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1. (WO2015133140) 偏波回転回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133140 国際出願番号: PCT/JP2015/001158
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 04.03.2015
IPC:
G02B 6/126 (2006.01) ,G02B 6/122 (2006.01) ,G02B 6/14 (2006.01)
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
6
ライトガイド;ライトガイドおよびその他の光素子,例.カップリング,からなる装置の構造的細部
10
光導波路型のもの
12
集積回路型のもの
126
偏光効果を用いるもの
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
6
ライトガイド;ライトガイドおよびその他の光素子,例.カップリング,からなる装置の構造的細部
10
光導波路型のもの
12
集積回路型のもの
122
基本的光素子,例.ライトガイドパス
G 物理学
02
光学
B
光学要素,光学系,または光学装置
6
ライトガイド;ライトガイドおよびその他の光素子,例.カップリング,からなる装置の構造的細部
10
光導波路型のもの
14
モード変換器
出願人:
日本電信電話株式会社 NIPPON TELEGRAPH AND TELEPHONE CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町一丁目5番1号 5-1, Otemachi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008116, JP
発明者:
亀井 新 KAMEI, Shin; JP
地蔵堂 真 JIZODO, Makoto; JP
福田 浩 FUKUDA, Hiroshi; JP
菊池 清史 KIKUCHI, Kiyofumi; JP
代理人:
特許業務法人 谷・阿部特許事務所 TANI & ABE, P.C.; 東京都港区赤坂2丁目6-20 6-20, Akasaka 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052, JP
優先権情報:
2014-04283705.03.2014JP
2014-19746026.09.2014JP
発明の名称: (EN) POLARIZATION ROTATION CIRCUIT
(FR) CIRCUIT DE ROTATION DE POLARISATION
(JA) 偏波回転回路
要約:
(EN)  In polarization rotation circuits of the prior art, it was necessary to form a silicon nitride layer, a process not typically implemented when fabricating a silicon waveguide circuit. Implementing polarization rotation circuit functionality in an integrated optical circuit requires an additional process step for the exclusive purpose of forming the silicon nitride layer, leading to longer manufacturing times and more complicated manufacturing equipment. In this polarization rotation circuit, the waveguide width in the center core section of the polarization rotation circuit is constricted, whereby optical wave intensity does not become concentrated exclusively in the center core section, and there is greater susceptibility to structurally asymmetric effects. Due to the configuration of this polarization rotation circuit, polarization conversion can be brought about efficiently, despite a structure having a silicon waveguide only, and without forming a silicon nitride layer or the like. Moreover, through various configuration examples of mode conversion circuits in which the waveguide spacing is not excessively constricted, there may be provided configurations with which circuit length can be shortened, and tolerances during manufacture made looser.
(FR)  Selon l'état antérieur de la technique, dans des circuits de rotation de polarisation, il était nécessaire de former une couche de nitrure de silicium, ce qui était un processus qui n'était pas typiquement exécuté lors de la fabrication d'un circuit de guide d'ondes en silicium. La mise en œuvre d'une fonctionnalité de circuit de rotation de polarisation, dans un circuit optique intégré, requiert une étape de traitement supplémentaire dans le but exclusif de former la couche de nitrure de silicium, ce qui mène à des temps de fabrication plus longs et requiert un équipement de fabrication plus compliqué. Dans ledit circuit de rotation de polarisation, la largeur du guide d'ondes dans la section centrale de cœur du circuit de rotation de polarisation est contrainte, ce par quoi une intensité d'onde optique n'est pas exclusivement concentrée dans la section centrale de cœur, et il y a une plus grande sensibilité à des effets structurellement asymétriques. Du fait de la configuration de ce circuit de rotation de polarisation, une conversion de polarisation peut être effectuée efficacement, malgré une structure ayant seulement un guide d'ondes en silicium, et sans former de couche de nitrure de silicium ou autre. De plus, par différents exemples de configuration de circuits de conversion de mode dans lesquels l'espacement de guide d'ondes n'est pas excessivement contraint, des configurations peuvent être fournies grâce auxquelles une longueur de circuit peut être raccourcie et des tolérances pendant la fabrication peuvent être relâchées.
(JA)  従来技術の偏波回転回路では、一般的にシリコン導波路回路作製には適用されない窒化シリコン層を形成する必要があった。光集積回路中に偏波回転回路の機能を適用するためには、そのためだけに窒化シリコン層形成のプロセス工程が追加されることになり、製造時間の増大および製造装置の複雑化を招いていた。本発明の偏波回転回路では、偏波変換回路における中央コア部分の導波路幅を狭くすることによって、光波の強度が中央コア部分だけに集中せず、より構造的な非対称性の影響を受け易いようにする。本発明の偏波回転回路の構成により、窒化シリコン層等を形成することなく、シリコン導波路だけの構造でありながら、効率良く偏波変換を生じさせることができる。また、導波路の間隔を過度に狭くしないモード変換回路の様々な構成例によって、回路長を短縮し、製造時トレランスを緩和できる構成を提示する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CA2941552CN106104335SG11201607289SEP3115813US20170068048JPWO2015133140