国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015129610) npn型窒化物半導体発光素子の製造方法、およびnpn型窒化物半導体発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129610 国際出願番号: PCT/JP2015/054975
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 23.02.2015
IPC:
H01L 33/14 (2010.01) ,H01L 33/04 (2010.01) ,H01S 5/183 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
14
電流制御構造を有するもの,例.高濃度ドープ半導体層,電流ブロック構造
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
33
光の放出に特に適用される少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有する半導体装置;それらの装置またはその部品の製造,あるいは処理に特に適用される方法または装置;それらの装置の細部
02
半導体素子本体に特徴のあるもの
04
量子効果を奏する構造または超格子を有するもの,例.トンネル接合
H 電気
01
基本的電気素子
S
誘導放出を用いた装置
5
半導体レーザ
10
光共振器の構造または形状
18
表面放出型レーザ(SEL)
183
垂直共振器を有するもの(VCSEL)
出願人:
学校法人名城大学 MEIJO UNIVERSITY [JP/JP]; 愛知県名古屋市天白区塩釜口1-501 1-501, Shiogamaguchi, Tempaku-ku, Nagoya-shi, Aichi 4688502, JP
発明者:
竹内 哲也 TAKEUCHI, Tetsuya; JP
桑野 侑香 KUWANO, Yuka; JP
岩谷 素顕 IWAYA, Motoaki; JP
赤▲崎▼ 勇 AKASAKI, Isamu; JP
代理人:
特許業務法人ネクスト NEXT INTERNATIONAL; 愛知県名古屋市中区錦一丁目11番20号 大永ビルディング7階 7th Floor, Daiei Building, 11-20, Nishiki 1-chome, Naka-ku, Nagoya-shi, Aichi 4600003, JP
優先権情報:
2014-03519226.02.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING n-p-n NITRIDE-SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND n-p-n NITRIDE-SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE n-p-n ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT À SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE n-p-n
(JA) npn型窒化物半導体発光素子の製造方法、およびnpn型窒化物半導体発光素子
要約:
(EN) [Problem] To provide the following: a method, for manufacturing an N-P-N nitride-semiconductor light-emitting element that has a current-confinement region (A) using an embedded tunnel junction layer (302), that yields a good emission efficiency; and an N-P-N nitride-semiconductor light-emitting element. [Solution] A p-type GaN crystal layer (106) laminated to the bottom layer of a tunnel junction layer (302) is subjected to p-type activation in the middle of a manufacturing process, before said tunnel junction layer (302) is embedded in an n-type GaN crystal layer (109), with the tunnel junction layer (302) partially removed and the p-type GaN crystal layer (106) exposed to a surrounding gas. In the middle of the manufacturing process, with the p-type GaN crystal layer (106) exposed, said p-type GaN crystal layer (106) can be subjected to p-type activation efficiently, yielding a p-type GaN crystal layer that has low electrical resistance.
(FR) Le but de l'invention est de fournir ce qui suit : un procédé, pour la fabrication d'un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure N-P-N qui a une région de confinement de courant (A) à l'aide d'une couche de jonction à effet tunnel intégrée (302), qui permet d'obtenir une bonne efficacité d'émission; et un élément électroluminescent à semi-conducteur au nitrure N-P-N. Une couche de cristal de GaN de type p (106) stratifiée sur la couche inférieure d'une couche de jonction à effet tunnel (302) est soumise à une activation de type p au milieu d'un processus de fabrication, avant que ladite couche de jonction à effet tunnel (302) ne soit incorporée dans une couche de cristal de GaN de type n (109), avec la couche de jonction à effet tunnel (302) partiellement retirée et la couche de cristal de GaN de type p (106) exposée à un gaz environnant. Au milieu du processus de fabrication, avec la couche de cristal de GaN de type p (106) exposée, ladite couche de cristal de GaN de type p (106) peut être soumise à une activation de type p de manière efficace, ce qui permet d'obtenir une couche de cristal de GaN de type p qui présente une faible résistance électrique.
(JA) 【課題】埋め込まれたトンネル接合層302を用いた電流狭窄領域Aを有するnpn型窒化物半導体発光素子において、良好な発光効率を得ることが可能なnpn型窒化物半導体発光素子の製造方法、およびnpn型窒化物半導体発光素子を提供すること 【解決手段】トンネル接合層302の下層に積層されるp型GaN結晶層106のp型活性化を、トンネル接合層302をn型GaN結晶層109で埋め込む前であって、トンネル接合層302が部分的に除去されてp型GaN結晶層106が雰囲気ガスに対して露出している製造工程の途中段階で行う。p型GaN結晶層106が露出している製造工程の途中段階で、p型GaN結晶層106が効率よくp型活性化され、電気的に低抵抗なp型GaN結晶層を得ることができる。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
JPWO2015129610