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1. (WO2015136743) 低誘電率膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/136743 国際出願番号: PCT/JP2014/073656
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 08.09.2014
IPC:
H01L 21/316 (2006.01) ,C23C 16/42 (2006.01) ,C23C 16/511 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
314
無機物層,
316
酸化物またはガラス性酸化物または酸化物を基礎としたガラスからなるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
42
けい化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
44
被覆の方法に特徴のあるもの
50
放電を用いるもの
511
マイクロ波放電を用いるもの
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
株式会社東北テクノアーチ TOHOKU TECHNO ARCH CO., LTD. [JP/JP]; 宮城県仙台市青葉区荒巻字青葉468 468, Aza Aoba, Aramaki, Aoba-ku, Sendai City, Miyagi 9800845, JP
発明者:
菊地 良幸 KIKUCHI, Yoshiyuki; JP
寒川 誠二 SAMUKAWA, Seiji; JP
代理人:
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
優先権情報:
2014-05083613.03.2014JP
発明の名称: (EN) LOW-DIELECTRIC-CONSTANT FILM
(FR) FILM A FAIBLE CONSTANTE DIELECTRIQUE
(JA) 低誘電率膜
要約:
(EN) [Problem] To improve the stability and further reduce the dielectric constant, relative to existing low-dielectric-constant films, of a low-dielectric-constant film formed, using neutral particles, on top of a substrate. [Solution] This invention, which provides a low-dielectric-constant film characterized in that molecular-structure analysis using Fourier-transform infrared spectroscopy indicates an absorbance at a wavenumber of 855 cm-1 that is low relative to porous films, an absorbance at a wave number of 800 cm-1 that is high relative to porous films, and an absorbance at a wavenumber of 775 cm-1 that is low relative to porous films, yields a nonporous low-dielectric-constant film that has a strong straight-chain molecular structure.
(FR) L'invention vise à améliorer la stabilité et à réduire davantage, par rapport à des films existants à faible constante diélectrique, la constante diélectrique d'un film à faible constante diélectrique formé à l'aide de particules neutres sur la partie supérieure d'un substrat. La présente invention concerne un film à faible constante diélectrique, caractérisé en ce que l'analyse de la structure moléculaire par spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier indique une absorbance, à un nombre d'ondes de 855 cm-1, qui est faible par rapport à des films poreux, une absorbance à un nombre d'ondes de 800 cm-1 qui est élevée par rapport à des films poreux, et une absorbance à un nombre d'ondes de 775 cm-1 qui est faible par rapport à des films poreux; et permet d'obtenir un film non poreux à faible constante diélectrique qui présente une forte structure moléculaire à chaîne droite.
(JA) 【課題】中性粒子を用いて基板上に成膜した低誘電率膜を、従来よりも安定した膜としてさらに誘電率を改善する。 【解決手段】フーリエ変換型赤外分光による分子構造分析において、波数855cm-1の吸光度が多孔質膜に比べて小さく、波数800cm-1の吸光度が多孔質膜の吸光度に比べて大きく、波数775cm-1の吸光度が多孔質膜の吸光度に比べて小さいことを特徴とする、低誘電率膜が提供される。分子構造が直鎖状に強固なものとなり、ノンポーラス化された低誘電率膜が実現される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)