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1. (WO2015129537) 表示装置
Document

明 細 書

発明の名称 表示装置

技術分野

0001  

背景技術

0002   0003  

先行技術文献

特許文献

0004   0005  

発明の概要

0006   0007   0008   0009   0010   0011   0012   0013   0014   0015   0016   0017   0018   0019   0020   0021   0022   0023   0024  

図面の簡単な説明

0025  

発明を実施するための形態

0026   0027   0028   0029   0030   0031   0032   0033   0034   0035   0036   0037   0038   0039   0040   0041   0042   0043   0044   0045   0046   0047   0048   0049   0050   0051   0052   0053   0054   0055   0056   0057   0058   0059   0060   0061   0062   0063   0064   0065   0066   0067   0068   0069   0070   0071   0072   0073   0074   0075   0076   0077   0078   0079   0080   0081   0082   0083   0084   0085   0086   0087   0088   0089   0090   0091   0092   0093   0094   0095   0096   0097   0098   0099   0100   0101   0102   0103   0104   0105   0106   0107   0108   0109   0110   0111   0112   0113   0114   0115   0116   0117   0118   0119   0120   0121   0122   0123  

符号の説明

0124  

請求の範囲

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13  

図面

1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   11   12   13   14   15   16   17   18   19   20   21   22   23   24   25   26   27   28  

明 細 書

発明の名称 : 表示装置

技術分野

[0001]
 本発明は、表示装置に関する。

背景技術

[0002]
 従来、液晶表示装置を構成する主要部品である液晶パネルは、次のような構成とされる。すなわち、液晶パネルは、一対のガラス製の基板間に液晶を挟持させるとともに、その液晶の周りにシール部を取り囲むよう形成することで液晶を封止している。両基板は、スイッチング素子であるTFT、画素電極、絶縁膜、及び各配線などが形成されるアレイ基板と、カラーフィルタなどが形成されるCF基板とからなる。この種の液晶パネルの一例として下記特許文献1に記載されたものが知られている。
[0003]
 この特許文献1に記載された液晶パネルには、有機絶縁膜と無機絶縁膜とが積層形成されたアレイ基板におけるシール部の形成領域において、無機絶縁膜を貫通し有機絶縁膜を貫通することのない深さを有する凹陥部が、シール部の形成領域の周方向に沿って形成されている。この凹陥部によってアレイ基板に対するシール部の接着性の向上などが図られている。

先行技術文献

特許文献

[0004]
特許文献1 : 特開2010-91896号公報
[0005]
(発明が解決しようとする課題)
 ところで、上記した特許文献1に記載された液晶パネルでは、シール部が主として無機絶縁膜に接着されている。このシール部と無機絶縁膜とでは、それぞれをなす材料の線膨張係数(熱膨張率)が相違するため、液晶パネルの使用環境において温度変化が生じると、無機絶縁膜におけるシール部の接着箇所に応力が作用し、その応力が無機絶縁膜における表示領域側の部分にまで影響し、これが無機絶縁膜の密着性を上回ると、表示領域側の部分に剥離が生じる。無機絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じると、無機絶縁膜の上層側に配された透明電極膜に位置ずれなどの不良が生じ、表示不良が発生する可能性があった。特に、液晶パネルの狭額縁化が進行し、シール部から表示領域までの幅が狭くなった場合には、無機絶縁膜におけるシール部の接着箇所に生じた応力が、無機絶縁膜における表示領域側の部分により影響し易くなって表示不良が生じ易くなる傾向にあり、対応に苦慮していた。

