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1. (WO2015129876) 炭化珪素の結晶のインゴット、炭化珪素のウェハ、炭化珪素の結晶のインゴットおよび炭化珪素のウェハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129876 国際出願番号: PCT/JP2015/055910
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 27.02.2015
IPC:
C30B 29/36 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
出願人:
京セラ株式会社 KYOCERA CORPORATION [JP/JP]; 京都府京都市伏見区竹田鳥羽殿町6番地 6, Takeda Tobadono-cho, Fushimi-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6128501, JP
発明者:
堂本 千秋 DOMOTO, Chiaki; JP
正木 克明 MASAKI, Katsuaki; JP
柴田 和也 SHIBATA, Kazuya; JP
山口 恵彦 YAMAGUCHI, Shigehiko; JP
上山 大輔 UEYAMA, Daisuke; JP
優先権情報:
2014-03650927.02.2014JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE CRYSTAL INGOT, SILICON CARBIDE WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE CRYSTAL INGOT AND SILICON CARBIDE WAFER
(FR) LINGOT CRISTALLIN DE CARBURE DE SILICIUM, TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LINGOT CRISTALLIN DE CARBURE DE SILICIUM ET DE TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素の結晶のインゴット、炭化珪素のウェハ、炭化珪素の結晶のインゴットおよび炭化珪素のウェハの製造方法
要約:
(EN)  The silicon carbide crystal ingot (1) pertaining to an embodiment of the present invention is provided with a plurality of first crystal layers (3) and a plurality of second crystal layers (4) arranged in alternating fashion and each including donors or acceptors, respectively, and the concentration of donors or acceptors in each second crystal layer (4) is higher than the concentration of donors or acceptors in the first crystal layer (3) above or below and adjacent thereto.
(FR)  Un mode de réalisation de la présente invention concerne un lingot cristallin de carbure de silicium (1) pourvu d'une pluralité de premières couches de cristaux (3) et d'une pluralité de secondes couches de cristaux (4), agencées en alternance et comprenant chacune des donneurs ou des accepteurs, respectivement, la concentration de donneurs ou d'accepteurs dans chaque seconde couche de cristaux (4) étant supérieure à la concentration de donneurs ou d'accepteurs dans la première couche de cristaux (3) située au-dessus ou au-dessous et en position adjacente.
(JA)  本発明の一実施形態に係る炭化珪素の結晶のインゴット1は、それぞれドナーまたはアクセプタを含んでおり、かつ交互に配置された複数の第1結晶層3および複数の第2結晶層4を備え、第2結晶層4におけるドナーまたはアクセプタの濃度は、上または下に接している第1結晶層3におけるドナーまたはアクセプタの濃度よりも高い。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN105940149EP3135798JPWO2015129876US20170170279JP2017109923JP6082111