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1. (WO2015133024) 電力用半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133024 国際出願番号: PCT/JP2014/081687
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 01.12.2014
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 23/00 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/48 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H02M 7/48 (2007.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
48
動作中の固体本体からまたは固体本体へ電流を導く装置,例.リードまたは端子装置
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
02
電力の発電,変換,配電
M
交流-交流,交流-直流または直流-直流変換装置,および主要な,または類似の電力供給システムと共に使用するための装置:直流または交流入力-サージ出力変換;そのための制御または調整
7
交流入力一直流出力変換;直流入力―交流出力変換
42
直流入力―交流出力変換であって非可逆的なもの
44
静止型変換器によるもの
48
制御電極をもつ放電管または制御電極をもつ半導体装置を用いるもの
出願人:
三菱電機株式会社 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号 7-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310, JP
発明者:
神蔵 護 KAMIKURA Mamoru; JP
▲高▼橋 慶多 TAKAHASHI Keita; JP
春名 延是 HARUNA Nobuyuki; JP
代理人:
大岩 増雄 OIWA Masuo; JP
優先権情報:
2014-04341706.03.2014JP
発明の名称: (EN) POWER SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
(JA) 電力用半導体装置
要約:
(EN) This power semiconductor device is provided with: a first electrode-side semiconductor element having a first electrode-side main electrode connected to a first electrode-side surface electrode of an insulating substrate; a second electrode-side semiconductor element having a first electrode-side main electrode connected to an intermediate-side surface electrode of the insulating substrate; an intermediate-side conductor that connects together the intermediate-side surface electrode and the second electrode-side main electrode of the first electrode-side semiconductor element; a heat sink bonded to the insulating substrate; a sealing resin that seals the first electrode-side semiconductor element, the second electrode-side semiconductor element, the insulating substrate, and the intermediate-side conductor; and a board-like second electrode-side terminal, which is connected to a second electrode-side main electrode of the second electrode-side semiconductor element, and which extends toward the outside of the sealing resin. The power semiconductor device is also provided with an adjustment electrode, which is connected to the heat sink, and is disposed such that the adjustment electrode has a surface facing the second electrode-side terminal.
(FR) La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur de puissance comprenant : un élément à semi-conducteur côté première électrode ayant une électrode principale côté première électrode connectée à une électrode de surface côté première électrode d'un substrat isolant ; un élément à semi-conducteur côté seconde électrode ayant une électrode principale côté première électrode connectée à une électrode de surface côté intermédiaire du substrat isolant ; un conducteur côté intermédiaire qui connecte ensemble l'électrode de surface côté intermédiaire et l'électrode principale côté seconde électrode de l'élément à semi-conducteur côté première électrode ; un dissipateur de chaleur relié au substrat isolant ; une résine d'étanchéité qui étanchéifie l'élément à semi-conducteur côté première électrode, l'élément à semi-conducteur côté seconde électrode, le substrat isolant et le conducteur côté intermédiaire ; et une borne côté seconde électrode en forme de carte, qui est connectée à une électrode principale côté seconde électrode de l'élément à semi-conducteur côté seconde électrode et qui s'étend en direction de l'extérieur de la résine d'étanchéité. Le dispositif semi-conducteur de puissance comprend également une électrode d'ajustement, qui est connectée au dissipateur de chaleur et qui est disposée de telle sorte que l'électrode d'ajustement présente une surface faisant face à la borne côté seconde électrode.
(JA)  絶縁基板の第一極側表面電極に第一極側の主極が接合された第一極側半導体素子と、絶縁基板の中間側表面電極に第一極側の主極が接合された第二極側半導体素子と、中間側表面電極と第一極側半導体素子の第二極側の主極を接続する中間側導体と、絶縁基板に接合されたヒートシンクと、第一極側半導体素子、第二極側半導体素子、絶縁基板、および中間側導体を封止する封止樹脂と、第二極側半導体素子の第二極側の主極に接続され封止樹脂の外側に伸びる板状の第二極側端子を備えた電力用半導体装置において、ヒートシンクに接続され、第二極側端子と対向する面を有するように設置された調整用電極を設けた。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN105934824US20160336268EP3116023JPWO2015133024JP6169250