発明の概要

[0006]
 本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、表示不良の発生を抑制することを目的とする。
[0007]
(課題を解決するための手段)
 本発明の第1の表示装置は、表示領域と前記表示領域を取り囲む非表示領域とに区分される第1基板と、前記第1基板との間に内部空間を有する形で対向状に配される第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に介在し、前記内部空間を取り囲む形で前記非表示領域に配されるとともに前記内部空間を封止するシール部と、前記第1基板において少なくとも前記表示領域に配される第1透明電極膜と、前記第1基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されて前記シール部が接着されるとともに前記第1透明電極膜の前記第1基板側に配される第1絶縁膜であって、前記非表示領域において前記シール部よりも前記表示領域側となる位置に配されるスリットを有する第1絶縁膜と、前記第1基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第1絶縁膜の前記第1基板側に配されて前記第1絶縁膜を前記第1透明電極膜との間で挟み込む第2透明電極膜と、を備える。
[0008]
 このようにすれば、互いに対向する第1基板と第2基板との間には、内部空間が有されるとともにその内部空間を取り囲む形で配されるシール部が介在しており、シール部によって内部空間が封止される。第1絶縁膜は、第1基板において表示領域と非表示領域とに跨る範囲に配されてシール部が接着されるとともに、第1透明電極膜と第2透明電極膜との間に挟み込まれる形で配されている。
[0009]
 ところで、シール部と第1絶縁膜とにおいて、それぞれをなす材料の線膨張係数が異なると、温度変化が生じた場合に第1絶縁膜におけるシール部の接着箇所に応力が作用するおそれがある。特に、狭額縁化が進行し、シール部から表示領域までの幅が狭くなった場合には、第1絶縁膜におけるシール部の接着箇所に生じた応力が、第1絶縁膜における表示領域側の部分により影響し易くなる傾向にある。しかも、第1絶縁膜が第1透明電極膜と第2透明電極膜との間に挟み込まれる構成では、第2透明電極膜を備えない構成のものに比べると、第1絶縁膜の膜厚が相対的に薄くなる傾向にあるため、第1絶縁膜におけるシール部の接着箇所に作用する応力によって第1絶縁膜に剥離が生じ易くなっている。その点、第1絶縁膜は、非表示領域においてシール部よりも表示領域側となる位置に配されるスリットを有しているから、第1絶縁膜におけるシール部の接着箇所に上記のような応力が作用しても、その応力が第1絶縁膜における表示領域側の部分にまで影響し難いものとなっている。これにより、第1絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じ難くなるので、表示領域において第1絶縁膜の上層側に配される第1透明電極膜に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。
[0010]
 本発明の第1の表示装置の実施態様として、次の構成が好ましい。
(1)前記第2透明電極膜は、前記非表示領域にまで拡張して配される電極膜拡張部を有しており、前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記第2透明電極膜の前記電極膜拡張部と重畳する位置に配されるよう設けられている。スリットの形成に際し、例えばフォトリソグラフィ法を用いて第1絶縁膜を部分的にエッチングするようにした場合、第1絶縁膜におけるスリットの形成予定部分の第1基板側に第2透明電極膜の電極膜拡張部が配されることで、電極膜拡張部がエッチングストッパとして機能し、エッチングが電極膜拡張部の第1基板側にまで及ぶことが避けられる。
[0011]
(2)前記第1基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されるとともに前記第2透明電極膜の前記第1基板側に配される第2絶縁膜と、前記第1基板において前記非表示領域に配されるとともに前記第2絶縁膜の前記第1基板側に配されるとともに共通電位とされる共通電位供給部と、を備えており、前記電極膜拡張部は、前記第2絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記共通電位供給部に接続されている。電極膜拡張部は、表示領域と非表示領域とに跨る範囲に配されるとともに第2透明電極膜の第1基板側に配される第2絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して第2絶縁膜の第1基板側に配される共通電位供給部に接続されているから、共通電位供給部から電極膜拡張部を有する第2透明電極膜に共通電位が供給される。このように、電極膜拡張部は、共通電位を第2透明電極膜に伝達する機能に加えて、第1絶縁膜にスリットを形成する際に電極膜拡張部の第1基板側がエッチングされるのを防ぐ機能を有しているから、仮に各機能毎に別の部位を設けた場合に比べると、構成の簡素化が図られる。
[0012]
(3)前記第1基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されるとともに前記第1絶縁膜の前記第1基板側に配される第2絶縁膜を備えており、前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記第2絶縁膜と重畳する位置に配されるよう設けられている。このようにすれば、スリットの配置自由度が高いものとなる。
[0013]
(4)前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記第1絶縁膜の膜厚方向について貫通する形態となるよう設けられている。このようにすれば、仮にスリットが第1絶縁膜の膜厚方向について貫通せずに薄肉部(スリットの非形成部位よりも薄肉な部位)を残存させた形態とされた場合に比べると、第1絶縁膜におけるシール部の接着箇所に生じた応力が、第1絶縁膜における表示領域側の部分により影響し難くなる。これにより、第1絶縁膜における表示領域側の部分に剥離がより生じ難くなって表示不良の発生がより好適に抑制される。
[0014]
(5)前記第1絶縁膜は、前記スリットの形成部位に、前記スリットの非形成部位よりも薄肉な薄肉部が形成されるよう設けられている。スリットの形成に際し、例えばハーフトーンマスクやグレートーンマスクを用いたフォトリソグラフィ法を用いて第1絶縁膜を部分的にエッチングするようにした場合、第1絶縁膜におけるスリットの形成部位に薄肉部が残されることで、エッチングが第1絶縁膜の第1基板側にまで及ぶことが避けられる。しかも、仮にスリットが第1絶縁膜を膜厚方向に貫通する形態とされた場合に比べると、第1絶縁膜の第1基板側がスリットを通して露出することが避けられるので、膜質が不均質化するのが回避される。これにより、スリットの形成に伴って生じ得る表示性能の劣化が生じ難くなる。また、スリットの配置自由度が高いものとなる。
[0015]
(6)前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記表示領域よりも前記シール部の近くに配されるよう設けられている。このようにすれば、第1絶縁膜におけるスリットの形成部位に薄肉部が形成される構成では、スリットの配置自由度が高いものとなるので、スリットを表示領域よりもシール部の近くに配置することが可能となる。そして、第1絶縁膜におけるシール部の接着箇所に応力が作用して剥離が生じたとしても、上記したスリットの配置によって第1絶縁膜における剥離し得る部分の範囲が狭いものとなる。これにより、第1絶縁膜に剥離が生じたとしてもその剥離範囲が限定されることで、表示性能に悪影響を及ぼし難いものとされる。
[0016]
(7)前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記シール部に倣ってその全周にわたって連続的または間欠的に配されるよう設けられている。このようにすれば、シール部の全周にわたって連続的または間欠的に配されたスリットによって、第1絶縁膜におけるシール部の接着箇所に生じた応力が、第1絶縁膜における表示領域側の部分に影響し難くなるので、第1絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じ難くなって表示不良の発生が抑制される。
[0017]
(8)前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記シール部の全周にわたって連続的に延在する溝状をなすよう設けられている。このようにすれば、スリットがシール部の全周にわたって途中で途切れることなく連続的に配されるので、第1絶縁膜におけるシール部の接着箇所に生じた応力が、第1絶縁膜における表示領域側の部分により影響し難くなる。これにより、第1絶縁膜における表示領域側の部分に剥離がより生じ難くなって表示不良の発生がより好適に抑制される。
[0018]
(9)前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記シール部の全周にわたって間欠的に配されるよう設けられている。このようにすれば、シール部の全周にわたって間欠的に配されたスリットによって第1絶縁膜におけるシール部の接着箇所に生じた応力が、第1絶縁膜における表示領域側の部分に影響し難くなるので、第1絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じ難くなって表示不良の発生が抑制される。
[0019]
(10)前記第2基板において少なくとも前記非表示領域に配される遮光部を備えており、前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記遮光部と重畳する配置となるよう設けられている。当該表示装置におけるスリットの形成領域と、スリットの非形成領域とでは、当該表示装置の透過光に付与される光学作用に差が生じる可能性があり、それが輝度ムラの原因となるおそれがある。その点、第1絶縁膜は、スリットが第2基板に備えられる遮光部と重畳する配置となるよう設けられているので、当該表示装置におけるスリットの形成領域を光が透過することが避けられる。これにより、当該表示装置の透過光に輝度ムラが生じることが回避され、表示不良の発生が抑制される。
[0020]
 本発明の第2の表示装置は、表示領域と前記表示領域を取り囲む非表示領域とに区分される第1基板と、前記第1基板との間に内部空間を有する形で対向状に配される第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に介在し、前記内部空間を取り囲む形で前記非表示領域に配されるとともに前記内部空間を封止するシール部と、前記第1基板において少なくとも前記表示領域に配される第1透明電極膜と、前記第1基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第1透明電極膜の前記第1基板側に配され且つ前記シール部とは非重畳となる範囲に配されてなる第1絶縁膜と、前記第1基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第1絶縁膜の前記第1基板側に配されて前記第1絶縁膜を前記第1透明電極膜との間で挟み込む第2透明電極膜と、を備える。
[0021]
 このようにすれば、互いに対向する第1基板と第2基板との間には、内部空間が有されるとともにその内部空間を取り囲む形で配されるシール部が介在しており、シール部によって内部空間が封止される。第1絶縁膜は、第1基板において少なくとも表示領域に配されるとともに、第1透明電極膜と第2透明電極膜との間に挟み込まれる形で配されている。
[0022]
 そして、第1絶縁膜は、シール部とは非重畳となる範囲に配されており、シール部が直接接着されることがないものとされる。ここで、仮にシール部が第1絶縁膜に直接接着した場合には、温度変化に伴って両者の接着箇所に応力が生じると、第1絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じてしまい、第1絶縁膜の上層側に配される第1透明電極膜に位置ずれなどの不良が生じるおそれがある。特に、狭額縁化が進行し、シール部から表示領域までの幅が狭くなった場合には、上記した接着箇所に生じた応力が、第1絶縁膜における表示領域側の部分により影響し易くなる傾向にある。しかも、第1絶縁膜が第1透明電極膜と第2透明電極膜との間に挟み込まれる構成では、第2透明電極膜を備えない構成のものに比べると、第1絶縁膜の膜厚が相対的に薄くなる傾向にあるため、第1絶縁膜におけるシール部の接着箇所に作用する応力によって第1絶縁膜に剥離が生じ易くなっている。これに対し、第1絶縁膜がシール部に直接接着されない構成とされることで、温度変化に伴ってシール部から第1絶縁膜に応力が作用する事態が回避されている。これにより、第1絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じることが避けられるので、表示領域において第1絶縁膜の上層側に配される第1透明電極膜に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。
[0023]
 本発明の第2の表示装置の実施態様として、次の構成が好ましい。
(1)前記第1基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第1絶縁膜の前記第1基板側に配されて前記第1絶縁膜を前記第1透明電極膜との間で挟み込む第2透明電極膜と、前記第1基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されて前記シール部が接着されるとともに前記第2透明電極膜の前記第1基板側に配され且つ前記第1絶縁膜よりも膜厚が大きな第2絶縁膜と、を備える。このように第1絶縁膜が第1透明電極膜と第2透明電極膜との間に挟み込まれる構成では、シール部が接着される第2絶縁膜の膜厚が第1絶縁膜の膜厚よりも大きくなっているので、温度変化に伴って第2絶縁膜におけるシール部の接着箇所に応力が作用した場合でも、第2絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じ難いものとされる。言い換えると、相対的に膜厚が小さな第1絶縁膜は、応力によって剥離が生じ易い傾向にあるものの、第1絶縁膜がシール部に直接接着されない構成とされることで、温度変化に伴ってシール部から第1絶縁膜に応力が作用する事態が回避されている。以上により、第1絶縁膜における表示領域側の部分に剥離が生じることが避けられるので、表示不良の発生が抑制される。
[0024]
(発明の効果)
 本発明によれば、表示不良の発生を抑制することができる。

