16:00 CETの火曜日 19.11.2019のメンテナンス理由で数時間使用できません
国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015133235) パターン形成方法、エッチング方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133235 国際出願番号: PCT/JP2015/053643
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 10.02.2015
IPC:
G03F 7/40 (2006.01) ,G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,G03F 7/32 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
40
画像様除去後の処理,例.加熱
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
26
感光材料の処理;そのための装置
30
液体手段を用いる画像様除去
32
そのための液体組成物,例.現像剤
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
上羽 亮介 UEBA Ryosuke; JP
井口 直也 IGUCHI Naoya; JP
山中 司 YAMANAKA Tsukasa; JP
代理人:
小田原 修一 ODAHARA Shuichi; JP
優先権情報:
2014-04198104.03.2014JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD, ETCHING METHOD, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF, PROCÉDÉ DE GRAVURE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) パターン形成方法、エッチング方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス
要約:
(EN) This pattern forming method is a method for forming a pattern wherein two or more different patterns are laid out in different regions. A first negative pattern is formed in a first region on a substrate, and a second negative pattern, which is different from the first negative pattern, is formed in a second region, which is different from the first region.
(FR) L'invention porte sur un procédé de formation de motif qui est un procédé de formation d'un motif dans lequel au moins deux motifs différents sont disposés dans différentes régions. Un premier motif négatif est formé dans une première région sur un substrat, et un second motif négatif, qui est différent du premier motif négatif, est formé dans une deuxième région, qui est différente de la première région.
(JA)  パターン形成方法は、2つ以上の異なるパターンが異なる領域にレイアウトされたパターンを形成する、パターン形成方法であって、基板上の第1の領域に第1のネガ型パターンを形成し、第1の領域とは異なる第2の領域に第1のネガ型パターンとは異なる第2のネガ型パターンを形成する。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)