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1. (WO2015129819) 有機薄膜トランジスタ及び有機電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129819 国際出願番号: PCT/JP2015/055687
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 26.02.2015
IPC:
H01L 51/30 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/368 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 51/05 (2006.01) ,H01L 51/40 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
30
材料の選択
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
368
液相成長を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
05
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用されるものであり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するコンデンサーまたは抵抗器
40
このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
出願人:
東ソー株式会社 TOSOH CORPORATION [JP/JP]; 山口県周南市開成町4560番地 4560, Kaisei-cho, Shunan-shi, Yamaguchi 7468501, JP
国立大学法人山形大学 NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION YAMAGATA UNIVERSITY [JP/JP]; 山形県山形市小白川町1丁目4-12 4-12, Kojirakawamachi 1-chome, Yamagata-shi, Yamagata 9908560, JP
発明者:
時任 静士 TOKITO, Shizuo; JP
福田 憲二郎 FUKUDA, Kenjiro; JP
羽村 敏 HAMURA, Satoshi; JP
福田 貴 FUKUDA, Takashi; JP
代理人:
泉名 謙治 SENMYO, Kenji; JP
優先権情報:
2014-03694027.02.2014JP
発明の名称: (EN) ORGANIC THIN-FILM TRANSISTOR AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE
(FR) TRANSISTOR ORGANIQUE À COUCHES MINCES ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ORGANIQUE
(JA) 有機薄膜トランジスタ及び有機電子デバイス
要約:
(EN) This invention provides an organic thin-film transistor that exhibits low property variability and high carrier mobility, a high-performance differential-amplifier circuit using said thin-film transistor, and an organic electronic device. This organic thin-film transistor, which has a gate electrode, a gate-insulating film, a source electrode, a drain electrode, and an organic semiconductor film, is characterized in that the organic semiconductor film comprises an organic semiconductor that can be represented by formula (1), the surface energy between said organic semiconductor and the material used for the gate-insulating film is less than or equal to 2.0 mJ/m2, and the organic semiconductor film is created via a printing process. (R1 through R6 each independently represent a hydrogen atom, a C1-20 alkyl group, a group that can be represented by formula (2), or the like.) (R7 represents a C3-10 cycloalkyl group or the like, and Y represents a C1-6 divalent alkyl group or the like.)
(FR) La présente invention porte sur un transistor organique à couches minces qui présente une faible variabilité de propriété et une mobilité de porteur de charge élevée, un circuit d'amplificateur différentiel à haute performance utilisant ledit transistor à couches minces, et sur un dispositif électronique organique. Ce transistor organique à couches minces, qui comprend une électrode grille, un film d'isolation de grille, une électrode source, une électrode déversoir et un film semi-conducteur organique, est caractérisé en ce que le film semi-conducteur organique comprend un semi-conducteur organique qui peut être représenté par la formule (1), l'énergie de surface entre ledit semi-conducteur organique et le matériau utilisé pour le film d'isolation de grille étant inférieure ou égale à 2,0 mJ/m2 et le film semi-conducteur organique étant créé par l'intermédiaire d'un procédé d'impression. (1) (R1 à R6 représentent chacun indépendamment un atome d'hydrogène, un groupe alkyle en C1 - 20, un groupe qui peut être représenté par la formule (2), ou analogue). (2) (R7 représente un groupe cycloalkyle en C3 - 10 ou analogue et Y représente un groupe alkyle divalent en C1 - 6 ou analogue).
(JA)  特性のばらつきが小さくキャリア移動度の高い有機薄膜トランジスタ、これを用いた高性能の差動増幅回路、及び有機電子デバイスを提供する。 ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタであり、該有機半導体膜が式(1)で表される有機半導体を含み、前記ゲート絶縁膜に用いられる材料と前記有機半導体との間の界面エネルギーが2.0mJ/m以下であり、かつ前記有機半導体膜が印刷プロセスで製膜して得られることを特徴とする。 (R~Rは、独立して、水素原子、炭素数1~20のアルキル基、又は式(2)で表される基等を示す) (Rは、炭素数3~10のシクロアルキル基等、Yは炭素数1~6の2価アルキル基等を示す。)で表される基を示す。]
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)