図面の簡単な説明

[0025]
[図1] 本発明の実施形態1に係るドライバを実装した液晶パネルとフレキシブル基板と制御回路基板との接続構成を示す概略平面図
[図2] 液晶表示装置の長辺方向に沿った断面構成を示す概略断面図
[図3] 液晶パネル全体の断面構成を示す概略断面図
[図4] アレイ基板の平面図
[図5] アレイ基板の非表示領域に配されたシールド部、行制御回路部及び列制御回路部と、表示領域に配されたTFTとを接続する配線構成を示す平面図
[図6] アレイ基板の角部付近を拡大した平面図
[図7] 図4のvii-vii線断面図
[図8] 本発明の実施形態2に係るアレイ基板の角部付近を拡大した平面図
[図9] 図8のix-ix線断面図
[図10] 図8のx-x線断面図
[図11] 本発明の実施形態3に係るアレイ基板の角部付近を拡大した平面図
[図12] 図11のxii-xii線断面図
[図13] 本発明の実施形態4に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図
[図14] 本発明の実施形態5に係るアレイ基板の角部付近を拡大した平面図
[図15] 図14のxv-xv線断面図
[図16] 本発明の実施形態6に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図
[図17] 本発明の実施形態7に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図
[図18] 本発明の実施形態8に係るアレイ基板の角部付近を拡大した平面図
[図19] 図18のxix-xix線断面図
[図20] 本発明の実施形態9に係るアレイ基板の角部付近を拡大した平面図
[図21] 図20のxxi-xxi線断面図
[図22] 本発明の実施形態10に係るアレイ基板の角部付近を拡大した平面図
[図23] 図22のxxiii-xxiii線断面図
[図24] 本発明の実施形態11に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図
[図25] 本発明の実施形態12に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図
[図26] 本発明の実施形態13に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図
[図27] 本発明の実施形態14に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図
[図28] 本発明の実施形態15に係る液晶パネルの端部における断面構成を示す断面図

