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1. (WO2015133379) III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133379 国際出願番号: PCT/JP2015/055716
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 26.02.2015
IPC:
C30B 29/38 (2006.01) ,C23C 16/08 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C30B 19/02 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/208 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
38
窒化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
06
金属質材料の析出に特徴のあるもの
08
金属ハロゲン化物からのもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34
窒化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
19
液相エピタキシャル成長
02
溶融溶媒を用いるもの,例.フラックス
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
18
基板によって特徴づけられたもの
20
基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
208
液相成長を用いるもの
出願人:
国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 大阪府吹田市山田丘1番1号 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP
伊藤忠プラスチックス株式会社 ITOCHU PLASTICS INC. [JP/JP]; 東京都渋谷区道玄坂1丁目12番1号 1-12-1, Dohgenzaka, Shibuya-ku, Tokyo 1508525, JP
発明者:
森 勇介 MORI Yusuke; JP
吉村 政志 YOSHIMURA Masashi; JP
今出 完 IMADE Mamoru; JP
伊勢村 雅士 ISEMURA Masashi; JP
碓井 彰 USUI Akira; JP
柴田 真佐知 SHIBATA Masatomo; JP
吉田 丈洋 YOSHIDA Takehiro; JP
代理人:
辻丸 光一郎 TSUJIMARU Koichiro; JP
優先権情報:
2014-04108003.03.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING GROUP-III NITRIDE CRYSTAL, GROUP-III NITRIDE CRYSTAL, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DEVICE FOR PRODUCING GROUP-III NITRIDE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III, CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DE CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III
(JA) III族窒化物結晶の製造方法、III族窒化物結晶、半導体装置およびIII族窒化物結晶製造装置
要約:
(EN) By means of a vapor phase growth method, the present invention produces a high-quality group-III nitride crystal that has few defects such as strain, dislocations, and warping and has a large size. This method for producing a group-III nitride crystal includes: a first step for group-III nitride crystal production that produces a first group-III nitride crystal (1003) by means of a liquid phase growth method; and a second step for group-III nitride crystal production that produces a second group-III nitride crystal (1004) on the first crystal (1003) by means of a vapor phase growth method. The method for producing a group-III nitride crystal is characterized in that in the first step for group-III nitride crystal production, the surfaces of a plurality of seed crystals (1003a) of a group-III nitride prepared ahead of time are contacted to an alkali metal melt, the group-III element and nitrogen are caused to react in the alkali metal melt in an atmosphere containing nitrogen, and by means of the growth of the plurality of group-III nitride crystals grown from the plurality of seed crystals (1003a), the plurality of group-III nitride crystals are joined to result in the first crystal (1003).
(FR) Au moyen d'un procédé de croissance en phase vapeur, la présente invention permet de produire un cristal de nitrure du groupe III de haute qualité qui a peu de défauts comme des contraintes, des dislocations et un gauchissement et qui est de grande taille. Ce procédé de production d'un cristal de nitrure du groupe III comprend : une première étape de production de cristaux de nitrure du groupe III qui produit un premier cristal de nitrure du groupe III (1003) au moyen d'un procédé de croissance en phase liquide ; et une seconde étape de production de cristaux de nitrure du groupe III qui produit un second cristal de nitrure du groupe III (1004) sur le premier cristal (1003) au moyen d'un procédé de croissance en phase vapeur. Le procédé de fabrication d'un cristal de nitrure du groupe III se caractérise en ce que, dans la première étape de production de cristaux de nitrure du groupe III, les surfaces d'une pluralité de cristaux d'ensemencement (1003a) d'un nitrure du groupe III préparée à l'avance sont mis en contact avec un métal alcalin à l'état fondu, l'élément du groupe III et de l'azote sont amenés à réagir dans le métal alcalin fondu dans une atmosphère contenant de l'azote, et grâce à la croissance de la pluralité de cristaux de nitrure du groupe III développés à partir de la pluralité de germes de cristaux (1003a), les cristaux de la pluralité de cristaux de nitrure du groupe III sont joints pour donner le premier cristal (1003).
(JA)  気相成長法により大サイズで、かつ、歪み、転位、反り等の欠陥が少なく高品質なIII族窒化物結晶を製造する。 液相成長法により第1のIII族窒化物結晶1003を製造する第1のIII族窒化物結晶製造工程と、 第1の結晶1003上に、気相成長法により第2のIII族窒化物結晶1004を製造する第2のIII族窒化物結晶製造工程とを含む、III族窒化物結晶の製造方法であって、 前記第1のIII族窒化物結晶製造工程は、 予め準備されたIII族窒化物の複数の種結晶1003aの表面をアルカリ金属融液に接触させ、 窒素を含む雰囲気下において、III族元素と前記窒素とを前記アルカリ金属融液中で反応させ、複数の種結晶1003aから成長した複数のIII族窒化物結晶の成長により、前記複数のIII族窒化物結晶を結合させて第1の結晶1003とすることを特徴とする製造方法。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP3103899US20170073839