16:00 CETの火曜日 19.11.2019のメンテナンス理由で数時間使用できません
国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015129751) レーザーアブレーション用硬化膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129751 国際出願番号: PCT/JP2015/055401
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 25.02.2015
IPC:
C08G 73/10 (2006.01) ,G03F 7/20 (2006.01)
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
G
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応以外の反応によって得られる高分子化合物
73
グループ12/00~71/00に属さない,高分子の主鎖に酸素または炭素を有しまたは有せずに窒素を含む連結基を形成する反応により得られる高分子化合物
06
高分子の主鎖に窒素含有複素環を有する重縮合物;ポリヒドラジド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
10
ポリイミド;ポリエステル―イミド;ポリアミド―イミド;ポリアミド酸または類似のポリイミド前駆物質
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
20
露光;そのための装置
出願人:
JNC株式会社 JNC CORPORATION [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008105, JP
発明者:
南澤 尚伸 MINAMISAWA, Hisanobu; JP
代理人:
特許業務法人SSINPAT SSINPAT PATENT FIRM; 東京都品川区西五反田七丁目13番6号 五反田山崎ビル6階 Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
優先権情報:
2014-03517026.02.2014JP
発明の名称: (EN) CURED FILM FOR LASER ABLATION
(FR) FILM DURCI POUR ABLATION LASER
(JA) レーザーアブレーション用硬化膜
要約:
(EN)  Provided is a high-sensitivity cured film that can be easily processed by laser ablation, during cured film patterning processes that are required for printed circuit boards, semiconductor package substrates, and the like. This cured film is formed of a composition including at least one compound (A) selected from the group consisting of hydrophobic amide derivatives (A1) obtained by reacting an acid anhydride (a1) having a partial structure represented by formula (1) and an amine (a2), and imidation products (A2) thereof, and is capable of being laser ablated with laser light of 150-400 nm wavelengths.
(FR)  L'invention concerne un film durci haute sensibilité pouvant facilement être traité par ablation laser, pendant des processus de formation de motifs sur le film durci qui sont nécessaires pour des cartes de circuits imprimés, des substrats de boîtiers de semi-conducteurs et analogues. Le film durci est formé d'une composition comprenant au moins un composé (A) sélectionné dans le groupe constitué par des dérivés d'amide hydrophobes (A1) obtenus par réaction d'un anhydride d'acide (a1) présentant une structure partielle représentée par la formule (1) et d'une amine (a2) ; et des produits d'imidation (A2). Le film durci peut être produit par ablation laser au moyen d'une lumière laser de longueurs d'onde de 150 à 400 nm .
(JA)  プリント配線板や半導体パッケージ基板などで必要とされる硬化膜のパターン形成において、レーザーアブレーション法により容易に加工ができる高感度な硬化膜を提供することを課題とする。本発明の硬化膜は、式(1)で表される部分構造を有する酸無水物(a1)とアミン(a2)とを反応させて得られる疎水性アミド誘導体(A1)及びそのイミド化物(A2)からなる群より選ばれる少なくとも一種の化合物(A)を含む組成物から形成され、波長150~400nmのレーザー光でレーザーアブレーション可能である。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)