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1. (WO2015133220) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133220 国際出願番号: PCT/JP2015/053320
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 06.02.2015
IPC:
G03F 7/038 (2006.01) ,C08F 22/10 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
22
ただ1つの炭素-炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,その少なくとも1つがカルボキシル基によって停止されており,そして分子中に少なくとも1個の他のカルボキシル基を含有する化合物,その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの単独重合体または共重合体
10
エステル
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
後藤 研由 GOTO Akiyoshi; JP
小島 雅史 KOJIMA Masafumi; JP
白川 三千紘 SHIRAKAWA Michihiro; JP
加藤 啓太 KATO Keita; JP
王 惠瑜 OU Keiyu; JP
代理人:
小田原 修一 ODAHARA Shuichi; JP
優先権情報:
2014-04558307.03.2014JP
発明の名称: (EN) ACTINIC-RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, ELECTRONIC DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RESINE SENSIBLE A UN RAYONNEMENT OU AUX RAYONS ACTINIQUES, PROCEDE DE FORMATION DE MOTIF, PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE
(JA) 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
要約:
(EN) The present invention provides: an actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition which has a large focus latitude and which, even when a fine pattern is formed, suppresses the collapse of the pattern; and a pattern formation method, an electronic device manufacturing method, and an electronic device using the composition. This actinic-ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains a resin (P) including recurring units (i) having a radical that is decomposed by the action of an acid represented by general formula (1).
(FR) La présente invention concerne une composition de résine sensible à un rayonnement ou aux rayons actiniques, qui comporte une grande latitude de focalisation et qui, même lorsqu'un motif fin est formé, permet d'éviter l'affaissement du motif ; et un procédé de formation de motif, un procédé de fabrication de dispositif électronique et un dispositif électronique utilisant cette composition. Cette composition de résine sensible à un rayonnement ou aux rayons actiniques contient une résine (P) comprenant des motifs récurrents (i), qui comporte un radical se décomposant sous l'action d'un acide représenté par la formule générale (1).
(JA) 本発明は、フォーカス許容度が大きく、かつ、微細なパターンを形成した際にもパターンの倒れが抑制される感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、上記組成物を用いたパターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイスを提供する。本発明の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、下記一般式(1)で表される酸の作用によって分解する基を有する繰り返し単位(i)を含む樹脂(P)を含有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020160106685