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1. (WO2015129719) プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、プラズマ処理方法、およびプラズマ処理装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129719 国際出願番号: PCT/JP2015/055330
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 25.02.2015
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01) ,H01L 21/683 (2006.01) ,H05H 1/46 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
3065
プラズマエッチング;反応性イオンエッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
67
製造または処理中の半導体または電気的固体装置の取扱いに特に適用される装置;半導体または電気的固体装置もしくは構成部品の製造または処理中のウエハの取扱いに特に適用される装置
683
支持または把持のためのもの
H 電気
05
他に分類されない電気技術
H
プラズマ技術;加速された荷電粒子のまたは中性子の発生;中性分子または原子ビームの発生または加速
1
プラズマの生成;プラズマの取扱い
24
プラズマの発生
46
電磁界を用いるもの,例.高周波またはマイクロ波エネルギー
出願人:
株式会社 アルバック ULVAC, INC. [JP/JP]; 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地 2500, Hagisono, Chigasaki-shi, Kanagawa 2538543, JP
発明者:
森口 尚樹 MORIGUCHI, Naoki; JP
代理人:
恩田 誠 ONDA, Makoto; JP
優先権情報:
2014-03904928.02.2014JP
発明の名称: (EN) PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA ETCHING METHOD, PLASMA PROCESSING METHOD, AND PLASMA PROCESSING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE PAR PLASMA, PROCÉDÉ DE GRAVURE PAR PLASMA, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA, ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT AU PLASMA
(JA) プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、プラズマ処理方法、およびプラズマ処理装置
要約:
(EN) The present invention includes a first step for stopping the generation of a first plasma (PL1) that is a plasma of a noble gas after a substrate (S) is chucked by suction to a monopole static chuck (15) in the first plasma, and a second step for stopping the generation of a second plasma (PL2) that is a halogen-based etching gas after the substrate (S) is etched in the second plasma. The generation of the first plasma (PL1) in the first step is stopped in a state in which a positive voltage is applied from the monopole static chuck (15) to the substrate (S), and the generation of the second plasma (PL2) in the second step is stopped in a state in which a negative voltage is applied from the monopole static chuck (15) to the substrate (S).
(FR) La présente invention comprend une première étape permettant d'arrêter la génération d'un premier plasma (PL1) qui est un plasma d'un gaz noble après qu'un substrat (S) a été monté en mandrin par aspiration sur un mandrin statique unipolaire (15) dans le premier plasma, et une seconde étape permettant d'arrêter la génération d'un second plasma (PL2) qui est un gaz de gravure à base d'halogène après que le substrat (S) a été gravé dans le second plasma. La génération du premier plasma (PL1) au cours de la première étape est arrêtée lorsqu'une tension positive est appliquée à partir du mandrin statique unipolaire (15) au substrat (S), et la génération du deuxième plasma (PL2) au cours de la seconde étape est arrêtée lorsqu'une tension négative est appliquée à partir du mandrin statique unipolaire (15) au substrat (S).
(JA) 希ガスのプラズマである第1プラズマ(PL1)の中で基板(S)を単極式静電チャック(15)に吸着した後に、第1プラズマの生成を停止する第1工程と、ハロゲン系のエッチングガスのプラズマである第2プラズマ(PL2)の中で基板(S)をエッチングした後に、第2プラズマの生成を停止する第2工程とを含む。そして、第1工程において、単極式静電チャック(15)から基板(S)に正電圧を印加した状態で第1プラズマ(PL1)の生成を停止し、第2工程において、単極式静電チャック(15)から基板(S)に負電圧を印加した状態で第2プラズマ(PL2)の生成を停止する。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020150107884CN105103274EP2950333JPWO2015129719US20170169997