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1. (WO2015136840) 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨装置用キャリア並びに両面研磨方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/136840 国際出願番号: PCT/JP2015/000662
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 13.02.2015
IPC:
B24B 37/28 (2012.01) ,B24B 37/08 (2012.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
27
ラッピングキャリア
28
平面の両面ラッピングのためのもの
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
04
平面を加工するために設計されたもの
07
工作物またはラップ工具の動きに特徴のあるもの
08
両面ラッピングのためのもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
佐藤 一弥 SATO, Kazuya; JP
田中 佑宜 TANAKA, Yuki; JP
小林 修一 KOBAYASHI, Syuichi; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA, Mikio; JP
優先権情報:
2014-05133214.03.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING DOUBLE-SIDED POLISHING DEVICE CARRIER, DOUBLE-SIDED POLISHING DEVICE CARRIER, AND DOUBLE-SIDED POLISHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUPPORT DE DISPOSITIF DE POLISSAGE DOUBLE FACE, SUPPORT DE DISPOSITIF DE POLISSAGE DOUBLE-FACE, ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE DOUBLE FACE
(JA) 両面研磨装置用キャリアの製造方法及び両面研磨装置用キャリア並びに両面研磨方法
要約:
(EN) The present invention is a method for manufacturing a double-sided polishing device carrier by lapping a double-sided polishing device carrier that is geared and has a holding hole for holding a semiconductor wafer, characterized in that: an outer carrier that has a hole for holding the double-sided polishing device carrier and is larger than the double-sided polishing device carrier is prepared, the center of the hole being eccentric to the center of the outer carrier; the double-sided polishing device carrier is placed and held inside the hole; and the double-sided polishing device carrier is lapped in a state in which the center of the hole is eccentric to the center of the outer carrier. This allows for the provision of a method for manufacturing a double-sided polishing device carrier, a double-sided polishing device carrier, and a double-sided polishing method using the double-sided polishing device carrier, such that variations in thickness distribution during lapping of the double-sided polishing device carrier can be reduced.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un support de dispositif de polissage double face par rodage d'un dispositif de polissage double face qui est engrené et comporte un trou de retenue pour retenir une plaquette à semi-conducteurs, le procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à préparer un support extérieur qui comporte un trou pour retenir le support du dispositif de polissage double face et qui est plus grand que le support du dispositif de polissage double face, le centre du trou étant excentrique par rapport au centre du support extérieur; le support du dispositif de polissage double face est placé et maintenu à l'intérieur du trou; et le support du dispositif de polissage double face est rodé dans un état dans lequel le centre du trou est excentrique par rapport au centre du support extérieur. Ceci permet de réaliser un procédé de fabrication d'un support de dispositif de polissage double-face, un support de dispositif de polissage double-face, et un procédé de polissage double face utilisant le support du dispositif de polissage double face, ce procédé permettant de réduire les variations d'épaisseur lors du rodage du support du dispositif de polissage double face.
(JA)  本発明は、半導体ウェーハを保持するための保持孔が形成された歯車形の両面研磨装置用キャリアをラッピング加工して両面研磨装置用キャリアを製造する方法であって、両面研磨装置用キャリアを保持するためのホールを有し両面研磨装置用キャリアよりも大きいサイズのアウターキャリアを用意し、ホールの中心がアウターキャリアの中心に対し偏芯したものとし、ホールに両面研磨装置用キャリアを収納して両面研磨装置用キャリアを保持し、ホールの中心がアウターキャリアの中心に対して偏芯した状態で両面研磨装置用キャリアをラッピング加工することを特徴とする両面研磨装置用キャリアの製造方法である。これにより、両面研磨装置用キャリアをラッピングする場合に発生する厚み分布のバラツキを改善できる両面研磨装置用キャリアの製造方法、両面研磨装置用キャリア並びにこの両面研磨装置用キャリアを用いた両面研磨方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
DE112015000878SG11201607115QUS20170069502CN106061679KR1020160133437