発明を実施するための形態

[0026]
 <実施形態1>
 本発明の実施形態1を図1から図7によって説明する。本実施形態では、液晶表示装置10について例示する。なお、各図面の一部にはX軸、Y軸及びZ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については、図2,図3及び図7などを基準とし、且つ同図上側を表側とするとともに同図下側を裏側とする。
[0027]
 液晶表示装置10は、図1及び図2に示すように、画像を表示可能で且つ中央側に配される表示領域(アクティブエリア)AA、及び表示領域AAを取り囲む形で外周側に配される非表示領域(ノンアクティブエリア)NAAを有する液晶パネル(表示装置、表示パネル)11と、液晶パネル11を駆動するドライバ(パネル駆動部)21と、ドライバ21に対して各種入力信号を外部から供給する制御回路基板(外部の信号供給源)12と、液晶パネル11と外部の制御回路基板12とを電気的に接続するフレキシブル基板(外部接続部品)13と、液晶パネル11に光を供給する外部光源であるバックライト装置(照明装置)14とを備える。また、液晶表示装置10は、相互に組み付けた液晶パネル11及びバックライト装置14を収容・保持するための表裏一対の外装部材15,16をも備えており、このうち表側の外装部材15には、液晶パネル11の表示領域AAに表示された画像を外部から視認させるための開口部15aが形成されている。本実施形態に係る液晶表示装置10は、携帯電話(スマートフォンなどを含む)、ノートパソコン(タブレット型ノートパソコンなどを含む)、携帯型情報端末(電子ブックやPDAなどを含む)、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器(図示せず)に用いられるものである。このため、液晶表示装置10を構成する液晶パネル11の画面サイズは、数インチ~10数インチ程度とされ、一般的には小型または中小型に分類される大きさとされている。
[0028]
 先に、バックライト装置14について簡単に説明する。バックライト装置14は、図2に示すように、表側(液晶パネル11側)に向けて開口した略箱形をなすシャーシ14aと、シャーシ14a内に配された図示しない光源(例えば冷陰極管、LED、有機ELなど)と、シャーシ14aの開口部を覆う形で配される図示しない光学部材とを備える。光学部材は、光源から発せられる光を面状に変換するなどの機能を有するものである。
[0029]
 続いて、液晶パネル11について説明する。液晶パネル11は、図1に示すように、全体として縦長な方形状(矩形状)をなしており、その長辺方向における一方の端部側(図1に示す上側)に片寄った位置に表示領域AAが配されるとともに、長辺方向における他方の端部側(図1に示す下側)に片寄った位置にドライバ21及びフレキシブル基板13がそれぞれ取り付けられている。この液晶パネル11において表示領域AAを取り囲む外側の領域が、画像が表示されない非表示領域NAAとされる。この非表示領域NAAは、表示領域AAを取り囲む略枠状の領域(後述するCF基板11aにおける額縁部分)と、長辺方向の他方の端部側に確保された領域(後述するアレイ基板11bのうちCF基板11aとは重畳せずに露出する部分)とからなり、このうちの長辺方向の他方の端部側に確保された領域にドライバ21及びフレキシブル基板13の実装領域(取付領域)が含まれている。液晶パネル11における短辺方向が各図面のX軸方向と一致し、長辺方向が各図面のY軸方向と一致している。なお、図1及び図4では、CF基板11aよりも一回り小さな枠状の一点鎖線が表示領域AAの外形を表しており、当該一点鎖線よりも外側の領域が非表示領域NAAとなっている。
[0030]
 次に、液晶パネル11に接続される部材について説明する。制御回路基板12は、図1及び図2に示すように、バックライト装置14におけるシャーシ14aの裏面(液晶パネル11側とは反対側の外面)にネジなどにより取り付けられている。この制御回路基板12は、紙フェノールないしはガラスエポキシ樹脂製の基板上に、ドライバ21に各種入力信号を供給するための電子部品が実装されるとともに、図示しない所定のパターンの配線(導電路)が配索形成されている。この制御回路基板12には、フレキシブル基板13の一方の端部(一端側)が図示しないACF(Anisotropic Conductive Film)を介して電気的に且つ機械的に接続されている。
[0031]
 フレキシブル基板(FPC基板)13は、図2に示すように、絶縁性及び可撓性を有する合成樹脂材料(例えばポリイミド系樹脂等)からなる基材を備え、その基材上に多数本の配線パターン(図示せず)を有しており、長さ方向についての一方の端部が既述した通りシャーシ14aの裏面側に配された制御回路基板12に接続されるのに対し、他方の端部(他端側)が液晶パネル11におけるアレイ基板11bに接続されているため、液晶表示装置10内では断面形状が略U型となるよう折り返し状に屈曲されている。フレキシブル基板13における長さ方向についての両端部においては、配線パターンが外部に露出して端子部(図示せず)を構成しており、これらの端子部がそれぞれ制御回路基板12及び液晶パネル11に対して電気的に接続されている。これにより、制御回路基板12側から供給される入力信号を液晶パネル11側に伝送することが可能とされている。
[0032]
 ドライバ21は、図1に示すように、内部に駆動回路を有するLSIチップからなるものとされ、信号供給源である制御回路基板12から供給される信号に基づいて作動することで、信号供給源である制御回路基板12から供給される入力信号を処理して出力信号を生成し、その出力信号を液晶パネル11の表示領域AAへ向けて出力するものとされる。このドライバ21は、平面に視て横長の方形状をなす(液晶パネル11の短辺に沿って長手状をなす)とともに、液晶パネル11(後述するアレイ基板11b)の非表示領域NAAに対して直接実装され、つまりCOG(Chip On Glass)実装されている。なお、ドライバ21の長辺方向がX軸方向(液晶パネル11の短辺方向)と一致し、同短辺方向がY軸方向(液晶パネル11の長辺方向)と一致している。
[0033]
 改めて、液晶パネル11について説明する。液晶パネル11は、図3に示すように、互いに対向状をなすとともに間に内部空間ISを有する一対の基板11a,11bと、両基板11a,11b間に挟持されるとともに内部空間ISに配されて電界印加に伴って光学特性が変化する物質である液晶分子を含む液晶層(液晶)11cと、両基板11a,11b間に介在し、内部空間IS及びそこに配された液晶層11cを取り囲む形で配されるとともに内部空間IS及びそこに配された液晶層11cを封止するシール部11dと、を少なくとも有している。一対の基板11a,11bのうち表側(正面側)がCF基板(第2基板、対向基板)11aとされ、裏側(背面側)がアレイ基板(第1基板、TFT基板、アクティブマトリクス基板)11bとされる。これらCF基板11a及びアレイ基板11bは、それぞれ既述した表示領域AAと非表示領域NAAとに区分されている。なお、両基板11a,11bの外面側には、それぞれ偏光板11f,11gが貼り付けられている。
[0034]
 液晶層11cは、いわゆる滴下注入法により両基板11a,11b間に封入されており、具体的にはCF基板11a上に液晶層11cをなす液晶材料を滴下した後に、CF基板11aに対してアレイ基板11bを貼り合わせると、液晶材料が両基板11a,11b間に形成される内部空間ISにおいて万遍なく拡げられることで形成されている。シール部11dは、図1及び図3に示すように、液晶パネル11のうち非表示領域NAAに配されるとともに平面に視て(各基板11a,11bの板面に対する法線方向から視て)非表示領域NAAに倣う縦長の略枠状をなしている(図1及び図4)。シール部11dは、液晶パネル11の製造過程において一対の基板11a,11bのうちのCF基板11aに対して形成されている。このシール部11dにより両基板11a,11bの外周端部において両基板11a,11b間の間隔(液晶層11cの厚み)、つまりセルギャップが一定に維持されている。シール部11dの幅寸法は、非表示領域NAAにおける最も狭い幅寸法(具体的には、ドライバ21側の辺部を除く3つの辺部における幅寸法)よりも小さなものとされている。シール部11dは、その内端位置が表示領域AAと非表示領域NAAとの境界位置よりも外寄り(表示領域AA側とは反対側)に配されている。従って、非表示領域NAAにおけるシール部11dよりも内側(表示領域AA側)には、シール部11dに倣って平面に視て額縁状(枠状)をなすシール部非配置領域SNAが存在しており、その幅寸法が、シール部11dの内端位置と、表示領域AAと非表示領域NAAとの境界位置との間の距離と等しくなっている。シール部11dは、例えば紫外線を照射することで硬化する紫外線硬化性樹脂材料(硬化性樹脂材料)を含有してなるものとされる。シール部11dに含有される紫外線硬化性樹脂材料は、紫外線の照射を受ける前では流動性を有する液体状態とされるものの、紫外線の照射を受けると硬化して固体状態となる性質を有している。また、シール部11dのうち、液晶パネル11におけるドライバ21及びフレキシブル基板13の実装領域を除いた残りの3辺の端部(非実装側端部)に配された部分は、非表示領域NAAにおける最外端位置に配されている(図1)。
[0035]
 CF基板11a及びアレイ基板11bは、それぞれほぼ透明な(高い透光性を有する)ガラス基板(基板)GSを備えており、当該ガラス基板GS上に各種の膜(構造物)を積層形成してなるものとされる。このうち、CF基板11aは、図1及び図2に示すように、短辺寸法がアレイ基板11bと概ね同等であるものの、長辺寸法がアレイ基板11bよりも小さなものとされるとともに、アレイ基板11bに対して長辺方向についての一方(図1に示す上側)の端部を揃えた状態で貼り合わせられている。従って、アレイ基板11bのうち長辺方向についての他方(図1に示す下側)の端部は、所定範囲にわたってCF基板11aが重なり合うことがなく、表裏両板面が外部に露出した状態とされており、ここにドライバ21及びフレキシブル基板13の実装領域が確保されている。なお、図7は、各基板11a,11bに備えられる膜(構造物)を概略的に表したものであり、図示された各構造物の大きさ(厚み、高さなど)や配置が必ずしも実物の大きさや配置と一致したものとはなっていない。
[0036]
