発泡体からなる研磨層を有する研磨パッドにおいて、前記ポリウレタン樹脂発泡体の形成材料であるポリウレタン樹脂は、側鎖に下記一般式(1)で表されるアルコキシシリル基を有することを特徴とする研磨パッド。(式中、XはOR又はOHであり、Rはそれぞれ独立に炭素数1~4のアルキル基である。)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
DE112015001265CN106457509US20170073456KR1020160132883