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1. (WO2015133000) 深紫外LED及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/133000 国際出願番号: PCT/JP2014/078308
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 24.10.2014
IPC:
H01L 33/10 (2010.01) ,H01L 33/32 (2010.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
10
反射構造を有するもの,例.半導体ブラッグ反射鏡
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
26
発光領域の材料
30
III族およびV族元素のみを有するもの
32
窒素を含むもの
出願人:
丸文株式会社 MARUBUN CORPORATION [JP/JP]; 東京都中央区日本橋大伝馬町八番一号 8-1, Nihonbashi Odenmacho, Chuo-ku, Tokyo 1038577, JP
東芝機械株式会社 TOSHIBA KIKAI KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 東京都千代田区内幸町2丁目2番2号 2-2, Uchisaiwaicho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008503, JP
独立行政法人理化学研究所 RIKEN [JP/JP]; 埼玉県和光市広沢2番1号 2-1, Hirosawa, Wako-shi, Saitama 3510198, JP
株式会社アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
東京応化工業株式会社 TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 神奈川県川崎市中原区中丸子150番地 150, Nakamaruko, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012, JP
発明者:
鹿嶋 行雄 KASHIMA Yukio; JP
松浦 恵里子 MATSUURA Eriko; JP
小久保 光典 KOKUBO Mitsunori; JP
田代 貴晴 TASHIRO Takaharu; JP
大川 貴史 OOKAWA Takafumi; JP
平山 秀樹 HIRAYAMA Hideki; JP
上村 隆一郎 KAMIMURA Ryuichiro; JP
長田 大和 OSADA Yamato; JP
嶋谷 聡 SHIMATANI Satoshi; JP
代理人:
平木 祐輔 HIRAKI Yusuke; JP
優先権情報:
2014-04338806.03.2014JP
発明の名称: (EN) DEEP ULTRAVIOLET LED AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DEL À ULTRAVIOLETS LOINTAINS ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 深紫外LED及びその製造方法
要約:
(EN) A deep ultraviolet LED having a design wavelength of λ, which is characterized by sequentially comprising a reflective electrode layer, a metal layer, a p-type GaN contact layer and a p-type AlGaN layer that is transparent to the wavelength λ in this order from the opposite side of the substrate. This deep ultraviolet LED is also characterized by having a photonic crystal periodic structure that penetrates at least the p-type GaN contact layer and the p-type AlGaN layer, said photonic crystal periodic structure having a photonic band gap.
(FR) L'invention concerne une DEL à ultraviolets lointains dont la longueur d'onde de conception est λ, laquelle est caractérisée en ce qu'elle comprend séquentiellement une couche d'électrode réfléchissante, une couche de métal, une couche de contact de GaN de type p et une couche d'AlGaN de type p qui est transparente à la longueur d'onde λ dans cet ordre depuis le côté opposé du substrat. Cette DEL à ultraviolets lointains est également caractérisée en ce qu'elle comporte une structure périodique de cristal photonique qui pénètre a moins dans la couche de contact de GaN de type p et dans la couche d'AlGaN de type p, ladite structure périodique de cristal photonique présentant une bande interdite photonique.
(JA)  設計波長をλとする深紫外LEDであって、反射電極層と、金属層と、p型GaNコンタクト層と、波長λに対し透明な、p型AlGaN層とを、基板とは反対側からこの順で有し、少なくとも前記p型GaNコンタクト層と前記p型AlGaN層とを貫通してなるフォトニック結晶周期構造を有し、かつ、前記フォトニック結晶周期構造は、フォトニックバンドギャップを有することを特徴とする深紫外LED。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020150114457EP2942818US20160133785CN105934833JPWO2015133000