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1. (WO2015129668) 熱輻射光源、及び該光源に用いる2次元フォトニック結晶
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129668 国際出願番号: PCT/JP2015/055161
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 24.02.2015
IPC:
H01S 5/04 (2006.01) ,H01S 5/12 (2006.01) ,H01S 5/18 (2006.01) ,H01S 5/34 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
04
励起方法またはその装置,例.ポンピング
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
12
周期構造を有する共振器,例.分布帰還型レーザ(DFBレーザ)におけるもの
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
18
表面放出型レーザ(SEL)
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
30
活性領域の構造または形状;活性領域に用いられる材料
34
量子井戸または超格子構造を含むもの,例.単一量子井戸型レーザ(SQWレーザ),多重量子井戸型レーザ(MQWレーザ),傾斜屈折率型分離閉じ込めヘテロ構造レーザ(GRINSCHレーザ)
出願人:
国立研究開発法人科学技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 埼玉県川口市本町四丁目1番8号 4-1-8, Honcho, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012, JP
発明者:
野田 進 NODA, Susumu; JP
井上 卓也 INOUE, Takuya; JP
浅野 卓 ASANO, Takashi; JP
デ ゾイサ メーナカ DE ZOYSA, Menaka; JP
代理人:
特許業務法人京都国際特許事務所 KYOTO INTERNATIONAL PATENT LAW OFFICE; 京都府京都市下京区東洞院通四条下ル元悪王子町37番地 豊元四条烏丸ビル Hougen-Sizyokarasuma Building, 37, Motoakuozi-tyo, Higasinotouin Sizyo-sagaru, Simogyo-ku, Kyoto-si, Kyoto 6008091, JP
優先権情報:
2014-03929828.02.2014JP
発明の名称: (EN) THERMAL-RADIATION LIGHT SOURCE AND TWO-DIMENSIONAL PHOTONIC CRYSTAL USED THEREIN
(FR) SOURCE LUMINEUSE À RAYONNEMENT THERMIQUE ET CRISTAL PHOTONIQUE BIDIMENSIONNEL UTILISÉ DANS LADITE SOURCE LUMINEUSE
(JA) 熱輻射光源、及び該光源に用いる2次元フォトニック結晶
要約:
(EN) This invention provides a thermal-radiation light source that allows light-intensity changes with a response speed on par with photoelectric conversion elements. Said thermal-radiation light source (10) is provided with a two-dimensional photonic crystal (12) in which an n layer (112) comprising an n-type semiconductor, a quantum-well-structure layer (114) that has a quantum-well structure, and a p layer (111) comprising a p-type semiconductor are stacked in that order to form a plate (11) inside which different-refractive-index regions (holes (121)), each of which has a refractive index that is different from those of the n layer (112), the p layer (111), and the quantum-well-structure layer (114), are laid out in a periodic manner so as to resonate with light of a specific wavelength corresponding to the transition energy between subbands in the quantum wells in the quantum-well-structure layer (114). This thermal-radiation light source (10) is also provided with a p-type electrode (131) and an n-type electrode (132) for applying, to the abovementioned plate (11), a voltage that is negative on the side corresponding to the p layer (111) and positive on the side corresponding to the n layer (112).
(FR) La présente invention concerne une source lumineuse à rayonnement thermique qui permet des changements d'intensité lumineuse avec une vitesse de réponse équivalente à celle d'éléments de conversion photoélectrique. Ladite source lumineuse à rayonnement thermique (10) est pourvue d'un cristal photonique bidimensionnels (12) dans lequel une couche n (112) qui comprend un semi-conducteur de type n, une couche à structure à puits quantiques (114) qui présente une structure à puits quantiques, et une couche p (111) qui comprend un semi-conducteur de type p sont empilées dans cet ordre pour former une plaque (11) à l'intérieur de laquelle des régions à indice de réfraction différent (trous (121) ), dont chacune possède un indice de réfraction qui est différent de ceux de la couche n (112), de la couche p (111), et de la couche à structure à puits quantiques (114), sont disposées de manière périodique afin de résonner conjointement avec de la lumière d'une longueur d'onde spécifique qui correspond à l'énergie de transition entre des sous-bandes dans les puits quantiques dans la couche à structure à puits quantiques (114). Cette source lumineuse à rayonnement thermique (10) est également pourvue d'une électrode de type p (131) et d'une électrode de type n (132) pour appliquer, sur la plaque susmentionnée (11), une tension qui est négative sur le côté qui correspond à la couche p (111) et positive sur le côté qui correspond à la couche n (112).
(JA)  本発明は、光電変換素子と同様に速い応答速度で光の強弱の切り換えを行うことができる熱輻射光源を提供する。熱輻射光源10は、n型半導体から成るn層112、量子井戸構造を有する量子井戸構造層114、及びp型半導体から成るp層111がこの順で積層された板材11内に、量子井戸構造層114における量子井戸内のサブバンド間における遷移エネルギーに対応する特定波長の光に共振するように、n層112、p層111及び量子井戸構造層114とは屈折率が異なる異屈折率領域(空孔121)が周期的に配置された2次元フォトニック結晶12と、p層111側が負、n層112側が正である電圧を板材11に印加するためのp型電極131及びn型電極132とを備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
EP3113304US20170077675CN106471687JPWO2015129668