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1. (WO2015129781) 金属ナノワイヤー形成用組成物、金属ナノワイヤー及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129781 国際出願番号: PCT/JP2015/055514
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 26.02.2015
予備審査請求日: 16.11.2015
IPC:
B22F 9/24 (2006.01) ,B22F 1/00 (2006.01) ,C22C 9/06 (2006.01) ,H01B 5/00 (2006.01) ,H01B 13/00 (2006.01) ,H01L 21/288 (2006.01)
B 処理操作;運輸
22
鋳造;粉末冶金
F
金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
9
金属質粉またはその懸濁液の製造;それに特に適する装置または機械
16
化学的プロセスを用いるもの
18
金属化合物の還元を伴うもの
24
液体金属化合物からはじまるもの,例.溶液
B 処理操作;運輸
22
鋳造;粉末冶金
F
金属質粉の加工;金属質粉からの物品の製造;金属質粉の製造;金属質粉に特に適する装置または機械
1
金属質粉の特殊処理,例.加工を促進するためのもの,特性を改善するためのもの;金属粉それ自体,例.異なる組成の小片の混合
C 化学;冶金
22
冶金;鉄または非鉄合金;合金の処理または非鉄金属の処理
C
合金
9
銅基合金
06
次に多い成分としてニッケルまたはコバルトを含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
5
形を特徴とする非絶縁導体または導電物体
H 電気
01
基本的電気素子
B
ケーブル;導体;絶縁体;導電性,絶縁性または誘導性特性に対する材料の選択
13
導体またはケーブルを製造するために特に使用する装置または方法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
28
21/20~21/268に分類されない方法または装置を用いる半導体本体上への電極の製造
283
電極用の導電または絶縁材料の析出
288
液体からの析出,例.電解液からの析出
出願人:
新日鉄住金化学株式会社 NIPPON STEEL & SUMIKIN CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区外神田四丁目14番1号 14-1, Soto Kanda 4-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1010021, JP
発明者:
井上 修治 INOUE Shuji; JP
山本 義成 YAMAMOTO Yoshinari; JP
代理人:
渡邊 和浩 WATANABE Kazuhiro; JP
優先権情報:
2014-03681927.02.2014JP
発明の名称: (EN) METAL NANOWIRE-FORMING COMPOSITION, METAL NANOWIRE, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) COMPOSITION DE FORMATION DE NANOFILS MÉTALLIQUES, NANOFIL MÉTALLIQUE, ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION ASSOCIÉ
(JA) 金属ナノワイヤー形成用組成物、金属ナノワイヤー及びその製造方法
要約:
(EN) In the present invention, a method for producing a metal nanowire is provided with I) a step of obtaining a mixed metal precursor liquid by dissolving, in a primary amine, a carboxylic acid salt that contains a first metal having a standard electrode potential of -0.5 V to +0.4 V and a metal halide that contains a second metal, which has a higher standard electrode potential than the first metal and has a standard electrode potential of +0.3 V to +1.0 V and, following step I), II) a step of growing a metal nanowire by heating the mixed metal precursor liquid so as to reduce ions of the first metal and precipitate the first metal, and subjecting the precipitated first metal and ions of the second metal to a metal substitution reaction so as to reduce ions of the second metal and precipitate the second metal.
(FR) La présente invention concerne un procédé de production d'un nanofil métallique, le procédé comprenant : I) une étape consistant à obtenir un liquide de précurseur métallique mixte par dissolution, dans une amine primaire, d'un sel d'acide carboxylique qui contient un premier métal ayant un potentiel d'électrode standard compris entre -0,5 V et +0,4 V et d'un halogénure - métallique qui contient un second métal, qui présente un potentiel d'électrode standard supérieur à celui du premier métal et présente un potentiel d'électrode standard compris entre +0,3 V et +1,0 V et, après l'étape I), II) une étape consistant à faire croître un nanofil métallique en chauffant le liquide de précurseur de métal mixte de sorte à réduire les ions du premier métal et de précipiter le premier métal, et en soumettant le premier métal précipité et des ions du second métal à une réaction de substitution métallique de sorte à réduire les ions du second métal et de précipiter le second métal.
(JA)  金属ナノワイヤーの製造方法は、I)標準電極電位が-0.5Vから+0.4Vの範囲内である第1金属を含むカルボン酸塩と、第1金属の標準電極電位よりも高く、且つ標準電極電位が+0.3Vから+1.0Vの範囲内である第2金属を含む金属ハロゲン化物とを1級アミンに溶解して、金属前駆体の混合液を得る工程、及び、II)工程Iの後に、該金属前駆体の混合液を加熱して、第1金属のイオンを還元し、第1金属を析出させるとともに、析出した第1金属と第2金属のイオンとの金属置換反応によって、第2金属のイオンを還元して、第2金属を析出させて金属ナノワイヤーに成長させる工程、を備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)