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1. (WO2015129623) 基板処理装置および基板処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129623 国際出願番号: PCT/JP2015/055036
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 23.02.2015
IPC:
H01L 21/306 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01) ,H01L 21/304 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
304
機械的処理,例.研摩,ポリシング,切断
出願人:
株式会社SCREENホールディングス SCREEN HOLDINGS CO., LTD. [JP/JP]; 京都府京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神北町1番地の1 Tenjinkita-machi 1-1, Teranouchi-agaru 4-chome, Horikawa-dori, Kamigyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6028585, JP
発明者:
吉田 武司 YOSHIDA, Takeshi; JP
代理人:
松阪 正弘 MATSUSAKA, Masahiro; JP
優先権情報:
2014-03634427.02.2014JP
2014-03634527.02.2014JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD
(FR) DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理装置および基板処理方法
要約:
(EN) This substrate treatment device (1) contains the following: a chamber body (22) that has a top opening (222); a chamber cover (23) that has a bottom opening (232); and a masking plate (51) located in an interior space (231) inside the chamber cover (23). The radial size of the masking plate (51) is greater than that of the aforementioned bottom opening (232). The top opening (222) in the chamber body (22) is covered by the chamber cover (23), thereby forming a chamber (21) inside which a substrate (9) is accommodated. In this substrate treatment device (1), before the substrate (9) is conveyed in and the chamber (21) is formed, the interior space (231) inside the chamber cover (23) is filled with a gas supplied by a gas supply unit (812) with the masking plate (51) placed on top of the bottom opening (232). As a result, once the chamber (21) has been formed, said chamber (21) can be filled with the aforementioned gas expeditiously, producing a desired low-oxygen atmosphere.
(FR) La présente invention concerne un dispositif de traitement (1) de substrat qui contient : un corps (22) de chambre qui comporte une ouverture supérieure (222) ; un couvercle (23) de chambre qui comporte une ouverture inférieure (232) ; et une plaque de masquage (51) située dans un espace intérieur (231) à l'intérieur du couvercle (23) de chambre. La taille radiale de la plaque de masquage (51) est supérieure à celle de l'ouverture inférieure (232) susmentionnée. L'ouverture supérieure (222) dans le corps (22) de chambre est recouverte par le couvercle (23) de chambre, formant ainsi une chambre (21) à l'intérieur de laquelle est logé un substrat (9). Dans ce dispositif de traitement (1) de substrat, avant que le substrat (9) soit transporté à l'intérieur et que la chambre (21) soit formée, l'espace intérieur (231) à l'intérieur du couvercle de chambre (23) est rempli d'un gaz introduit par une unité d'introduction de gaz (812), la plaque de masquage (51) étant placée en haut de l'ouverture inférieure (232). En conséquence, une fois que la chambre (21) a été formée, ladite chambre (21) peut être remplie du gaz susmentionné rapidement, produisant une atmosphère pauvre en oxygène désirée.
(JA)  基板処理装置(1)は、上部開口(222)を有するチャンバ本体(22)と、下部開口(232)を有するチャンバ蓋部(23)と、チャンバ蓋部(23)の蓋内部空間(231)に配置される遮蔽板(51)とを備える。遮蔽板(51)の径方向の大きさは、下部開口(232)の径方向の大きさよりも大きい。チャンバ本体(22)の上部開口(222)がチャンバ蓋部(23)により覆われることにより、基板(9)が内部に収容されるチャンバ(21)が形成される。基板処理装置(1)では、基板(9)が搬入されてチャンバ(21)が形成されるよりも前に、遮蔽板(51)が下部開口(232)に重ねられた状態で、ガス供給部(812)から供給されるガスがチャンバ蓋部(23)の蓋内部空間(231)に充填される。これにより、チャンバ(21)の形成後、チャンバ(21)内に迅速にガスを充満させ、所望の低酸素雰囲気とすることができる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN105981139KR1020160106712US20170069512