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1. (WO2015133630) 離型フィルム、その製造方法、および半導体パッケージの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133630 国際出願番号: PCT/JP2015/056732
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 06.03.2015
IPC:
H01L 21/56 (2006.01) ,B29C 33/68 (2006.01) ,B29C 43/18 (2006.01) ,B29C 45/14 (2006.01) ,B32B 27/00 (2006.01) ,B32B 27/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
56
封緘,例.封緘層,被覆
B 処理操作;運輸
29
プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
C
プラスチックの成形または接合;可塑状態の物質の成形一般;成形品の後処理,例.補修
33
型またはコア;その細部または付属装置
56
被覆剤;離型剤,潤滑剤または分離剤
68
離型シート
B 処理操作;運輸
29
プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
C
プラスチックの成形または接合;可塑状態の物質の成形一般;成形品の後処理,例.補修
43
圧縮成形,すなわち,付加された外部圧で成形材料を流動させるもの;そのための装置
02
一定長の物品,すなわち.不連続物品,の圧縮成形
18
あらかじめ形成された部品または層状物品と一体化するもの,例.挿入物の周囲へまたは物品を被覆するための
B 処理操作;運輸
29
プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
C
プラスチックの成形または接合;可塑状態の物質の成形一般;成形品の後処理,例.補修
45
射出成形,即ち所要量の成形材料をノズルを介して閉鎖型内へ流入させるもの;そのための装置
14
あらかじめ形成された部品または層状物品と一体化するもの,例.挿入物の周囲へまたは物品を被覆するための射出成形
B 処理操作;運輸
32
積層体
B
積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
27
本質的に合成樹脂からなる積層体
B 処理操作;運輸
32
積層体
B
積層体,すなわち平らなまたは平らでない形状,例.細胞状またはハニカム状,の層から組立てられた製品
27
本質的に合成樹脂からなる積層体
18
特別な添加剤の使用を特徴とするもの
出願人:
旭硝子株式会社 ASAHI GLASS COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目5番1号 5-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008405, JP
発明者:
笠井 渉 KASAI, Wataru; JP
鈴木 政己 SUZUKI, Masami; JP
代理人:
泉名 謙治 SENMYO, Kenji; JP
優先権情報:
2014-04546007.03.2014JP
発明の名称: (EN) MOLD RELEASE FILM, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE
(FR) FILM DE DÉMOULAGE, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN BOÎTIER À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 離型フィルム、その製造方法、および半導体パッケージの製造方法
要約:
(EN)  Provided are a mold release film, a method for manufacturing the same, and a method for manufacturing a semiconductor package using the mold release film. The mold release film is not easily charged and curled, does not contaminate a mold, and has excellent mold followability. In a method for manufacturing a semiconductor package in which a semiconductor element is arranged in a mold and the mold is sealed with a curable resin, thereby forming a resin-sealed portion, the mold release film is arranged on a surface with which the curable resin on the mold is in contact. The mold release film is provided with a first thermoplastic resin layer being in contact with the curable resin during the formation of the resin-sealed portion, a second thermoplastic resin layer being in contact with the mold during the formation of the resin-sealed portion, and an intermediate layer being arranged between the first thermoplastic resin layer and the second thermoplastic resin layer. The storage elastic moduli of the first thermoplastic resin layer and the second thermoplastic resin layer at 180°C are respectively 10-300 MPa, the difference in the storage elastic modulus at 25°C is 1,200 MPa or less, the thickness is 12-50 μm, and the intermediate layer includes a polymeric antistatic agent.
(FR)  La présente invention concerne un film de démoulage, son procédé de fabrication, et un procédé de fabrication d'un boîtier à semi-conducteur mettant en œuvre ledit film de démoulage. Ledit film de démoulage n'est pas facilement chargé et gondolé, il ne contamine pas un moule, et présente une excellente capacité de conformation au moule. Un procédé de fabrication d'un boîtier à semi-conducteur selon l'invention consiste à disposer un élément semi-conducteur dans un moule et sceller le moule avec une résine durcissable, de façon à former une partie scellée par résine, ledit film de démoulage étant disposé sur une surface avec laquelle entre en contact la résine durcissable sur le moule. Ledit film de démoulage est doté d'une première couche de résine thermoplastique en contact avec la résine durcissable pendant la formation de la partie scellée par résine, une seconde couche de résine thermoplastique en contact avec le moule pendant la formation de la partie scellée par résine, et une couche intermédiaire étant agencée entre la première couche de résine thermoplastique et la seconde couche de résine thermoplastique. Les modules d'élasticité de stockage de la première couche de résine thermoplastique et de la seconde couche de résine thermoplastique à 180 °C sont respectivement de 10 à 300 MPa, la différence du module d'élasticité de stockage à 25 °C étant inférieure ou égale à 1 200 MPa, l'épaisseur allant de 12 à 50 µm, et la couche intermédiaire comprenant un agent antistatique polymère.
(JA)  帯電およびカールが生じにくく、金型を汚さず、かつ金型追従性に優れる離型フィルム、その製造方法、および前記離型フィルムを用いた半導体パッケージの製造方法の提供。 半導体素子を金型内に配置し、硬化性樹脂で封止して樹脂封止部を形成する半導体パッケージの製造方法において、金型の硬化性樹脂が接する面に配置される離型フィルムであって、樹脂封止部の形成時に硬化性樹脂と接する第1の熱可塑性樹脂層と、樹脂封止部の形成時に金型と接する第2の熱可塑性樹脂層と、第1の熱可塑性樹脂層と第2の熱可塑性樹脂層との間に配置された中間層とを備え、第1の熱可塑性樹脂層および第2の熱可塑性樹脂層それぞれの180℃における貯蔵弾性率が10~300MPaで、25℃における貯蔵弾性率の差が1,200MPa以下で、厚さが12~50μmであり、中間層が高分子系帯電防止剤を含有する層を含む離型フィルム。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
DE112015001143CN106104776SG11201607466TUS20160368177JPWO2015133630MYPI 2016703253
KR1020160130804