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1. (WO2015133063) エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長用シリコン系基板
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133063 国際出願番号: PCT/JP2015/000595
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 10.02.2015
IPC:
H01L 21/205 (2006.01) ,C23C 16/02 (2006.01) ,C23C 16/34 (2006.01) ,H01L 21/20 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
02
被覆される材料の前処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
30
化合物,混合物または固溶体の析出,例.ほう化物,炭化物,窒化物
34
窒化物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
萩本 和徳 HAGIMOTO, Kazunori; JP
篠宮 勝 SHINOMIYA, Masaru; JP
土屋 慶太郎 TSUCHIYA, Keitaro; JP
後藤 博一 GOTO, Hirokazu; JP
佐藤 憲 SATO, Ken; JP
鹿内 洋志 SHIKAUCHI, Hiroshi; JP
小林 昇一 KOBAYASHI, Shoichi; JP
栗本 宏高 KURIMOTO, Hirotaka; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA, Mikio; JP
優先権情報:
2014-04197604.03.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING EPITAXIAL WAFER, AND SILICON-BASED SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE TRANCHE ÉPITAXIALE ET SUBSTRAT À BASE DE SILICIUM POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE
(JA) エピタキシャルウェーハの製造方法及びエピタキシャル成長用シリコン系基板
要約:
(EN)  The present invention is a method for producing an epitaxial wafer having an epitaxial layer on a silicon-based substrate, wherein the method for producing an epitaxial wafer is characterized in that a semiconductor layer is epitaxially grown on the silicon-based substrate after an external peripheral section of the silicon-based substrate is terrace-formed. A method is thereby provided for producing an epitaxial wafer that has an epitaxial layer on a silicon-based substrate, the method allowing a completely crack-free epitaxial wafer to be obtained.
(FR)  La présente invention porte sur un procédé de production d'une tranche épitaxiale ayant une couche épitaxiale sur un substrat à base de silicium, dans lequel le procédé de production d'une tranche épitaxiale est caractérisé en ce qu'une couche semi-conductrice est formée par croissance épitaxiale sur le substrat à base de silicium après qu'une section périphérique externe du substrat à base de silicium est formée en terrasse. Un procédé est ainsi fourni pour produire une tranche épitaxiale qui a une couche épitaxiale sur un substrat à base de silicium, le procédé permettant d'obtenir une tranche épitaxiale complètement sans craquelure.
(JA)  本発明は、シリコン系基板上にエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記シリコン系基板の外周部をテラス加工した後に、前記シリコン系基板上に半導体層をエピタキシャル成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法である。これにより、完全なクラックフリーのエピタキシャルウェーハを得ることが可能なシリコン系基板上にエピタキシャル層を有するエピタキシャルウェーハの製造方法を提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106068547US20160365239DE112015000728KR1020160127748