 そして、本実施形態に係る液晶パネル11は、動作モードがIPS(In-Plane Switching)モードをさらに改良したFFS(Fringe Field Switching)モードとされており、図7に示すように、一対の基板11a,11bのうちのアレイ基板11b側に後述する画素電極18(第1透明電極膜23)及び共通電極22(第2透明電極膜24)を共に形成し、且つこれら画素電極18と共通電極22とを異なる層に配してなるものである。以下では、各基板11a,11bに備えられる膜の具体的な積層順について詳しく説明する。
[0037]
 まず、CF基板11aの内面側(液晶層11c側、アレイ基板11bとの対向面側)に既知のフォトリソグラフィ法などによって積層形成された各種の膜について説明する。CF基板11aには、図7に示すように、下層(ガラス基板GS、表側)側から順に、遮光部(ブラックマトリクス)11i、カラーフィルタ11h、CF基板側平坦化膜(オーバーコート膜)11j、が積層形成されている。また、図示は省略しているが、CF基板側平坦化膜11jの上層側には、液晶層11cに臨んで配されるベタ状のパターンとされるとともに、液晶層11cに含まれる液晶分子を配向させるための配向膜が積層されており、例えばポリイミドからなるものとされる。また、図示は省略しているが、CF基板側平坦化膜11jの上層側には、アレイ基板11b側に向けて液晶層11cを貫く形で突出する柱状をなすフォトスペーサ部が設けられており、主に表示領域AAにおいてセルギャップを一定に維持することが可能とされる。
[0038]
 遮光部11iは、図7に示すように、CF基板11aをなすガラス基板GSの表面において表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る形で配されており、例えば感光性樹脂材料に遮光材料(例えばカーボンブラック)を含有させてなることで高い遮光性を有している。遮光部11iは、表示領域AAに配される部分が平面に視て格子状にパターニングされているのに対し、非表示領域NAAに配される部分がシール部11dと同様に平面に視て額縁状(枠状)にパターニングされている。カラーフィルタ11hは、表示領域AAに配されるとともに、後述するアレイ基板11b側の画素電極18の配置に応じて島状にパターニングされており、例えば感光性樹脂材料に着色のための顔料を含有させてなる。詳しくは、カラーフィルタ11hは、CF基板11aの表示領域AAにおいて、アレイ基板11b側の各画素電極18と平面に視て重畳する位置に行列状(マトリクス状)に平面配置される多数の着色部11hR,11hG,11hBから構成されている。各着色部11hR,11hG,11hBは、平面に視て縦長の方形状をなしている(図示せず)。カラーフィルタ11hは、赤色、緑色、青色をそれぞれ呈する各着色部11hR,11hG,11hBが行方向(X軸方向)に沿って交互に繰り返し並ぶことで着色部群を構成し、その着色部群が列方向(Y軸方向)に沿って多数並ぶ配置とされる。また、表示領域AAにおいて隣り合う着色部11hR,11hG,11hBの間は、遮光部11iにおける格子状の部分によって仕切られることで、画素間の混色が防がれている。これら遮光部11i及びカラーフィルタ11hは、共にCF基板11aに製造工程において既知のフォトリソグラフィ法によってパターニングされることで形成されている。CF基板側平坦化膜11jは、遮光部11i及びカラーフィルタ11hの上層側に積層されるとともに、表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る形でベタ状のパターンとされており、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂(PMMA)などのアクリル系樹脂材料などからなるものとされる。CF基板側平坦化膜11jは、その膜厚がカラーフィルタ11hや遮光部11iよりも大きくされることで、CF基板11aにおける液晶層11c側の面(配向膜が配される面)を好適に平坦化している。また、カラーフィルタ11hや遮光部11iよりも上層側に配されるCF基板側平坦化膜11jのうち、非表示領域NAAに配される部分は、シール部11dと平面に視て重畳するとともに、シール部11dが接着されている。
[0039]
 続いて、アレイ基板11bの内面側(液晶層11c側、CF基板11aとの対向面側)に既知のフォトリソグラフィ法などによって積層形成された各種の膜について説明する。アレイ基板11bには、図7に示すように、上層(液晶層11c側、表側)側から順に、
第1透明電極膜23、第1層間絶縁膜(第1絶縁膜、無機絶縁膜)41、第2透明電極膜24、平坦化膜(第2絶縁膜、有機絶縁膜)40、パシベーション膜(有機パシベーション膜または無機パシベーション膜、図中不記載)、第1金属膜(ソース金属膜)38、第2層間絶縁膜(無機絶縁膜)39、第2金属膜(ゲート金属膜)34、ゲート絶縁膜(無機絶縁膜)35、半導体膜36、ベースコート膜37、が積層形成されている。また、図示は省略しているが、第1層間絶縁膜41及び第1透明電極膜23の上層側には、液晶層11cに臨んで配されるベタ状のパターンとされるとともに、液晶層11cに含まれる液晶分子を配向させるための配向膜が積層されており、例えばポリイミドからなるものとされる。
[0040]
 ベースコート膜37は、アレイ基板11bをなすガラス基板GSの表面の全体を覆うベタ状のパターンとされており、例えば酸化珪素(SiO2)、窒化珪素(SiNx)、窒化酸化珪素(SiNO)などからなる。半導体膜36は、ベースコート膜37の上層側に積層されるとともに、少なくとも表示領域AAにおいて後述するTFT17の配置に応じて島状にパターニングされている。半導体膜36は、多結晶化されたシリコン薄膜(多結晶シリコン薄膜)の一種であるCGシリコン(Continuous Grain Silicon)薄膜からなるものとされている。CGシリコン薄膜は、例えばアモルファスシリコン薄膜に金属材料を添加し、550℃以下程度の低温で短時間の熱処理を行うことで形成されており、それによりシリコン結晶の結晶粒界における原子配列に連続性を有している。ゲート絶縁膜35は、ベースコート膜37及び半導体膜36の上層側に積層されるとともに、表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る形のベタ状のパターンとされており、例えば酸化珪素(SiO2)からなるものとされる。
[0041]
 第2金属膜34は、ゲート絶縁膜35の上層側に積層されるとともに、表示領域AAと非表示領域NAAとにそれぞれ配されるようパターニングされており、例えばチタン(Ti)及び銅(Cu)の積層膜により形成されている。第2層間絶縁膜39は、ゲート絶縁膜35及び第2金属膜34の上層側に積層されるとともに、表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る形のベタ状のパターンとされており、例えば酸化珪素(SiO2)からなるものとされる。第1金属膜38は、第2層間絶縁膜39の上層側に積層されるとともに、表示領域AAと非表示領域NAAとにそれぞれ配されるようパターニングされており、例えばチタン(Ti)及び銅(Cu)の積層膜により形成されている。パシベーション膜は、第1金属膜38の上層に積層し、表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る形のベタ状のパターンとされており、例えば酸化珪素(SiO2)からなるものとされる。このパシベーション膜は、第1金属膜38を配線の低負荷化のためセル外(シール外)で使用する際に必要となる。平坦化膜40は、第2層間絶縁膜39及び第1金属膜38の上層側に積層されるとともに、表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る形のベタ状のパターンとされており、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂(PMMA)などのアクリル系樹脂材料などからなるものとされる。平坦化膜40は、その膜厚が2μm~3μmの範囲とされるのが好ましく、本実施形態では2.5μm程度とされる。第2透明電極膜24は、平坦化膜40の上層側に積層されるとともに、表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る形の概ねベタ状のパターンとされており、例えばITO(Indium Tin Oxide)或いはZnO(Zinc Oxide)といった透明電極材料からなる。第1層間絶縁膜41は、平坦化膜40及び第2透明電極膜24の上層側に積層されるとともに、表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る形のベタ状のパターンとされており、例えば窒化珪素(SiNx)からなるものとされる。第1層間絶縁膜41は、その膜厚が0.05μm~1μmの範囲とされるのが好ましく、中でも0.05μm~0.2μmの範囲とされるのが、絶縁信頼性確保、製造コスト、及び製造に係るタクトタイムの観点からより好ましく、本実施形態では0.1μm程度とされる。なお、第2透明電極膜24は、下層側の平坦化膜40と、上層側の第1層間絶縁膜41との間に挟み込まれる形で配されている。第1透明電極膜23は、第1層間絶縁膜41の上層側に積層されるとともに、表示領域AAにおいてTFT17の配置に応じて島状にパターニングされており、例えばITO(Indium Tin Oxide)或いはZnO(Zinc Oxide)といった透明電極材料からなる。
[0042]
 ゲート絶縁膜35、第2層間絶縁膜39、平坦化膜40、及び第1層間絶縁膜41のうち、有機絶縁膜である平坦化膜40は、図7に示すように、その膜厚が、無機絶縁膜である他の絶縁膜35,39,41に比べて相対的に大きなものとされている。従って、平坦化膜40は、アレイ基板11bにおける液晶層11c側の面(配向膜が配される面)を好適に平坦化することができるとともに、他の絶縁膜35,39,41に比べると応力が作用した場合に剥離が生じ難くなっている。ゲート絶縁膜35、第2層間絶縁膜39、平坦化膜40、及び第1層間絶縁膜41のうち、最も上層側に配される第1層間絶縁膜41のうち、非表示領域NAAに配される部分は、シール部11dと平面に視て重畳するとともに、シール部11dが接着されている。また、ゲート絶縁膜35、第2層間絶縁膜39、平坦化膜40、及び第1層間絶縁膜41には、アレイ基板11bの製造工程においてパターニングされることで、それぞれの所定の位置にコンタクトホールCH1~CH3などの開口が形成されるようになっている。
