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1. (WO2015133420) 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133420 国際出願番号: PCT/JP2015/056042
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 02.03.2015
IPC:
H01L 21/301 (2006.01) ,C09J 4/00 (2006.01) ,C09J 7/02 (2006.01) ,C09J 201/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
301
半導体本体を別個の部品に細分割するため,例.分離する
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
4
少なくとも1つの重合性炭素―炭素不飽和結合をもつ有機非高分子化合物に基づく接着剤
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
7
フィルム状または箔状の接着剤
02
担体上のもの
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
J
接着剤;接着方法一般の非機械的観点;他に分類されない接着方法;物質の接着剤としての使用
201
不特定の高分子化合物に基づく接着剤
02
特定の基の存在によって特徴づけられるもの
出願人:
リンテック株式会社 LINTEC CORPORATION [JP/JP]; 東京都板橋区本町23番23号 23-23, Honcho, Itabashi-ku, Tokyo 1730001, JP
発明者:
高麗 洋佑 KOMA, Yosuke; JP
西田 卓生 NISHIDA, Takuo; JP
坂本 美紗季 SAKAMOTO, Misaki; JP
代理人:
早川 裕司 HAYAKAWA, Yuzi; JP
優先権情報:
2014-04102003.03.2014JP
発明の名称: (EN) SHEET FOR SEMICONDUCTOR-RELATED-MEMBER PROCESSING AND PROCESS FOR PRODUCING CHIP USING SAID SHEET
(FR) FEUILLE DE TRAITEMENT D'ÉLÉMENTS DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PUCE METTANT EN ŒUVRE LADITE FEUILLE
(JA) 半導体関連部材加工用シートおよび当該シートを用いるチップの製造方法
要約:
(EN) Provided is a sheet for semiconductor-related-member processing which can more stably have enhanced releasability and by which members equipped with chips produced from a semiconductor-related member using the sheet for semiconductor-related-member processing can be more stably rendered less apt to decrease in reliability. The sheet (1) for semiconductor-related-member processing comprises a base (2) and a pressure-sensitive adhesive layer (3) formed on one surface of the base (2), wherein the pressure-sensitive adhesive layer (3) comprises one or more energy-ray-polymerizable compounds having an energy-ray-polymerizable functional group, at least one of the energy-ray-polymerizable compounds being a polymerizable branched polymer that is a polymer having a branched structure. When this sheet (1) for semiconductor-related-member processing is applied to a mirror surface of a silicon wafer so that the surface of the pressure-sensitive adhesive layer (3) thereof comes into contact with the mirror surface, subsequently irradiated with energy rays to reduce the pressure-sensitive adhesiveness of the pressure-sensitive adhesive layer (3) relative to the mirror surface of the silicon wafer, and then peeled from the silicon wafer, then the mirror surface of the silicon wafer to which the sheet (1) for semiconductor-related-member processing was adherent has a contact angle of 40° or less, measured using a water droplet in a 25°C environment having a relative humidity of 50%.
(FR) La présente invention concerne une feuille de traitement d'éléments de type semi-conducteur qui peut présenter une capacité de libération améliorée et plus stable et permettant de stabiliser la fiabilité d'éléments équipés de puces produites à partir d'un élément de type semi-conducteur au moyen de la feuille de traitement d'éléments de type semi-conducteur. Ladite feuille (1) de traitement d'éléments de type semi-conducteur comprend une base (2) et une couche adhésive sensible à la pression (3) formée sur une surface de la base (2). Ladite couche adhésive sensible à la pression (3) comprend un ou plusieurs composés polymérisables par rayonnement d'énergie comprenant un groupe fonctionnel polymérisable par rayonnement d'énergie, au moins l'un desdits composés polymérisables par rayonnement d'énergie étant un polymère ramifié polymérisable qui est un polymère présentant une structure ramifiée. Lorsque ladite feuille (1) de traitement d'éléments de type semi-conducteur est appliquée à une surface de miroir d'une tranche de silicium de sorte que la surface sa couche adhésive sensible à la pression (3) entre en contact avec la surface de miroir, et qu'elle est par la suite irradiée d'un rayonnement d'énergie pour réduire l'adhésivité par pression de la couche adhésive sensible à la pression (3) par rapport à la surface de miroir de la tranche de silicium, et qu'elle est ensuite pelée de la tranche de silicium, alors la surface de miroir de la tranche de silicium à laquelle était collée la feuille (1) de traitement d'éléments de type semi-conducteur présente un angle de contact inférieure ou égal à 40° tel que mesuré par gouttelette d'eau dans un environnement à 25 °C présentant une humidité relative de 50 %.
(JA) 半導体関連部材加工用シートの剥離性を高めることと、半導体関連部材加工用シートを用いて半導体関連部材から製造したチップを備える部材の信頼性が低下しにくくなることとを、より安定的に達成しうる半導体関連部材加工用シートとして、基材(2)と、基材(2)の一方の面の上方に設けられた粘着剤層(3)とを備えた半導体関連部材加工用シート(1)であって、粘着剤層(3)は、エネルギー線重合性官能基を有するエネルギー線重合性化合物を含有し、エネルギー線重合性化合物の少なくとも1種は、分岐構造を有する重合体である重合性分岐重合体であり、半導体関連部材加工用シート(1)の粘着剤層(3)側の面を、シリコンウエハの鏡面に貼付し、半導体関連部材加工用シート(1)にエネルギー線を照射して、シリコンウエハの鏡面に対する粘着剤層(3)の粘着性を低下させた後、半導体関連部材加工用シート(1)をシリコンウエハから剥離して得られる、シリコンウエハにおける半導体関連部材加工用シート(1)が貼着していた鏡面を測定対象面として、25℃、相対湿度50%の環境下で、水滴を用いて測定された接触角が40°以下である半導体関連部材加工用シートが提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
DE112015001075US20160372358JPWO2015133420CN106062928KR1020160130249