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1. (WO2015132847) IGBT,パワーモジュール,パワーモジュールの製造方法,および電力変換装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/132847 国際出願番号: PCT/JP2014/055219
国際公開日: 11.09.2015 国際出願日: 03.03.2014
IPC:
H01L 25/07 (2006.01) ,H01L 25/18 (2006.01) ,H01L 29/12 (2006.01) ,H01L 29/739 (2006.01) ,H01L 29/78 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
03
すべての装置がグループ27/00~51/00の同じサブグループに分類される型からなるもの,例.整流ダイオードの組立体
04
個別の容器を持たない装置
07
装置がグループ29/00に分類された型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
25
複数の個々の半導体または他の固体装置からなる組立体
18
装置がグループ27/00~51/00の同じメイングループの2つ以上の異なるサブグループに分類される型からなるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
02
半導体本体
12
構成材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
70
バイポーラ装置
72
トランジスタ型装置,すなわち,供給される制御信号に連続的に応答できるもの
739
電界効果により制御されるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
出願人:
株式会社日立製作所 HITACHI, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内一丁目6番6号 6-6, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008280, JP
発明者:
豊田 善章 TOYOTA, Yoshiaki; JP
坂野 順一 SAKANO, Junichi; JP
代理人:
井上 学 INOUE, Manabu; 東京都千代田区丸の内一丁目6番1号 株式会社日立製作所内 c/o HITACHI, LTD., 6-1, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008220, JP
優先権情報:
発明の名称: (EN) IGBT, POWER MODULE, POWER MODULE MANUFACTURING METHOD, AND POWER CONVERSION APPARATUS
(FR) IGBT, MODULE DE PUISSANCE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MODULE DE PUISSANCE ET APPAREIL DE CONVERSION DE PUISSANCE
(JA) IGBT,パワーモジュール,パワーモジュールの製造方法,および電力変換装置
要約:
(EN) There are two chances of detecting scratches on a rear surface of an IGBT chip, said chances being a time after the IGBT is completed, and a time after the IGBT chip is mounted on a circuit board. Even if inspection is performed after the IGBT chip is completed, since there are possibilities of generating scratches on the rear surface during a period from a time after the chip is inspected to a time when the chip is mounted on the circuit board, it is desirable to perform inspection also after the chip is mounted on the circuit board. The present invention detects a failure of an IGBT after the IGBT is mounted on the circuit board, and is capable of improving a power module assembly yield by providing the IGBT with a structure for electrically connecting a drift layer to the outside in a state wherein the gate is turned off.
(FR) Il y a deux occasions pour détecter des rayures sur une surface arrière d'une puce d'IGBT, lesdites occasions étant un moment après que l'IGBT est achevé, et un moment après que la puce d'IGBT est montée sur une carte de circuits imprimés. Même si l'inspection est effectuée après que la puce d'IGBT est achevée, puisqu'il existe des possibilités de générer des rayures sur la surface arrière au cours d'une période d'un moment après que la puce est inspectée à un moment quand la puce est montée sur la carte de circuits imprimés, il est souhaitable de réaliser une inspection également après que la puce est montée sur la carte de circuits imprimés. La présente invention détecte une défaillance d'un IGBT après que l'IGBT est monté sur la carte de circuits imprimés, et est apte à améliorer un rendement d'assemblage de module de puissance en fournissant à l'IGBT une structure pour connecter électriquement une couche de dérive à l'extérieur dans un état où la grille est mise hors tension.
(JA)  IGBTチップの裏面のキズを検出する機会としては,IGBTチップが完成した後と,IGBTチップを回路基板に実装した後の2つがある。IGBTチップが完成した後に検査をしても,チップ検査後から回路基板に実装するまでの間に裏面のキズが発生することもあるため,回路基板への実装後も検査を行うことが望ましい。 本発明では,ゲートがオフの状態でドリフト層を外部と電気的に接続する構造をIGBTに設けることで,回路基板への実装後にIGBTの不良を検出し,パワーモジュール組立歩留りを向上させることができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)