16:00 CETの火曜日 19.11.2019のメンテナンス理由で数時間使用できません
国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015133290) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133290 国際出願番号: PCT/JP2015/054614
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 19.02.2015
IPC:
H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 27/04 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
70
バイポーラ装置
72
トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの
739
電界効果により制御されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
265
イオン注入法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
27
1つの共通基板内または上に形成された複数の半導体構成部品または他の固体構成部品からなる装置
02
整流,発振,増幅またはスイッチングに特に適用される半導体構成部品を含むものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する集積化された受動回路素子を含むもの
04
基板が半導体本体であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
住友重機械工業株式会社 SUMITOMO HEAVY INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 東京都品川区大崎二丁目1番1号 1-1, Osaki 2-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1416025, JP
発明者:
鈴木 剛臣 SUZUKI, Takaomi; JP
坂本 正樹 SAKAMOTO, Masaki; JP
代理人:
来山 幹雄 KITAYAMA, Mikio; JP
優先権情報:
2014-04449407.03.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 半導体装置の製造方法
要約:
(EN) A first injection region is formed by injecting a first dopant of a first conduction type into a surface layer portion of an IGBT section on a semiconductor substrate. A second injection region is formed by injecting a second dopant of a second conduction type into a region of the IGBT section at a shallower location than the first injection region. An amorphous third injection region is formed by injecting into the surface layer portion of a diode section a third dopant of the first conduction type at a higher concentration than the second dopant. Thereafter, the IGBT section and the diode section are laser-annealed under conditions where the third injection region melts partially and the first dopant is activated. Thereafter, the IGBT section and the diode section are annealed with a pulsed laser beam having a short pulse-width, whereby a surface layer portion at a shallower location than the second injection region is caused to melt and crystallize in the entire region comprising the IGBT section and the diode section. This allows for an activation of the dopants in the deep regions, and a suppression of the occurrence of surface roughness.
(FR) La présente invention concerne une première région d'injection, formée par injection d'un premier dopant d'un premier type de conduction dans une partie de couche de surface d'une section IGBT sur un substrat à semi-conducteurs. Une deuxième région d'injection est formée par injection d'un deuxième dopant d'un second type de conduction dans une région de la section IGBT au niveau d'un emplacement moins profond que la première région d'injection. Une troisième région d'injection amorphe est formée par injection, dans la partie de couche de surface d'une section de diode, d'un troisième dopant du premier type de conduction à une concentration supérieure à celle du deuxième dopant. Ensuite, la section IGBT et la section de diode sont recuites au laser dans des conditions où la troisième région d'injection fond partiellement et où le premier dopant est activé. Ensuite, la section IGBT et la section de diode sont recuites avec un faisceau laser pulsé ayant une largeur d'impulsion courte, moyennant quoi une partie de couche de surface au niveau d'une position moins profonde que la seconde région d'injection est amenée à fondre et à cristalliser dans toute la région comprenant la section IGBT et la section de diode. Cela permet d'activer les dopants dans les régions profondes et de supprimer la survenue d'une rugosité de surface.
(JA)  半導体基板のIGBT区画の表層部に、第1導電型の第1のドーパントを注入して第1の注入領域を形成する。IGBT区画の、第1の注入領域より浅い領域に、第2導電型の第2のドーパントを注入して、第2の注入領域を形成する。ダイオード区画の表層部に、第1導電型の第3のドーパントを、第2のドーパントより高濃度に注入して、アモルファス状態の第3の注入領域を形成する。その後、IGBT区画及びダイオード区画を、第3の注入領域が部分的に溶融し、第1のドーパントが活性化する条件で、レーザアニールを行う。その後、IGBT区画及びダイオード区画を、パルス幅の短いパルスレーザビームでアニールすることにより、IGBT区画及びダイオード区画の全域において、第2の注入領域より浅い表層部を溶融させ、結晶化させる。表面荒れの発生を抑制し、かつ深い領域のドーパントを活性化させることができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20160372583CN106062959