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1. (WO2015136629) 高周波パッケージ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/136629 国際出願番号: PCT/JP2014/056370
国際公開日: 17.09.2015 国際出願日: 11.03.2014
IPC:
H01P 3/08 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
P
導波管;導波管型の共振器,線路または他の装置
3
導波管;導波管型の伝送線路
02
2本の長手方向導体をもつもの
08
マイクロストリップ;ストリップ線路
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
八十岡 興祐 YASOOKA, Kosuke; JP
代理人:
酒井 宏明 SAKAI, Hiroaki; 東京都千代田区霞が関3丁目8番1号 虎の門三井ビルディング 特許業務法人酒井国際特許事務所 Sakai International Patent Office, Toranomon Mitsui Building, 8-1, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000013, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) HIGH FREQUENCY PACKAGE
(FR) ENSEMBLE À HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波パッケージ
要約:
(EN) This high frequency package is provided with: a resin substrate; a high frequency device mounted on the side of a first surface of the resin substrate; a ground surface conductor, which is at ground potential, and is formed on a second surface of the resin substrate, said second surface being on the reverse side of the first surface; a high frequency signal transmission line that is formed in an inner layer of the resin substrate; and ground vias at ground potential, said ground vias being formed inside of the resin substrate. Through holes are formed in the ground surface conductor. The ground vias are disposed between the transmission line and the through holes.
(FR) La présente invention concerne un boîtier à haute fréquence pourvu de : un substrat de résine ; un dispositif à haute fréquence monté sur le côté d'une première surface du substrat de résine ; un conducteur de surface de masse, qui est au potentiel de masse, et est formé sur une seconde surface du substrat de résine, ladite seconde surface étant sur le côté inverse de la première surface ; une ligne de transmission de signal haute fréquence qui est formée dans une couche interne du substrat de résine ; et des trous d'interconnexion de masse au potentiel de masse, lesdits trous d'interconnexion de masse étant formés à l'intérieur du substrat de résine. Des trous traversants sont formés dans le conducteur de surface de masse. Les trous d'interconnexion de masse sont disposés entre la ligne de transmission et les trous traversants.
(JA) 高周波パッケージは、樹脂基板と、樹脂基板の第1表面側に搭載された高周波デバイスと、樹脂基板の第1表面と反対側の第2表面上に形成されたグランド電位のグランド面導体と、樹脂基板の内層に形成された高周波信号の伝送線路と、樹脂基板の内部に形成されたグランド電位のグランドビアと、を備える。グランド面導体には貫通穴が形成されている。グランドビアは、伝送線路と貫通穴との間に配置されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106104911US20170012008EP3118927