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1. (WO2015129700) 化合物及びそれを含むフォトレジスト組成物
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129700 国際出願番号: PCT/JP2015/055265
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 24.02.2015
IPC:
C07C 43/23 (2006.01) ,C07C 69/017 (2006.01) ,C07C 69/24 (2006.01) ,G03F 7/039 (2006.01)
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
43
エーテル;「図」基,「図」基または「図」基をもつ化合物
02
エーテル
20
エーテル基の酸素原子が6員芳香環の炭素原子に結合しているもの
23
水酸基またはO―金属基を含有するもの
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
69
カルボン酸のエステル;炭酸またはハロぎ酸のエステル
017
エステル化されている水酸基が6員芳香環の炭素原子に結合しているヒドロキシ化合物のエステル
C 化学;冶金
07
有機化学
C
非環式化合物または炭素環式化合物
69
カルボン酸のエステル;炭酸またはハロぎ酸のエステル
02
カルボキシル基が非環式炭素原子または水素に結合している非環式飽和一塩基酸のエステル
22
酸部分に3個以上の炭素原子をもつもの
24
1個の水酸基を有する化合物でエステル化されているもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
039
光分解可能な高分子化合物,例.ポジ型電子レジスト
出願人:
三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内二丁目5番2号 5-2, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008324, JP
発明者:
樋田 匠 TOIDA, Takumi; JP
高須賀 大晃 TAKASUKA, Masaaki; JP
佐藤 隆 SATO, Takashi; JP
越後 雅敏 ECHIGO, Masatoshi; JP
代理人:
稲葉 良幸 INABA, Yoshiyuki; JP
優先権情報:
2014-03533926.02.2014JP
発明の名称: (EN) COMPOUND, AND PHOTORESIST COMPOSITION CONTAINING SAME
(FR) COMPOSÉ, ET COMPOSITION DE RÉSINE PHOTOSENSIBLE CONTENANT CELUI-CI
(JA) 化合物及びそれを含むフォトレジスト組成物
要約:
(EN) This compound is selected from among the group consisting of the specific compounds represented by formulae (1-1) and (1-2). By having this type of structure, this compound exhibits high heat resistance and high solubility and can reduce resist pattern roughness when used as a raw material for a resist material. This compound can be advantageously used as, for example, a base compound for a photosensitive material such as a semiconductor photoresist.
(FR) Ce composé est sélectionné dans le groupe constitué par les composés spécifiques représentés par les formules (1-1) et (1-2). En ayant ce type de structure, ce composé présente une résistance élevée à la chaleur et une solubilité élevée et peut réduire la rugosité d'un motif de réserve lorsqu'il est utilisé en tant que matière première pour un matériau de réserve. Ce composé peut être avantageusement utilisé en tant que, par exemple, composé de base pour un matériau photosensible tel qu'une résine photosensible d'un semi-conducteur.
(JA)  本発明に係る化合物は、特定の式(1-1)及び(1-2)で表される化合物からなる群より選択される。このような構造を有するため、本発明に係る化合物は、高い耐熱性及び高い溶解性を有し、レジスト材料の原料として用いた際にレジストパターンのラフネスを低減することができる。本発明に係る化合物は、半導体用フォトレジスト等の感光性材料のベース化合物などに好適に利用される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関 (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)