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1. (WO2015133102) パターン形成方法およびパターン化基板製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133102 国際出願番号: PCT/JP2015/001023
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 27.02.2015
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,B29C 59/02 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
B 処理操作;運輸
29
プラスチックの加工;可塑状態の物質の加工一般
C
プラスチックの成形または接合;可塑状態の物質の成形一般;成形品の後処理,例.補修
59
表面成形,例.エンボス;そのための装置
02
機械的手段,例.プレス,によるもの
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
大津 暁彦 OHTSU, Akihiko; JP
後藤 雄一郎 GOTO, Yuichiro; JP
代理人:
柳田 征史 YANAGIDA, Masashi; JP
優先権情報:
2014-04169204.03.2014JP
発明の名称: (EN) PATTERN FORMING METHOD AND PATTERNED SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIFS ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT À MOTIFS
(JA) パターン形成方法およびパターン化基板製造方法
要約:
(EN) [Problem] To form a pattern of recesses and projections at a low cost and high yield while suppressing the occurrence of defects. [Solution] A nanoimprint mold (1) is used that includes, on the surface thereof, a main pattern area (2) that is obtained by forming a pattern of recesses and projections to be transferred, and a non-main pattern area (3) that is adjacent to the main pattern area (2) and is a flat surface or a dummy pattern having a pattern density or aspect ratio smaller than said pattern of recesses and projections. As resist liquids, a plurality of resist liquids (12, 13) having different components and different mold release capabilities after curing are prepared. At a coating step, the resist liquid (12) with the relatively lower mold release capability after curing is applied to an area on the surface of a nanoimprint substrate (10) corresponding to the main pattern area (2), and the resist liquid (13) with the relatively higher mold release capability after curing is applied to at least part of an area on the surface of the nanoimprint substrate corresponding to the non-main pattern area (3).
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de former un motif d'évidements et de saillies à un faible coût et à un rendement élevé tout en supprimant l'apparition de défauts. La solution selon l'invention porte sur l'utilisation d'un moule (1) de nano-impression qui comprend, sur sa surface, une zone de motif principal (2), qui est obtenue par formation d'un motif d'évidements et de saillies destiné à être transféré, et une zone de motif non principal (3), qui est adjacente à la zone de motif principal (2) et qui consiste en une surface plate ou en un motif factice présentant une densité de motif ou un rapport d'aspect plus faible que ledit motif d'évidements et de saillies. Plusieurs liquides de réserve (12, 13) sont préparés en tant que liquides de réserve, lesquels comportent des constituants différents et des capacités différentes de démoulage après durcissement. Au cours d'une étape de revêtement, le liquide de réserve (12) présentant la capacité de démoulage relativement inférieure après durcissement est appliqué à une zone sur la surface d'un substrat (10) de nano-impression correspondant à la zone de motif principal (2), et le liquide de réserve (13) présentant la capacité de démoulage relativement supérieure après durcissement est appliqué à au moins une partie d'une zone sur la surface du substrat de nano-impression correspondant à la zone de motif non principal (3).
(JA) 欠陥発生を抑制し、低コストかつ歩留まりよく凹凸パターン形成を行う。 ナノインプリント用モールド(1)として、転写すべき凹凸パターンが形成されてなる主パターン領域(2)と、主パターン領域(2)に隣接する、凹凸パターンよりも小さいパターン密度またはアスペクト比のダミーパターンもしくは平坦面である非主パターン領域(3)とを表面に備えたものを用い、レジスト液として、互いに成分が異なり、硬化後の離型力が異なる複数のレジスト液(12、13)を用意し、塗布工程において、ナノインプリント用基板(10)の表面の、主パターン領域(2)に対応する領域に、硬化後の離型力が相対的に低いレジスト液(12)を配置し、ナノインプリント用基板の表面の、非主パターン領域に対応する領域(3)の少なくとも一部に、硬化後の離型力が相対的に高いレジスト液(13)を配置する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)