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1. (WO2015133527) 半導体装置および半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133527 国際出願番号: PCT/JP2015/056375
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 04.03.2015
IPC:
H01L 21/52 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
52
容器中への半導体本体のマウント
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
出願人:
ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585, JP
発明者:
林 健二 HAYASHI, Kenji; JP
須崎 哲広 SUZAKI, Akihiro; JP
代理人:
稲岡 耕作 INAOKA, Kosaku; JP
優先権情報:
2014-04186204.03.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置および半導体装置の製造方法
要約:
(EN)  This semiconductor device includes a semiconductor chip, an electroconductive member for supporting the semiconductor chip, a bonding material provided between the electroconductive member and the semiconductor chip, and a release groove arranged away from the semiconductor chip and having both ends formed on the outer surface of the electroconductive member so as to join the peripheral ends of the electroconductive member.
(FR)  Dispositif à semi-conducteur comprenant une puce à semi-conducteur, un élément électro-conducteur pour supporter la puce à semi-conducteur, un matériau de liaison disposé entre l'élément électro-conducteur et la puce à semi-conducteur, et une rainure de dégagement écartée de la puce à semi-conducteur et dont les deux extrémités sont formées sur la surface extérieure de l'élément électro-conducteur de façon à joindre les extrémités périphériques de l'élément électro-conducteur.
(JA)  本発明の半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップを支持する導電部材と、前記導電部材と前記半導体チップとの間に設けられた接合材と、一端および他端が、それぞれ前記導電部材の周端に繋がるように前記導電部材の表面に形成され、前記半導体チップから離れて配置された逃がし溝とを含む。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP3116020US20170069613US20180286845