[0043]
 続いて、アレイ基板11bにおける表示領域AA内に存在する構成について詳しく説明する。アレイ基板11bの表示領域AAには、図5に示すように、スイッチング素子であるTFT(薄膜トランジスタ、表示素子)17及び画素電極18が多数個ずつマトリクス状に並んで設けられるとともに、これらTFT17及び画素電極18の周りには、格子状をなすゲート配線(走査信号線、行制御線)19及びソース配線(列制御線、データ線)20が取り囲むようにして配設されている。言い換えると、格子状をなすゲート配線19及びソース配線20の交差部に、TFT17及び画素電極18が行列状に並列配置されている。ゲート配線19は、第2金属膜34からなるのに対し、ソース配線20は、第1金属膜38からなり、相互の交差部位間には第2層間絶縁膜39が介在する形で配されている。詳しくは次述するが、ゲート配線19とソース配線20とが、それぞれTFT17のゲート電極17aとソース電極17bとに接続され、画素電極18がTFT17のドレイン電極17cに接続されている。ゲート電極17aは、ゲート配線19と同じ第2金属膜34からなるのに対し、ソース電極17b及びドレイン電極17cは、ソース配線20と同じ第1金属膜38からなる(図7を参照)。また、表示領域AAには、ゲート配線19に並行するとともに画素電極18の一部に対して平面に視て重畳する形で図示しない補助容量配線が設けられている。この補助容量配線は、ゲート配線19と同じ第2金属膜34からなる。
[0044]
 表示領域AAに配されるTFT17は、図7に示すように、半導体膜36からなるチャネル部17dと、チャネル部17dに対してゲート絶縁膜35を介して上層側に重畳する形で配されるゲート電極17aと、ゲート電極17aに対して第2層間絶縁膜39を介して上層側に配されるソース電極17b及びドレイン電極17cと、を備えており、いわゆるトップゲート型(スタガ型)とされている。このうち、ソース電極17b及びドレイン電極17cは、ゲート絶縁膜35及び第2層間絶縁膜39にそれぞれ開口形成されたコンタクトホールCH1を通してチャネル部17dに対して接続されており、それによりソース電極17bとドレイン電極17cとの間での電子の移動が可能とされている。チャネル部17dをなす半導体膜36は、既述した通りCGシリコン薄膜からなるものとされる。このCGシリコン薄膜は、アモルファスシリコン薄膜などに比べると、電子移動度が例えば200~300cm2/Vs程度と高くなっているので、このCGシリコン薄膜からなる半導体膜36をTFT17のチャネル部17dとすることで、TFT17を小型化して画素電極18の透過光量を極大化することができ、もって高精細化及び低消費電力化を図る上で好適とされる。TFT17のドレイン電極17cには、平坦化膜40及び第1層間絶縁膜41にそれぞれ開口形成されたコンタクトホールCH2を通して第1透明電極膜23からなる画素電極18が接続されている。これにより、TFT17のゲート電極17aを通電すると、チャネル部17dを介してソース電極17bとドレイン電極17cとの間に電流が流されるとともに画素電極18に所定の電位が印加される。なお、画素電極18は、その外形が対向するカラーフィルタ11hをなす各着色部11hR,11hG,11hBの外形に倣って平面に視て縦長形状をなしており、対向する各着色部11hR,11hG,11hBと共に画素(単位画素)を構成している。第2透明電極膜24からなる共通電極22は、第1層間絶縁膜41を挟み込む形で画素電極18と平面に視て重畳する配置とされている。そして、共通電極22には、後述する共通電位供給部29から共通電位(基準電位)が供給されているので、上記のようにTFT17により画素電極18に印加する電位を制御することで、両電極18,22間に所定の電位差を生じさせることができる。両電極18,22間に電位差が生じると、液晶層11cには、アレイ基板11bの板面に沿う成分に加えて、アレイ基板11bの板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界(斜め電界)が印加されるので、液晶層11cに含まれる液晶分子の配向状態を適切にスイッチングすることができる。なお、既述した通り、概ねベタ状のパターンとされる共通電極22のうち、平坦化膜40及び第1層間絶縁膜41のコンタクトホールCH2と平面に視て重畳する位置には、画素電極18のコンタクト部分を通すための開口が形成されている。
[0045]
 次に、アレイ基板11bにおける非表示領域NAA内に存在する構成について詳しく説明する。アレイ基板11bの非表示領域NAAには、アレイ基板11bの非表示領域NAAのうち、表示領域AAの短辺部に隣り合う位置には、図5に示すように、列制御回路部27が設けられているのに対し、表示領域AAにおける長辺部に隣り合う位置には、行制御回路部(回路部)28が設けられている。列制御回路部27は、ソース配線20に、行制御回路部28は、ゲート配線19にそれぞれ接続されることで、ドライバ21からの出力信号をTFT17に供給するための制御を行うことが可能とされている。列制御回路部27及び行制御回路部28は、それぞれTFT17と同じ半導体膜36をベースとしてアレイ基板11b上にモノリシックに形成されており、それによりTFT17への出力信号の供給を制御するための制御回路及びその回路素子を有している。この制御回路をなす回路素子には、例えば、チャネル部として半導体膜36を用いた図示しない回路用TFT(回路用薄膜トランジスタ)などが含まれている。制御回路には、図7に示すように、第2金属膜34からなる回路用第1配線部25、及び第1金属膜38からなる回路用第2配線部26などが含まれている。これら列制御回路部27及び行制御回路部28は、非表示領域NAAにおいてシート部11dの内側部分と、シール部非配置領域SNAの外側部分とに跨る範囲に配されている。このうち、列制御回路部27は、ドライバ21からの出力信号に含まれる画像信号を、R,G,Bの各色の画素に対応した各ソース配線20に振り分けるスイッチ回路(RGBスイッチ回路)を有している。また、列制御回路部27は、レベルシフタ回路やESD保護回路などの付属回路を備えることも可能である。これに対し、行制御回路部28は、ドライバ21からの出力信号に含まれる走査信号を、各ゲート配線19に所定のタイミングで供給して各ゲート配線19を順次に走査する走査回路を有している。また、行制御回路部28には、レベルシフタ回路やESD保護回路などの付属回路を備えることも可能である。なお、列制御回路部27及び行制御回路部28は、アレイ基板11b上に形成された図示しない接続配線によってドライバ21に接続されている。
[0046]
 さらには、アレイ基板11bの非表示領域NAAには、図7に示すように、共通電極22に共通電位を供給するための共通電位供給部29が設けられている。共通電位供給部29は、第1金属膜38からなり、非表示領域NAAにおいてシール部非配置領域SNAの内側部分、言い換えると行制御回路部28と表示領域AAとに挟まれた位置に配されている。共通電極22をなす第2透明電極膜24は、非表示領域NAAにまで拡張して配される電極膜拡張部24aを有しており、この電極膜拡張部24aの端部が共通電位供給部29に対して平面に視て重畳する配置とされるとともに、平坦化膜40に開口形成されたコンタクトホールCH3を通して共通電位供給部29に接続されている。また、非表示領域NAAには、図5及び図7に示すように、液晶パネル11の内部空間ISを遮蔽するためにシールド部30が設けられている。シールド部30は、第2金属膜34からなり、非表示領域NAAにおいてシート部11dの外側部分と平面に視て重畳する配置とされるとともに、シール部11dに倣って平面に視て額縁状をなしている。なお、上記した列制御回路部27、行制御回路部28、共通電位供給部29、及びシールド部30は、アレイ基板11bの製造工程において各種の膜をパターニングする際に既知のフォトリソグラフィ法により同時にアレイ基板11b上にパターニングされている。なお、本実施形態では、シール部30が第2金属膜34により構成された場合を例示しているが、シールド部30の全域または一部を第1金属膜38により構成することも可能である。特に、シールド部30の一部を第1金属膜38により構成する場合には、外周側のシールド部30を第2金属膜34により、内周側のシールド部30を第1金属膜38により、それぞれ構成するのが好ましい。
[0047]
 ところで、アレイ基板11bにおける第1層間絶縁膜41には、シール部11dが接着されているが、これらシール部11dと第1層間絶縁膜41とでは、それぞれをなす材料の線膨張係数(熱膨張率)が相違する。このため、液晶パネル11の使用環境において温度変化が生じると、第1層間絶縁膜41におけるシール部11dの接着箇所に応力が作用し、その応力が第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分にまで影響すると、第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分に剥離が生じるおそれがある。第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分に剥離が生じると、第1層間絶縁膜41の上層側に配された第1透明電極膜23に位置ずれなどの不良が生じ、表示不良が発生する可能性があった。特に、液晶パネル11の狭額縁化が進行し、シール部11dから表示領域AAまでの幅が狭くなった場合には、第1層間絶縁膜41におけるシール部11dの接着箇所に生じた応力が、第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分により影響し易くなって表示不良が生じ易くなる傾向にあった。
[0048]
 そこで、本実施形態に係る第1層間絶縁膜41には、図5から図7に示すように、非表示領域NAAにおいてシール部11dよりも表示領域AA側となる位置に配されるスリット42が設けられている。このスリット42が設けられることで、第1層間絶縁膜41におけるシール部11dの接着箇所に、温度変化に伴って生じる応力が作用しても、その応力が第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分にまで影響し難いものとなっている。これにより、第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分に剥離が生じ難くなるので、表示領域AAにおいて第1層間絶縁膜41の上層側に配される第1透明電極膜23に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。以下、スリット42の構成について詳しく説明する。
