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1. (WO2015136832) 研磨組成物及び研磨方法並びに研磨組成物の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/136832 国際出願番号: PCT/JP2015/000490
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 04.02.2015
IPC:
C09K 3/14 (2006.01) ,B24B 37/00 (2012.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
14
抗スリップ物質;研摩物質
B 処理操作;運輸
24
研削;研磨
B
研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給
37
ラッピング機械または装置;附属装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
信越化学工業株式会社 SHIN-ETSU CHEMICAL CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目6番1号 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
野島 義弘 NOJIMA, Yoshihiro; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA, Mikio; JP
優先権情報:
2014-04739911.03.2014JP
発明の名称: (EN) POLISHING COMPOSITION, POLISHING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING POLISHING COMPOSITION
(FR) COMPOSITION DE POLISSAGE, PROCÉDÉ DE POLISSAGE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COMPOSITION DE POLISSAGE
(JA) 研磨組成物及び研磨方法並びに研磨組成物の製造方法
要約:
(EN) The present invention is a polishing composition containing crystalline metal oxide particles as abrasive grains, said polishing composition being characterized in that the metal oxide particles are ones in which the half width value of a peak part at which the diffraction intensity becomes maximum in a powder X-ray diffraction pattern is smaller than 1°. Thus, provided are: a polishing composition and a polishing method, in which a high polishing rate can be achieved and the occurrence of defects such as scratching and dishing, which can cause the deterioration in reliability of a semiconductor device, can be prevented during a process for polishing a semiconductor substrate, particularly a process for chemically and mechanically polishing a semiconductor substrate having a metal layer such as a tungsten layer; and a method for producing a polishing composition.
(FR) La présente invention concerne une composition de polissage contenant des particules d'oxyde métallique cristallin en tant que grains abrasifs, ladite composition de polissage étant caractérisée en ce que les particules d'oxyde métallique sont celles pour lesquelles la valeur de demi-largeur d'une partie de pic à laquelle l'intensité de diffraction devient maximale dans un diagramme de diffraction des rayons X sur poudre est inférieure à 1°. Ainsi, l'invention concerne : une composition de polissage et un procédé de polissage, une vitesse de polissage élevée pouvant être obtenue et l'apparition de défauts tels qu'une rayure et un bombage, qui peuvent provoquer la détérioration de la fiabilité d'un dispositif à semi-conducteur, pouvant être empêchée pendant un processus de polissage d'un substrat en semi-conducteur, en particulier un processus de polissage chimique et mécanique d'un substrat en semi-conducteur ayant une couche métallique telle qu'une couche de tungstène ; et un procédé de production d'une composition de polissage.
(JA)  本発明は、砥粒として結晶性の金属酸化物粒子を含む研磨組成物であって、前記金属酸化物粒子が、粉末X線回折パターンにおける回折強度が最大となるピーク部分の半値幅が1°未満のものであることを特徴とする研磨組成物である。これにより、半導体基板の研磨工程、特にタングステン等の金属層を有する半導体基板の化学機械研磨工程において、高い研磨速度を有し、且つ半導体装置の信頼性低下の原因となるスクラッチ及びディッシング等の欠陥の発生を抑制する研磨組成物及び研磨方法並びに研磨組成物の製造方法が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106103637US20170096584KR1020160131006