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1. (WO2015136949) 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/136949 国際出願番号: PCT/JP2015/050300
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 07.01.2015
IPC:
C23C 14/34 (2006.01) ,C04B 35/00 (2006.01) ,C23C 14/08 (2006.01) ,H01B 5/14 (2006.01) ,H01B 13/00 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
06
被覆材料に特徴のあるもの
08
酸化物
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
5
形を特徴とする非絶縁導体または導電物体
14
絶縁支持体上に導電層または導電フイルムを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
13
導体またはケーブルを製造するために特に使用する装置または方法
出願人:
東ソー株式会社 TOSOH CORPORATION [JP/JP]; 山口県周南市開成町4560番地 4560, Kaisei-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7468501, JP
発明者:
倉持 豪人 KURAMOCHI Hideto; JP
玉野 公章 TAMANO Kimiaki; JP
秋池 良 AKIIKE Ryo; JP
優先権情報:
2014-04804511.03.2014JP
発明の名称: (EN) SINTERED OXIDE AND TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM
(FR) OXYDE FRITTÉ ET FILM D'OXYDE CONDUCTEUR TRANSPARENT
(JA) 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜
要約:
(EN) The purpose of the present invention is to provide a sintered oxide capable of achieving a sufficiently low resistivity even in manufacturing processes for film production and device fabrication in which the maximum temperature is kept low, and a transparent conductive oxide film obtained therefrom. A sintered oxide having indium, zirconium, yttrium, hafnium and oxygen as constituent elements. The sintered oxide is characterized in that when the indium, zirconium, yttrium and hafnium are represented as In, Zr, Y, Hf, respectively, in atomic ratios, Zr/(In+Zr+Y+Hf) is 0.1-3.0 at%, Y/(In+Zr+Y+Hf) is 0.005-0.5 at%, and Hf/(In+Zr+Y+Hf) is 0.0002-0.15 at%.
(FR) La présente invention a pour objet un oxyde fritté susceptible d'atteindre une résistivité suffisamment faible, même dans des procédés de fabrication permettant la production de film et la fabrication de dispositif dans lesquels la température maximale est maintenue à un faible niveau, et un film d'oxyde conducteur transparent obtenu à partir de ce dernier. À cet effet, l'invention porte sur un oxyde fritté comprenant de l'indium, du zirconium, de l'yttrium, de l'hafnium et de l'oxygène en tant qu'éléments constitutifs. L'oxyde fritté est caractérisé en ce que lorsque l'indium, le zirconium, l'yttrium et l'hafnium sont représentés par In, Zr, Y et Hf, respectivement, en termes de proportions atomiques, Zr/(In + Zr + Y + Hf) est de 0,1 à 3,0 % at., Y/(In + Zr + Y + Hf) est de 0,005 à 0,5 % at. et Hf/(In + Zr + Y + Hf) est de 0,0002 à 0,15 % at.
(JA)  製膜や素子製造のプロセスの最高温度を低温に抑えた製造プロセスにおいても十分に低い抵抗率を実現することのできる酸化物焼結体、及びそれにより得られる酸化物透明導電膜を提供することを目的とする。 構成元素として、インジウム、ジルコニウム、イットリウム、ハフニウム及び酸素を有する酸化物焼結体であり、インジウム、ジルコニウム、イットリウム及びハフニウムをそれぞれIn、Zr、Y、Hfとしたときに、原子比でZr/(In+Zr+Y+Hf)が0.1~3.0at%であり、Y/(In+Zr+Y+Hf)が0.005~0.5at%であり、Hf/(In+Zr+Y+Hf)が0.0002~0.15at%であることを特徴とする酸化物焼結体。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP3118348KR1020160133429