[0049]
 スリット42は、図5から図7に示すように、アレイ基板11bの非表示領域NAAにおいてシール部11dよりも表示領域AA側となる位置、つまりシール部非配置領域SNAに配されており、詳細にはシール部非配置領域SNAのうちの表示領域AAに隣接する内端位置に配されている。言い換えると、スリット42は、シール部非配置領域SNAにおいて表示領域AAに対して外周側に隣接する位置(最も表示領域AAに近い位置)に配されている。スリット42は、シール部11dに倣ってその全周にわたって連続的に延在する溝状に形成されていて、平面に視て額縁状(枠状)をなしている。つまり、スリット42は、表示領域AAをその全周にわたって外周側から取り囲む形で配されている。その上で、スリット42は、第1層間絶縁膜41をその膜厚方向(Z軸方向、アレイ基板11bの板面の法線方向)について貫通する形態とされている。従って、第1層間絶縁膜41は、スリット42を境界として、主に表示領域AAに配される内周側部分41aと、全域が非表示領域NAAに配される外周側部分41bとに分離(分割)されている。このうちの外周側部分41bに対してシール部11dが接着されている。このことから、第1層間絶縁膜41のうちのシール部11dの接着箇所を有する外周側部分41bに温度変化に伴って生じる応力が作用した場合でも、スリット42によって分離された内周側部分41aに、上記した応力の伝達が断ち切られるようになっている。以上により、第1層間絶縁膜41のうち表示領域AAに配される内周側部分41aに剥離が生じる事態がより確実に回避され、もって表示不良の発生がより確実に防がれている。このスリット42は、アレイ基板11bの製造工程において、既知のフォトリソグラフィ法により第1層間絶縁膜41をパターニングすることで形成されており、コンタクトホールCH2を形成するのと同時に(同じ工程で)形成されている。
[0050]
 スリット42は、図7に示すように、非表示領域NAAにおいて第2透明電極膜24の電極膜拡張部24aと平面に視て重畳する位置に配されている。スリット42は、既述した通り、第1層間絶縁膜41をその膜厚方向について貫通する形態とされているので、スリット42を通して下層側の電極膜拡張部24aが液晶層11cに臨んで(露出して)配される構成となっている。従って、第1層間絶縁膜41にスリット42をフォトリソグラフィ法によって形成するのに際し、第1層間絶縁膜41を部分的にエッチングする場合において、第1層間絶縁膜41におけるスリット42の形成予定部分の下層側に第2透明電極膜24の電極膜拡張部24aが配されることで、電極膜拡張部24aがエッチングストッパとして機能し、エッチングが電極膜拡張部24aの下層側の平坦化膜40にまで及ぶことが避けられる。これにより、平坦化膜40の膜厚均一性が良好に保たれている。このように、電極膜拡張部24aは、共通電位を共通電位供給部29から第2透明電極膜24に伝達する機能に加えて、第1層間絶縁膜41にスリット42を形成する際に電極膜拡張部24aの下層側の平坦化膜40がエッチングされるのを防ぐ機能を有しているから、仮に各機能毎に別の部位を設けた場合に比べると、構成の簡素化が図られている。さらには、スリット42は、CF基板11aに設けられた遮光部11iのうち、非表示領域NAAに配された部分と平面に視て重畳する位置に配されている。液晶パネル11におけるスリット42の形成領域では、透過光に付与される光学作用がスリット42の非形成領域とは異なる場合があるものの、上記のようにスリット42が遮光部11iと重畳する配置とされることで、スリット42の形成領域を光が透過することが避けられている。これにより、液晶パネル11の透過光に輝度ムラが生じることが避けられ、表示不良の発生が抑制される。
[0051]
 以上説明したように本実施形態の液晶パネル(表示装置)11は、表示領域AAと表示領域AAを取り囲む非表示領域NAAとに区分されるアレイ基板(第1基板)11bと、アレイ基板11bとの間に内部空間ISを有する形で対向状に配されるCF基板(第2基板)11aと、アレイ基板11bとCF基板11aとの間に介在し、内部空間ISを取り囲む形で非表示領域NAAに配されるとともに内部空間ISを封止するシール部11dと、アレイ基板11bにおいて少なくとも表示領域AAに配される第1透明電極膜23と、アレイ基板11bにおいて表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る範囲に配されてシール部11dが接着されるとともに第1透明電極膜23のアレイ基板11b側に配される第1層間絶縁膜(第1絶縁膜)41であって、非表示領域NAAにおいてシール部11dよりも表示領域AA側となる位置に配されるスリット42を有する第1層間絶縁膜41と、アレイ基板11bにおいて少なくとも表示領域AAに配されるとともに第1層間絶縁膜41のアレイ基板11b側に配されて第1層間絶縁膜41を第1透明電極膜23との間で挟み込む第2透明電極膜24と、を備える。
[0052]
 このようにすれば、互いに対向するアレイ基板11bとCF基板11aとの間には、内部空間ISが有されるとともにその内部空間ISを取り囲む形で配されるシール部11dが介在しており、シール部11dによって内部空間ISが封止される。第1層間絶縁膜41は、アレイ基板11bにおいて表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る範囲に配されてシール部11dが接着されるとともに、第1透明電極膜23と第2透明電極膜24との間に挟み込まれる形で配されている。
[0053]
 ところで、シール部11dと第1層間絶縁膜41とにおいて、それぞれをなす材料の線膨張係数が異なると、温度変化が生じた場合に第1層間絶縁膜41におけるシール部11dの接着箇所に応力が作用するおそれがある。特に、狭額縁化が進行し、シール部11dから表示領域AAまでの幅が狭くなった場合には、第1層間絶縁膜41におけるシール部11dの接着箇所に生じた応力が、第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分により影響し易くなる傾向にある。しかも、第1層間絶縁膜41が第1透明電極膜23と第2透明電極膜24との間に挟み込まれる構成では、第2透明電極膜24を備えない構成のものに比べると、第1層間絶縁膜41の膜厚が相対的に薄くなる傾向にあるため、第1層間絶縁膜41におけるシール部11dの接着箇所に作用する応力によって第1層間絶縁膜41に剥離が生じ易くなっている。その点、第1層間絶縁膜41は、非表示領域NAAにおいてシール部11dよりも表示領域AA側となる位置に配されるスリット42を有しているから、第1層間絶縁膜41におけるシール部11dの接着箇所に上記のような応力が作用しても、その応力が第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分にまで影響し難いものとなっている。これにより、第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分に剥離が生じ難くなるので、表示領域AAにおいて第1層間絶縁膜41の上層側に配される第1透明電極膜23に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。
[0054]
 また、第2透明電極膜24は、非表示領域NAAにまで拡張して配される電極膜拡張部24aを有しており、第1層間絶縁膜41は、スリット42が第2透明電極膜24の電極膜拡張部24aと重畳する位置に配されるよう設けられている。スリット42の形成に際し、例えばフォトリソグラフィ法を用いて第1層間絶縁膜41を部分的にエッチングするようにした場合、第1層間絶縁膜41におけるスリット42の形成予定部分のアレイ基板11b側に第2透明電極膜24の電極膜拡張部24aが配されることで、電極膜拡張部24aがエッチングストッパとして機能し、エッチングが電極膜拡張部24aのアレイ基板11b側にまで及ぶことが避けられる。
[0055]
 また、アレイ基板11bにおいて表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る範囲に配されるとともに第2透明電極膜24のアレイ基板11b側に配される平坦化膜(第2絶縁膜)40と、アレイ基板11bにおいて非表示領域NAAに配されるとともに平坦化膜40のアレイ基板11b側に配されるとともに共通電位とされる共通電位供給部29と、を備えており、電極膜拡張部24aは、平坦化膜40に開口形成されたコンタクトホールCH3を通して共通電位供給部29に接続されている。電極膜拡張部24aは、表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る範囲に配されるとともに第2透明電極膜24のアレイ基板11b側に配される平坦化膜40に開口形成されたコンタクトホールCH3を通して平坦化膜40のアレイ基板11b側に配される共通電位供給部29に接続されているから、共通電位供給部29から電極膜拡張部24aを有する第2透明電極膜24に共通電位が供給される。このように、電極膜拡張部24aは、共通電位を第2透明電極膜24に伝達する機能に加えて、第1層間絶縁膜41にスリット42を形成する際に電極膜拡張部24aのアレイ基板11b側がエッチングされるのを防ぐ機能を有しているから、仮に各機能毎に別の部位を設けた場合に比べると、構成の簡素化が図られる。
[0056]
 また、第1層間絶縁膜41は、スリット42が第1層間絶縁膜41の膜厚方向について貫通する形態となるよう設けられている。このようにすれば、仮にスリットが第1層間絶縁膜41の膜厚方向について貫通せずに薄肉部(スリットの非形成部位よりも薄肉な部位)を残存させた形態とされた場合に比べると、第1層間絶縁膜41におけるシール部11dの接着箇所に生じた応力が、第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分により影響し難くなる。これにより、第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分に剥離がより生じ難くなって表示不良の発生がより好適に抑制される。
[0057]
