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1. (WO2015133539) 太陽電池の製造方法および太陽電池
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133539 国際出願番号: PCT/JP2015/056405
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 04.03.2015
IPC:
H01L 31/18 (2006.01) ,H01L 31/068 (2012.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
18
これらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
06
少なくとも1つの電位障壁または表面障壁に特徴のあるもの
068
電位障壁がPNホモ接合型のみからなるもの,例.バルクシリコンPNホモ接合太陽電池または薄膜多結晶シリコンPNホモ接合太陽電池
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
山林 弘也 YAMARIN, Hiroya; JP
白柳 裕介 SHIRAYANAGI, Yusuke; JP
代理人:
酒井 宏明 SAKAI, Hiroaki; JP
優先権情報:
2014-04322805.03.2014JP
発明の名称: (EN) SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) CELLULE SOLAIRE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 太陽電池の製造方法および太陽電池
要約:
(EN)  This invention is characterized by including: a step for forming an n-type silicon substrate (1) having a p-n junction, and forming a p-type diffusion layer (2) on one main surface side of the n-type silicon substrate (1); a step for forming a layered film of a silicon oxide film (5) and a silicon nitride film as a passivation film on one of the first and second main surfaces of the n-type silicon substrate, on the n-type light-receiving surface (1A) side; a step for forming apertured regions (9) in the passivation film; a step for diffusing an n-type impurity and forming high-concentration diffusion regions (11) by using the passivation film as a mask for the apertured regions (9) of the passivation film; and a step for selectively forming metal electrodes (13) in the high-concentration diffusion regions (11) exposed in the apertured regions (9) of the passivation film.
(FR)  La présente invention est caractérisée en ce qu'elle comprend : une étape de formation d'un substrat de silicium de type n (1) qui comporte une jonction p-n, et de formation d'une couche de diffusion de type p (2) sur un côté surface principale du substrat de silicium de type n (1) ; une étape de formation d'un film stratifié d'un film d'oxyde de silicium (5) et d'un film de nitrure de silicium en tant que film de passivation sur la surface du substrat de silicium de type n qui est vers la surface réceptrice de lumière de type n (1A) et qui est une des première et seconde surfaces principales du substrat de silicium de type n ; une étape de formation d'une région à ouverture (9) dans le film de passivation ; une étape de diffusion d'une impureté de type n et de formation d'une région de diffusion à haute concentration (11) en utilisant le film de passivation en tant que masque pour la région à ouverture (9) du film de passivation ; et une étape de formation sélective d'une électrode métallique (13) dans la région de diffusion à haute concentration (11) exposée dans la région à ouverture (9) du film de passivation.
(JA)  n型シリコン基板1の一主面側にp型拡散層2を形成し、pn接合を有するn型シリコン基板1を形成する工程と、n型シリコン基板の第1および第2の主面の内、n型である受光面1A側の表面にパッシベーション膜として酸化シリコン膜5と窒化シリコン膜との積層膜を形成する工程と、パッシベーション膜に開口領域9を形成する工程と、パッシベーション膜の開口領域9に対してパッシベーション膜をマスクとして、n型不純物を拡散させ、高濃度拡散領域11を形成する工程と、パッシベーション膜の開口領域9に露呈する記高濃度拡散領域11に選択的に金属電極13を形成する工程とを含むことを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015133539CN106062975US20170278998