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1. (WO2015129675) 誘電体基材表面の金属化方法及び金属膜付き誘電体基材
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129675 国際出願番号: PCT/JP2015/055186
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 24.02.2015
IPC:
C23C 18/08 (2006.01) ,C23C 18/04 (2006.01)
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
18
液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
02
熱分解によるもの
08
金属質材料の析出に特徴のあるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
18
液状化合物または溶液のいずれかからなる被覆形成化合物の分解による化学的被覆であって表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの;接触メッキ
02
熱分解によるもの
04
被覆される材料の前処理
出願人:
国立大学法人大阪大学 OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 大阪府吹田市山田丘1番1号 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871, JP
日油株式会社 NOF CORPORATION [JP/JP]; 東京都渋谷区恵比寿4-20-3 4-20-3, Ebisu, Shibuya-ku, Tokyo 1506019, JP
発明者:
山村 和也 YAMAMURA Kazuya; JP
大久保 雄司 OHKUBO Yuji; JP
佐藤 悠 SATO Haruka; JP
疋田 真也 HIKITA Masaya; JP
代理人:
柳野 隆生 YANAGINO Takao; JP
優先権情報:
2014-03887628.02.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR METALLIZING DIELECTRIC SUBSTRATE SURFACE, AND DIELECTRIC SUBSTRATE PROVIDED WITH METAL FILM
(FR) PROCÉDÉ DE MÉTALLISATION DE SURFACE DE SUBSTRAT DIÉLECTRIQUE ET SUBSTRAT DIÉLECTRIQUE POURVU D'UN FILM MÉTALLIQUE
(JA) 誘電体基材表面の金属化方法及び金属膜付き誘電体基材
要約:
(EN) The present invention relates to a method for forming a silver thin film layer by treating a dielectric substrate surface with atmospheric-pressure plasma using rare gas to generate peroxide radicals; reacting a grafting agent to fix a functional group that forms a coordinate bond with silver ions; coating with a silver-containing composition comprising 10 to 50 mass% of a silver compound (A) of formula (1) and 50 to 90 mass% of an amine compound (B) of formula (2); and heating and curing to form the silver thin film layer. The method makes it possible to form a metal film that is suitable for a dielectric substrate, without a delay in the signal propagation speed or an increase in the power consumption, and that has high adhesion even to a surface of a fluorine resin having extremely low adhesion. (R1: hydrogen, -(CY2)a-CH3 or ((CH2)b-O-CHZ)c-CH3; R2: -(CY2)d-CH3 or -((CH2)e-O-CHZ)f-CH3. Y: hydrogen atom or -(CH2)g-CH3; Z: hydrogen atom or -(CH2)h-CH3. a: an integer 0 to 8; b: an integer 1 to 4; c: an integer 1 to 3; d: an integer 1 to 8; e: an integer 1 to 4; f: an integer 1 to 3; g: an integer 1 to 3; h: an integer 1 to 2.)
(FR) La présente invention concerne un procédé de formation d'une couche de film mince d'argent par traitement d'une surface de substrat diélectrique avec un plasma à pression atmosphérique utilisant des gaz rares pour produire des radicaux de peroxyde ; réaction d'un agent de greffage pour fixer un groupe fonctionnel qui forme une liaison de coordination avec les ions argent ; enduction par une composition contenant de l'argent comprenant 10 à 50 % en masse d'un composé de l'argent (A) de formule (1) et 50 à 90 % en masse d'un composé amine (B) de formule (2) ; et chauffage et durcissement pour former la couche de film mince d'argent. Le procédé permet de former un film métallique qui est approprié pour un substrat diélectrique, sans un retard dans la vitesse de propagation d'un signal ou une augmentation de la consommation d'énergie, et qui a une adhérence élevée même à une surface d'une résine fluorée ayant une adhérence extrêmement faible. (R1 : hydrogène, -(CY2)a-CH3 ou ((CH2)b-O-CHZ)c-CH3 ; R2 : -(CY2)d-CH3 ou -((CH2)e-O-CHZ)f-CH3. Y : atome d'hydrogène ou -(CH2)g-CH3 ; Z : atome d'hydrogène ou -(CH2)h-CH3. a : nombre entier de 0 à 8 ; b : nombre entier de 1 à 4 ; c : nombre entier de 1 à 3 ; d : nombre entier de 1 à 8 ; e : nombre entier de 1 à 4 ; p : nombre entier de 1 à 3 ; g : nombre entier de 1 à 3 ; h : nombre entier de 1 à 2.)
(JA)  誘電体基材表面に、希ガスを用いた大気圧プラズマ処理して過酸化物ラジカルを生成し、グラフト化剤を反応させて銀イオンと配位結合する官能基を固定し、式(1)の銀化合物(A)10~50質量%と式(2)のアミン化合物(B)50~90質量%とを含む銀含有組成物を塗布し、加熱、硬化して銀薄膜層を形成する方法により、信号伝播速度の遅延や消費電力の増加がなく誘電体基材として適しているが、密着性が極めて低いフッ素樹脂の表面にも、高い密着性を有する金属膜を形成できる。(R;水素、-(CY)a-CH又は-((CH)b-O-CHZ)c-CH、R;-(CY)d-CH又は-((CH)e-O-CHZ)f-CH。Y;水素原子又は-(CH)g-CH、Z;水素原子又は-(CH)h-CH。a;0~8の整数、b;1~4の整数、c;1~3の整数、d;1~8の整数、e;1~4の整数、f;1~3の整数、g;1~3の整数、h;1~2の整数。)
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20160362791EP3112499CN106460175JPWO2015129675KR1020160144963