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1. (WO2015133375) 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133375 国際出願番号: PCT/JP2015/055707
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 26.02.2015
IPC:
H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/30 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
滝沢 裕雄 TAKIZAWA, Hiroo; JP
新居 輝樹 NIORI, Teruki; JP
米久田 康智 YONEKUTA, Yasunori; JP
平野 修史 HIRANO, Syuji; JP
代理人:
飯田 敏三 IIDA, Toshizo; JP
優先権情報:
2014-04090303.03.2014JP
発明の名称: (EN) ORGANIC THIN FILM TRANSISTOR AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE À FILM MINCE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法
要約:
(EN)  An organic thin film transistor having a gate electrode, an organic semiconductor layer, a gate insulation layer, a source electrode, and a drain electrode on a substrate, wherein the organic semiconductor layer contains an organic semiconductor and a resin (C) having one or more groups selected from the group consisting of a group having a fluorine atom, a group having a silicon atom, an alkyl group having one or more carbon atoms or in the case of an alkoxycarbonyl group, two or more carbon atoms, a cycloalkyl group, an aralkyl group, an aryloxycarbonyl group, an aromatic ring group substituted with at least one alkyl group, and an aromatic ring group substituted with at least one cycloalkyl group. In addition, a method for manufacturing an organic thin film transistor in which an application liquid containing the organic semiconductor and the resin (C) is applied and the resin (C) is caused to be unevenly distributed.
(FR)  L'invention concerne un transistor organique à film mince comprenant une électrode de gâchette, une couche en semiconducteur organique, une couche d'isolation de gâchette, une électrode de source et une électrode de drain sur un substrat. La couche en semiconducteur organique contient un semiconducteur organique et une résine (C) possédant un ou plusieurs groupes choisis dans le groupe constitué d'un groupe ayant un atome de fluor, un groupe ayant un atome de silicium, un groupe alkyle ayant un ou plusieurs atomes de carbone ou, dans le cas d'un groupe alcoxycarbonyle, deux ou plusieurs atomes de carbone, un groupe cycloalkyle, un groupe aralkyle, un groupe aryloxycarbonyle, un groupe noyau aromatique substitué par au moins un groupe alkyle, et un groupe noyau aromatique substitué par au moins un groupe cycloalkyle. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un transistor organique à film mince dans lequel un liquide d'application contenant le semiconducteur organique et la résine (C) est appliqué et la résine (C) est amenée à être distribuée de façon inégale.
(JA)  基板上にゲート電極、有機半導体層、ゲート絶縁層、ソース電極及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタであって、有機半導体層が、有機半導体と、フッ素原子を有する基、ケイ素原子を有する基、炭素数1以上、アルコキシカルボニル基の場合は炭素数2以上のアルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリールオキシカルボニル基、少なくとも1個のアルキル基で置換された芳香環基及び少なくとも1個のシクロアルキル基で置換された芳香環基からなる群より選択される1つ以上の基を有する樹脂(C)とを含む有機薄膜トランジスタ、並びに、有機半導体と樹脂(C)を含有する塗布液を塗布して樹脂(C)を偏在させる有機薄膜トランジスタの製造方法。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20160372662EP3116031CN106062965KR1020160127787