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1. (WO2015136852) プラズマ処理装置及び成膜方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/136852 国際出願番号: PCT/JP2015/000863
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 23.02.2015
IPC:
H01L 21/31 (2006.01) ,C23C 16/455 (2006.01) ,C23C 16/511 (2006.01) ,H01L 21/318 (2006.01) ,H01L 21/8246 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 43/12 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
455
ガスを反応室に導入するため,または反応室のガス流を変えるために使われる方法に特徴があるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
511
マイクロ波放電を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
318
窒化物からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
12
これらの装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1 Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
齋藤 武尚 SAITO, Takehisa; JP
根本 剛直 NEMOTO, Takenao; JP
山岸 幸司 YAMAGISHI, Koji; JP
金子 裕是 KANEKO, Hiroshi; JP
代理人:
佐々木 聖孝 SASAKI, Seikoh; JP
優先権情報:
2014-04730811.03.2014JP
2015-01638330.01.2015JP
発明の名称: (EN) PLASMA PROCESSING DEVICE AND FILM FORMATION METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM
(JA) プラズマ処理装置及び成膜方法
要約:
(EN) [Problem] To quickly switch between gases in a dielectric-window gas channel in an electromagnetic-discharge plasma processing device, thereby increasing the speed of a process in which different types of plasma processing steps are repeated in an alternating manner in a fixed cycle, while preventing anomalous discharges inside said dielectric-window gas channel. [Solution] This plasma processing device is provided with a gas introduction mechanism for introducing processing gases supplied by a processing-gas supply unit (80) into a chamber (12), said gas introduction mechanism comprising the following three gas lines: a ceiling gas line (82) provided with a gas channel (96) and a gas jetting port (94) in a dielectric window (18); and a lower wall gas line (84) and an upper wall gas line (86) provided with gas channels (100, 108) and gas jetting ports (102, 110) at different heights in a side wall (12a) of the chamber (12). A bypass exhaust line (116) that connects a first gas supply tube (90) for the ceiling gas line (82) to an exhaust unit (55, 56) is also provided.
(FR) L'invention concerne un dispositif de traitement au plasma à décharge électromagnétique permettant de commuter rapidement entre des gaz dans un canal de gaz de fenêtre diélectrique, ce qui permet d'augmenter la vitesse d'un procédé dans lequel différents types d'étapes de traitement au plasma sont répétées en alternance dans un cycle fixe, tout en empêchant les décharges anormales à l'intérieur du canal de gaz de la fenêtre diélectrique. Le dispositif de traitement au plasma comprend un mécanisme d'introduction de gaz pour introduire des gaz de traitement fournis par une unité d'alimentation en gaz de traitement (80) dans une chambre (12). Le mécanisme d'introduction de gaz comprend les trois conduites de gaz suivantes : une conduite de gaz supérieure (82) pourvue d'un canal de gaz (96) et d'un orifice d'éjection de gaz (94) dans une fenêtre diélectrique (18); et une conduite de gaz (84) à paroi inférieure et une conduite de gaz (86) à paroi supérieure fournies avec des canaux de gaz (100, 108) et des orifices d'éjection de gaz (102, 110) à des hauteurs différentes d'une paroi latérale (12a) de la chambre (12). L'invention concerne également une conduite d'échappement de dérivation (116) qui relie un premier tube d'alimentation en gaz (90) pour la conduite de gaz de plafond (82) à une unité d'échappement (55, 56).
(JA) 【課題】電磁波放電方式のプラズマ処理装置において、誘電体窓ガス流路内の異常放電を防止しつつ、誘電体窓ガス流路内のガスの切り換えを短時間で行って、異なる種類のプラズマ処理工程を交互に一定のサイクルで繰り返すプロセスの高速化を実現する。 【解決手段】このプラズマ処理装置は、処理ガス供給部80より提供される処理ガスをチャンバ12内に導入するためのガス導入機構として、3系統のガスライン、すなわち誘電体窓18にガス流路96およびガス噴出口94を設ける天井ガスライン82と、異なる高さ位置でチャンバ12の側壁12aにガス流路100,108およびガス噴出口102,110をそれぞれ設ける下部側壁ガスライン84および上部側壁ガスライン86とを備えている。そして、天井ガスライン82の第1ガス供給管90と排気部(55,56)とを繋ぐバイパス排気ライン116を備えている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170009338KR1020160130994