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1. (WO2015136802) 磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/136802 国際出願番号: PCT/JP2014/082737
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 10.12.2014
IPC:
H01L 21/8246 (2006.01) ,H01F 10/14 (2006.01) ,H01F 10/16 (2006.01) ,H01L 27/105 (2006.01) ,H01L 29/82 (2006.01) ,H01L 43/08 (2006.01) ,H01L 43/10 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
77
1つの共通基板内または上に形成される複数の固体構成部品または集積回路からなる装置の製造または処理
78
複数の別個の装置に基板を分割することによるもの
82
それぞれが複数の構成部品からなる装置,例.集積回路の製造
822
基板がシリコン技術を用いる半導体であるもの
8232
電界効果技術
8234
MIS技術
8239
メモリ構造
8246
リードオンリーメモリ構造(ROM)
H 電気
01
基本的電気素子
F
磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
10
磁性薄膜,例.1磁区構造のもの
08
磁性体層によって特徴づけられたもの
10
組成によって特徴づけられたもの
12
金属または合金
14
鉄またはニッケルを含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
F
磁石;インダクタンス;変成器;それらの磁気特性による材料の選択
10
磁性薄膜,例.1磁区構造のもの
08
磁性体層によって特徴づけられたもの
10
組成によって特徴づけられたもの
12
金属または合金
16
コバルトを含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
10
複数の個々の構成部品を反復した形で含むもの
105
電界効果構成部品を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
82
装置に印加される磁界の変化によって制御可能なもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
08
磁界制御抵抗
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
43
電流磁気効果またはこれに類似な磁気効果を利用した装置;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
10
材料の選択
出願人:
株式会社 東芝 KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目1番1号 1-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058001, JP
発明者:
才田 大輔 SAIDA, Daisuke; JP
天野 実 AMANO, Minoru; JP
小瀬木 淳一 OZEKI, Jyunichi; JP
下村 尚治 SHIMOMURA, Naoharu; JP
代理人:
日向寺 雅彦 HYUGAJI, Masahiko; JP
優先権情報:
2014-05079813.03.2014JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC STORAGE ELEMENT AND NON-VOLATILE STORAGE DEVICE
(FR) ÉLÉMENT DE STOCKAGE MAGNÉTIQUE ET DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATIL
(JA) 磁気記憶素子及び不揮発性記憶装置
要約:
(EN) This invention provides a magnetic storage element (110) containing a laminate (SB0) that has a first laminate section (SB1) and a second laminate section (SB2). The first laminate section contains a first ferromagnetic layer (10), the direction of magnetization (10m) of which is fixed, and a second ferromagnetic layer (20), the direction of magnetization (20m) of which is variable and the magnetic-resonance frequency of which is a first frequency (f1). If a first current (I1) flows in the direction of lamination (SD1) and a magnetic field at the first frequency is applied, the direction of magnetization of the second ferromagnetic layer changes to a direction corresponding to the direction of the first current, but if a second current (I2) that is smaller than the first current flows, the direction of magnetization of the second ferromagnetic layer does not change to a direction corresponding to the direction of the second current. The second laminate section contains a third ferromagnetic layer (30) that has a variable direction of magnetization (30m) and is laminated to the first laminate section. When the second current flows, said second current causes the third ferromagnetic layer to generate a magnetic field at the first frequency. By making a current flow through the laminate in the direction of lamination thereof, the direction of magnetization of the second ferromagnetic layer can be set to a direction corresponding to the direction of said current.
(FR) La présente invention porte sur un élément de stockage magnétique (110) contenant un stratifié (SB0) qui a une première section de stratifié (SB1) et une seconde section de stratifié (SB2). La première section de stratifié contient une première couche ferromagnétique (10), dont la direction d'aimantation (10m) est fixe, et une deuxième couche ferromagnétique (20), dont la direction d'aimantation (20m) est variable et dont la fréquence de résonance magnétique est une première fréquence (f1). Si un premier courant (I1) circule dans la direction de stratification (SD1) et un champ magnétique à la première fréquence est appliqué, la direction d'aimantation de la deuxième couche ferromagnétique change vers une direction correspondant à la direction du premier courant, mais si un second courant (I2) qui est plus faible que le premier courant circule, la direction d'aimantation de la deuxième couche ferromagnétique ne change pas vers une direction correspondant à la direction du second courant. La seconde section de stratifié contient une troisième couche ferromagnétique (30) qui a une direction d'aimantation variable (30m) et est stratifiée sur la première section de stratifié. Lorsque le second courant circule, ledit second courant amène la troisième couche ferromagnétique à générer un champ magnétique à la première fréquence. En faisant circuler un flux de courant à travers le stratifié dans la direction de stratification de celui-ci, la direction d'aimantation de la deuxième couche ferromagnétique peut être réglée à une direction correspondant à la direction dudit courant.
(JA)  第1積層部(SB1)と第2積層部(SB2)とを含む積層体(SB0)を含む磁気記憶素子(110)が提供される。第1積層部は、磁化方向(10m)が固定された第1強磁性層(10)と、磁化方向(20m)が可変で、磁気共鳴周波数が第1周波数(f1)である第2強磁性層(20)とを含む。第2強磁性層の磁化方向は、積層方向(SD1)に第1電流(I1)が流れ第1周波数の磁界が印加されたときに、第1電流の向きに応じた方向に変化し、第1電流よりも小さい第2電流(I2)が流れたときに、第2電流の向きに応じた方向に変化しない。第2積層部は、前記第1積層部と積層され、磁化方向(30m)が可変な第3強磁性層(30)を含む。第3強磁性層は、第2電流が流れることによって第1周波数の磁界を発生できる。積層方向に沿って積層体に電流を流すことにより、第2強磁性層の磁化の方向を電流の向きに応じた方向に決定できる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)