国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015133064) 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体エピタキシャルウェーハ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133064 国際出願番号: PCT/JP2015/000597
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 10.02.2015
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,C23C 16/56 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34
窒化物
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
56
後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
萩本 和徳 HAGIMOTO, Kazunori; JP
篠宮 勝 SHINOMIYA, Masaru; JP
土屋 慶太郎 TSUCHIYA, Keitaro; JP
後藤 博一 GOTO, Hirokazu; JP
佐藤 憲 SATO, Ken; JP
鹿内 洋志 SHIKAUCHI, Hiroshi; JP
小林 昇一 KOBAYASHI, Shoichi; JP
栗本 宏高 KURIMOTO, Hirotaka; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA, Mikio; JP
優先権情報:
2014-04281505.03.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER, AND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE ÉPITAXIALE DE SEMI-CONDUCTEUR ET TRANCHE ÉPITAXIALE DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体エピタキシャルウェーハの製造方法及び半導体エピタキシャルウェーハ
要約:
(EN)  The present invention is a method for manufacturing a semiconductor epitaxial wafer characterized in having: a step for producing an epitaxial wafer by epitaxially growing a semiconductor layer on a silicon system substrate; an observation step for observing an external peripheral section of the produced epitaxial wafer; and a removal step for removing cracking, epitaxial layer delamination, or a reaction mark portions observed in the observation step. The method for manufacturing a semiconductor epitaxial wafer as provided by the invention thereby makes it possible to obtain a semiconductor epitaxial wafer entirely devoid of cracks.
(FR)  La présente invention porte sur un procédé de fabrication d'une tranche épitaxiale de semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comporte : une étape de production d'une tranche épitaxiale par croissance épitaxiale d'une couche semi-conductrice sur un substrat de système de silicium ; une étape d'observation pour observer une section périphérique externe de la tranche épitaxiale produite ; et une étape de retrait pour retirer une craquelure, un délaminage de couche épitaxiale ou des parties de marque de réaction observées dans l'étape d'observation. Le procédé de fabrication d'une tranche épitaxiale de semi-conducteur tel que fourni par la présente invention rend ainsi possible le fait d'obtenir une tranche épitaxiale de semi-conducteur entièrement dépourvue de craquelures.
(JA)  本発明は、シリコン系基板上に半導体層をエピタキシャル成長させて、エピタキシャルウェーハを作製する工程と、前記作製されたエピタキシャルウェーハの外周部を観察する観察工程と、前記観察工程において観察されたクラック、エピタキシャル層剥れ、及び、反応痕の部分を取り除く除去工程とを有することを特徴とする半導体エピタキシャルウェーハの製造方法である。これにより、完全なクラックフリーの半導体エピタキシャルウェーハを得ることが可能な半導体エピタキシャルウェーハの製造方法が提供される。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106068546US20170029977DE112015000781KR1020160130763US20180245240