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1. (WO2015129799) 配線パターンの製造方法およびトランジスタの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129799 国際出願番号: PCT/JP2015/055589
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 26.02.2015
IPC:
C23C 18/18 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
18
液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
16
還元または置換によるもの,例.無電解メッキ
18
被覆される材料の前処理
出願人:
株式会社ニコン NIKON CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区港南二丁目15番3号 15-3, Konan 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1086290, JP
発明者:
小泉 翔平 KOIZUMI Shohei; JP
杉▲崎▼ 敬 SUGIZAKI Takashi; JP
川上 雄介 KAWAKAMI Yusuke; JP
代理人:
志賀 正武 SHIGA Masatake; JP
優先権情報:
2014-03787428.02.2014JP
発明の名称: (EN) WIRING PATTERN PRODUCTION METHOD AND TRANSISTOR PRODUCTION METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MOTIF DE CÂBLAGE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANSISTOR
(JA) 配線パターンの製造方法およびトランジスタの製造方法
要約:
(EN) This wiring pattern production method comprises: forming, on a substrate (2), a precursor film (3x) for a plating underlayer that includes a first forming material having amine groups protected by photoreactive protecting groups; forming a photoresist layer (4A) comprising a photoresist material, on the surface of the precursor film; exposing the photoresist layer with a desired pattern of light; exposing the precursor film with a desired pattern of light, to form the plating underlayer (3); developing the exposed photoresist layer, and eliminating the deprotected protecting groups; and depositing an electroless plating catalyst (5) on the exposed surface of the plating underlayer.
(FR) L'invention concerne un procédé de production de motif de câblage, ledit procédé consistant à : former, sur un substrat (2), un film précurseur (3x) pour une sous-couche de placage qui comprend un premier matériau de formage ayant des groupes amine protégés par des groupes de protection photoréactifs ; former une couche de résine photosensible (4A) comprenant un matériau de résine photosensible, sur la surface du film précurseur ; exposer la couche de résine photosensible à un motif de lumière souhaité ; exposer le film précurseur à un motif de lumière souhaité afin de former la sous-couche de placage (3) ; développer la couche de résine photosensible exposée, et éliminer les groupes de protection déprotégés ; et déposer un catalyseur de placage anélectrolytique (5) sur la surface exposée de la sous-couche de placage.
(JA) 配線パターンの製造方法は、基板(2)上に、光反応性の保護基で保護されたアミノ基を有する第1の形成材料を含むめっき下地膜の前駆体膜(3x)を形成することと、前記前駆体膜の表面にフォトレジスト材料からなるフォトレジスト層(4A)を形成することと、前記フォトレジスト層を所望のパターン光で露光することと、前記前駆体膜を所望のパターン光で露光し、前記めっき下地膜(3)を形成することと、露光された前記フォトレジスト層を現像するとともに、脱保護した保護基を除去することと、露出した前記めっき下地膜の表面に無電解めっき用触媒(5)を析出させることと、を有する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN105980600US20160359115JPWO2015129799