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1. (WO2015129867) エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129867 国際出願番号: PCT/JP2015/055893
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 27.02.2015
IPC:
C30B 29/36 (2006.01) ,C30B 25/02 (2006.01)
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
29
材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質
10
無機化合物または組成物
36
炭化物
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
出願人:
新日鐵住金株式会社 NIPPON STEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目6番1号 6-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008071, JP
発明者:
藍郷 崇 AIGO, Takashi; JP
伊藤 渉 ITO, Wataru; JP
藤本 辰雄 FUJIMOTO, Tatsuo; JP
代理人:
青木 篤 AOKI, Atsushi; JP
優先権情報:
2014-03849828.02.2014JP
発明の名称: (EN) EPITAXIAL SILICON CARBIDE WAFER MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCEDE DE FABRICATION EPITAXIALE DE TRANCHES DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法
要約:
(EN) The present invention provides a manufacturing method by which it is possible to obtain, when manufacturing an epitaxial SiC wafer by epitaxial growth of SiC on an SiC substrate, an epitaxial SiC wafer having a high-quality epitaxial film with even less comets and lamination defects than in the past. This epitaxial silicon carbide wafer manufacturing method is characterized in that the pre-growth atmosphere gas that flows into a growth furnace prior to the start of epitaxial growth contains hydrogen gas, with the remainder being an inactive gas and unavoidable impurities, and the hydrogen gas content is 0.1-10.0 vol% with respect to the inactive gas.
(FR) La présente invention concerne un procédé de fabrication qui, lors de la fabrication d'une tranche épitaxiale de SiC par croissance épitaxiale de SiC sur un substrat de SiC, permet d'obtenir une tranche épitaxiale de SiC présentant un film épitaxial de qualité élevée, et de réduire davantage les défauts de stratification et les défauts du type comète par rapport aux techniques classiques. Le procédé de fabrication épitaxiale de tranche de carbure de silicium est caractérisé en ce que le gaz d'atmosphère de précroissance s'écoulant dans un four de croissance avant le début de la croissance épitaxiale contient de l'hydrogène gazeux, le reste étant un gaz inactif et des impuretés inévitables, et la teneur en hydrogène gazeux est de 0,1 à 10,0 % en volume par rapport au gaz inactif.
(JA) 本発明は、SiC基板上にSiCをエピタキシャル成長させてエピタキシャルSiCウエハを製造する際に、積層欠陥及びコメット欠陥を従来よりも更に低減した高品質エピタキシャル膜を有するエピタキシャルSiCウエハを得る製造方法を提供するものである。前記エピタキシャル炭化珪素ウエハの製造方法は、エピタキシャル成長の開始前に成長炉に流す成長前雰囲気ガスが、水素ガスを含有し残部が不活性ガス及び不可避的不純物であり、前記水素ガスが不活性ガスに対し0.1~10.0体積%含有することを特徴とする。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN105658847KR1020160067960US20160251775EP3112504JPWO2015129867JP6052465