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1. (WO2015129765) Si基板の平坦化加工方法及びその装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129765 国際出願番号: PCT/JP2015/055469
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 25.02.2015
IPC:
H01L 21/306 (2006.01) ,B01J 23/26 (2006.01) ,B01J 23/42 (2006.01) ,B01J 23/72 (2006.01) ,B01J 23/755 (2006.01) ,B01J 23/883 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
B 処理操作;運輸
01
物理的または化学的方法または装置一般
J
化学的または物理的方法,例.触媒,コロイド化学;それらの関連装置
23
グループ21/00に分類されない,金属または金属酸化物または水酸化物からなる触媒
16
ひ素,アンチモン,ビスマス,バナジウム,ニオブ,タンタル,ポロニウム,クロム,モリブデン,タングステン,マンガン,テクネチウムまたはレニウムに関するもの
24
クロム,モリブデンまたはタングステン
26
クロム
B 処理操作;運輸
01
物理的または化学的方法または装置一般
J
化学的または物理的方法,例.触媒,コロイド化学;それらの関連装置
23
グループ21/00に分類されない,金属または金属酸化物または水酸化物からなる触媒
38
貴金属に関するもの
40
白金族金属に関するもの
42
白金
B 処理操作;運輸
01
物理的または化学的方法または装置一般
J
化学的または物理的方法,例.触媒,コロイド化学;それらの関連装置
23
グループ21/00に分類されない,金属または金属酸化物または水酸化物からなる触媒
70
鉄族金属または銅に関するもの
72
B 処理操作;運輸
01
物理的または化学的方法または装置一般
J
化学的または物理的方法,例.触媒,コロイド化学;それらの関連装置
23
グループ21/00に分類されない,金属または金属酸化物または水酸化物からなる触媒
70
鉄族金属または銅に関するもの
74
鉄族金属
755
ニッケル
B 処理操作;運輸
01
物理的または化学的方法または装置一般
J
化学的または物理的方法,例.触媒,コロイド化学;それらの関連装置
23
グループ21/00に分類されない,金属または金属酸化物または水酸化物からなる触媒
70
鉄族金属または銅に関するもの
76
グループ23/02から23/36までに分類される金属,酸化物または水酸化物と結合したもの
84
ひ素,アンチモン,ビスマス,バナジウム,ニオブ,タンタル,ポロニウム,クロム,モリブデン,タングステン,マンガン,テクネチウムまたはレニウムと結合したもの
85
クロム,モリブデンまたはタングステン
88
モリブデン
883
およびニッケル
出願人:
国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 大阪府吹田市山田丘1番1号 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP
東邦エンジニアリング株式会社 TOHO ENGINEERING CO., LTD. [JP/JP]; 三重県四日市市山分町字川之下443 443 Aza Kawanoshita, Yamake-cho, Yokkaichi-shi, Mie 5128041, JP
発明者:
山内 和人 YAMAUCHI Kazuto; JP
礒橋 藍 ISOHASHI Ai; JP
佐野 泰久 SANO Yasuhisa; JP
鈴木 辰俊 SUZUKI Tatsutoshi; JP
鈴木 大介 SUZUKI Daisuke; JP
代理人:
柳野 隆生 YANAGINO Takao; JP
優先権情報:
2014-03730727.02.2014JP
発明の名称: (EN) SILICON-SUBSTRATE PLANARIZATION METHOD AND DEVICE USED THEREIN
(FR) PROCÉDÉ DE PLANARISATION DE SUBSTRAT DE SILICIUM ET DISPOSITIF UTILISÉ DANS CE DERNIER
(JA) Si基板の平坦化加工方法及びその装置
要約:
(EN) [Problem] To provide a silicon-substrate planarization method, and a device used therein, that uses no rare earths or other polishing agents or abrasives, uses no difficult-to-handle, environmentally-unfriendly solutions such as hydrogen fluoride, is compatible with clean rooms, and with a processing speed that rivals CMP, yields a surface that is higher in grade than CMP-finished surfaces. [Solution] A catalytic material that facilitates both oxidation of silicon and hydrolysis of silicon-oxide films is used as a base processing surface, and in the presence of water, a silicon substrate and said base processing surface are made to contact each other with a prescribed pressure and are moved relative to each other. The catalytic functionality inherent in the base processing surface promotes oxidation of the surface of the silicon and the removal of degradation products due to preferential hydrolysis of asperities on the resulting oxide film. The surface of the silicon substrate is thus planarized to a surface roughness of RMS 0.2 nm or less at a processing speed of 10 nm/h to 10 µm/h without the use of polishing agents or abrasives.
(FR) Le problème décrit par l'invention est de fournir un procédé de planarisation de substrat de silicium, et un dispositif utilisé dans ce dernier, qui n'utilise pas de terres rares ou d'autres agents de polissage ou abrasifs, n'utilise pas de solutions non écologiques difficiles à traiter telles que le fluorure d'hydrogène, est compatible avec des salles blanches, et avec une vitesse de traitement qui rivalise avec un traitement CMP, produit une surface qui est plus élevée en niveau que des surfaces finies par CMP. La solution selon l'invention porte sur un matériau catalytique qui facilite à la fois l'oxydation de silicium et l'hydrolyse de films d'oxyde de silicium est utilisé en tant que surface de traitement de base, et en présence d'eau, un substrat de silicium et ladite surface de traitement de base sont mises en contact l'un avec l'autre avec une pression prescrite et sont déplacés l'un par rapport à l'autre. La fonctionnalité catalytique inhérente à la surface de traitement de base favorise l'oxydation de la surface du silicium et le retrait de produits de dégradation en raison de l'hydrolyse préférentielle d'aspérités sur le film d'oxyde résultant. La surface du substrat de silicium est ainsi planarisée à une rugosité de surface de 0,2 nm RMS ou moins à une vitesse de traitement de 10 nm/h à 10 µm/h sans l'utilisation d'agents de polissage ou d'abrasifs.
(JA) 【課題】 レアアースを始め、研磨剤や砥粒を一切使用せず、またフッ化水素等の取り扱いが難しく、環境負荷の大きな溶液を一切使用せず、クリーンルームとの相性が良く、Si基板をCMPに匹敵する加工速度で、しかもCMP仕上げ面よりも高品位の表面が得られるSi基板の平坦化加工方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 Siの酸化とSi酸化膜の加水分解の双方を促進する触媒物質を加工基準面として用い、水の存在下でSi基板と加工基準面とを所定圧力で接触させるとともに、Si基板と加工基準面とを相対運動させて、加工基準面に備わった触媒機能によってSi表面の酸化と酸化膜の凸部からの優先的な加水分解による分解生成物の除去を進行させ、Si基板の表面を砥粒や研磨剤を用いずに、加工速度が10nm/h~10μm/hで、表面粗さがRMS0.2nm以下の精度に平坦化加工する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)