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1. (WO2015129551) エッチング液、これを用いるエッチング方法および半導体基板製品の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129551 国際出願番号: PCT/JP2015/054679
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 19.02.2015
IPC:
H01L 21/308 (2006.01) ,C23F 1/44 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
302
表面の物理的性質または形状を変換するため,例.エッチング,ポリシング,切断
306
化学的または電気的処理,例.電解エッチング
308
マスクを用いるもの
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
F
機械方法によらない表面からの金属質材料の除去;金属質材料の防食;鉱皮の抑制一般;少なくとも一工程はクラスC23に分類され,少なくとも一工程はサブクラスC21DもしくはC22FまたはクラスC25に包含される金属質材料の表面処理の多段階工程
1
化学的手段による金属質材料のエッチング
44
異った組成の金属質材料の基板から金属質材料をエッチングするための組成物
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
水谷 篤史 MIZUTANI, Atsushi; JP
上村 哲也 KAMIMURA, Tetsuya; JP
代理人:
飯田 敏三 IIDA, Toshizo; JP
優先権情報:
2014-03563026.02.2014JP
発明の名称: (EN) ETCHANT, ETCHING METHOD USING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE PRODUCT
(FR) AGENT DE GRAVURE, PROCÉDÉ DE GRAVURE L'UTILISANT, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE PRODUIT SUBSTRAT SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) エッチング液、これを用いるエッチング方法および半導体基板製品の製造方法
要約:
(EN)  Provided is an etchant for a semiconductor process, including a sulfonic acid compound, a halogen ion, nitric acid or a nitric acid ion, an organic cation, and water.
(FR)  La présente invention se rapporte à un agent de gravure pour un procédé de fabrication de semi-conducteur, comprenant un composé d'acide sulfonique, un ion halogène, de l'acide nitrique ou un ion d'acide nitrique, un cation organique et de l'eau.
(JA)  半導体プロセス用のエッチング液であって、スルホン酸化合物と、ハロゲンイオンと、硝酸または硝酸イオンと、有機カチオンと、水とを含有するエッチング液。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20160365254KR1020160110519CN106062934