 また、第1層間絶縁膜41は、スリット42がシール部11dの全周にわたって連続的に延在する溝状をなすよう設けられている。このようにすれば、シール部11dの全周にわたって連続的に配されたスリット42によって、第1層間絶縁膜41におけるシール部11dの接着箇所に生じた応力が、第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分に影響し難くなるので、第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分に剥離が生じ難くなって表示不良の発生が抑制される。そして、スリット42がシール部11dの全周にわたって途中で途切れることなく連続的に配されるので、第1層間絶縁膜41におけるシール部11dの接着箇所に生じた応力が、第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分により影響し難くなる。これにより、第1層間絶縁膜41における表示領域AA側の部分に剥離がより生じ難くなって表示不良の発生がより好適に抑制される。
[0058]
 また、CF基板11aにおいて少なくとも非表示領域NAAに配される遮光部11iを備えており、第1層間絶縁膜41は、スリット42が遮光部11iと重畳する配置となるよう設けられている。当該液晶パネル11におけるスリット42の形成領域と、スリット42の非形成領域とでは、当該液晶パネル11の透過光に付与される光学作用に差が生じる可能性があり、それが輝度ムラの原因となるおそれがある。その点、第1層間絶縁膜41は、スリット42がCF基板11aに備えられる遮光部11iと重畳する配置となるよう設けられているので、当該液晶パネル11におけるスリット42の形成領域を光が透過することが避けられる。これにより、当該液晶パネル11の透過光に輝度ムラが生じることが回避され、表示不良の発生が抑制される。
[0059]
 <実施形態2>
 本発明の実施形態2を図8から図10によって説明する。この実施形態2では、スリット142の平面形状を変更したものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0060]
 本実施形態に係るスリット142は、図8から図10に示すように、シール部111dに倣ってその全周にわたって間欠的に並んで配されている。詳しくは、スリット142は、全体としてシール部111dと同様に平面に視て額縁状をなすよう、その周方向について所定の間隔を空けて複数が並ぶ形で配されている。全体として額縁状をなすよう並んだ複数のスリット142は、その個々が平面に視て方形状をなしており、上記周方向について隣り合うスリット142の間には、第1層間絶縁膜141の一部が介在する形で配されている。第1層間絶縁膜141のうち、隣り合うスリット142の間に介在する形で残存する部分がスリット間残存部43とされている。このスリット間残存部43は、シール部111dに倣ってその全周にわたって間欠的に並んで配されており、第1層間絶縁膜141における内周側部分141aと外周側部分141bとを繋いでいる。つまり、第1層間絶縁膜141における内周側部分141aと外周側部分141bとは、相互が全周にわたって連なることがなく、間欠的に並ぶ形で配された複数のスリット間残存部43によって相互が周方向について部分的に連ねられている。従って、第1層間絶縁膜141のうちシール部111dが接着された外周側部分141bに温度変化に伴って応力が作用した場合、その応力がスリット間残存部43によって緩和されるので、内周側部分141aに剥離が生じ難くなっている。詳しくは、外周側部分141bに作用した応力は、内周側部分141aに至るまでの間に、スリット間残存部43の幅を、スリット間残存部43の幅にスリット142の幅を足し合わせた数値で割って得た比率の分だけ減衰することになり、それをもって内周側部分141aに剥離が生じ難いものとされる。
[0061]
 以上説明したように本実施形態によれば、第1層間絶縁膜141は、スリット142がシール部111dの全周にわたって間欠的に配されるよう設けられている。このようにすれば、シール部111dの全周にわたって間欠的に配されたスリット142によって第1層間絶縁膜141におけるシール部111dの接着箇所に生じた応力が、第1層間絶縁膜141における表示領域AA側の部分に影響し難くなるので、第1層間絶縁膜141における表示領域AA側の部分に剥離が生じ難くなって表示不良の発生が抑制される。
[0062]
 <実施形態3>
 本発明の実施形態3を図11または図12によって説明する。この実施形態3では、上記した実施形態2からスリット242の平面形状をさらに変更したものを示す。なお、上記した実施形態2と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0063]
 本実施形態に係るスリット242は、図11及び図12に示すように、全体としてシール部211dに倣う形で平面に視て額縁状をなすよう配されるとともに、その周方向に加えて幅方向についても所定の間隔を空けて複数ずつ並んで配されている。つまり、スリット242は、全体としては額縁状をなしつつも、行列状に複数ずつが間欠的に並ぶ形で平面配置されている。上記した周方向及び幅方向について隣り合うスリット242の間の間隔は、上記した実施形態2に記載したスリット142間の間隔よりも狭いものとされる。上記した周方向及び幅方向について隣り合うスリット242の間には、それぞれスリット間残存部243が介在する形で配されており、各スリット間残存部243の幅寸法は、上記した実施形態2に記載したスリット間残存部43の幅寸法よりも小さくなっている。スリット間残存部243は、行列状に複数ずつが間欠的に並ぶ形で平面配置されており、そのうちの上記した周方向について隣り合うもの同士が相互に連ねられるとともに、上記した幅方向について隣り合うもの同士が相互に連ねられることで、全体として平面に視て格子状をなしている。このような構成であっても、第1層間絶縁膜241のうちシール部211dが接着された外周側部分241bに温度変化に伴って応力が作用した場合、その応力がスリット間残存部243によって緩和されるので、内周側部分241aに剥離が生じ難くなっている。詳しくは、外周側部分241bに作用した応力は、内周側部分241aに至るまでの間に、スリット間残存部243の幅を、スリット間残存部243の幅にスリット242の幅を足し合わせた数値で割って得た比率の分だけ減衰することになり、それをもって内周側部分241aに剥離が生じ難いものとされる。
[0064]
 <実施形態4>
 本発明の実施形態4を図13によって説明する。この実施形態4では、上記した実施形態1からスリット342の深さを変更したものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0065]
 本実施形態に係るスリット342は、図13に示すように、第1層間絶縁膜341をその膜厚方向について貫通することがない深さで形成されている。つまり、このスリット342の深さ寸法は、第1層間絶縁膜341の膜厚に満たない大きさとされている。従って、第1層間絶縁膜341におけるスリット342の形成部分には、第1層間絶縁膜341におけるスリット342の非形成部分の膜厚よりも薄肉な薄肉部44が形成されている。第1層間絶縁膜341のうち、薄肉部44に比べて膜厚が相対的に大きくされたスリット342の非形成部分には、外周側部分341bにおけるシール部311dと平面に視て重畳する部分や内周側部分341aが含まれている。スリット342及び薄肉部44は、シール部311dに倣ってその全周にわたって連続的に延在する形で配されている。従って、薄肉部44は、第1層間絶縁膜341における内周側部分341aと外周側部分341bとを全周にわたって繋いでいる。このような構成であっても、第1層間絶縁膜341のうちシール部311dが接着された外周側部分341bに温度変化に伴って応力が作用した場合、その応力が薄肉部44によって緩和されるので、内周側部分341aに剥離が生じ難くなっている。
[0066]
 本実施形態に係るスリット342の形成に際しては、アレイ基板311bの製造工程の中の露光工程において第1層間絶縁膜341を露光するのに用いるフォトマスクを、図示しないハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクとしている。ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクは、露光光の透過率が例えば10%~70%程度とされる半透過領域を有しているので、露光工程では、このうちの半透過領域の透過光により、第1層間絶縁膜341におけるスリット342及び薄肉部44の形成予定部分を露光するようにしている。このようなハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクを用いて露光工程を行った後にエッチング工程を行うことで、薄肉部44を残存させた形でスリット342を形成することができる。このエッチング工程では、スリット342の形成部分に薄肉部44が残されることで、エッチングが第1層間絶縁膜341の下層側に及ぶことが避けられている。しかも、薄肉部44の下層側には、第2透明電極膜324の電極膜拡張部324aが配されているので、万が一にエッチングによりスリット342が第1層間絶縁膜341を貫通する深さで形成された場合でも、電極膜拡張部324aがエッチングストッパとして機能することで、下層側の平坦化膜340がエッチングされる事態が回避されるようになっている。これにより、平坦化膜340の膜厚均一性を高く維持することができる。しかも、第1層間絶縁膜341の下層側に配される電極膜拡張部324aは、薄肉部44によって覆われることで液晶層311c側に露出するのが避けられているので、液晶層311cに臨む面における膜質が不均質化するのが回避される。これにより、スリット342の形成に伴って生じ得る表示性能の劣化が生じ難くなる。また、例えばスリット342が電極膜拡張部324aとは非重畳となる配置であっても、薄肉部44によって下層側の平坦化膜340がエッチングされるのを防ぐことができるので、スリット342の配置自由度が高いものとなる。
[0067]
 以上説明したように本実施形態によれば、第1層間絶縁膜341は、スリット342の形成部位に、スリット342の非形成部位よりも薄肉な薄肉部44が形成されるよう設けられている。スリット342の形成に際し、例えばフォトリソグラフィ法を用いて第1層間絶縁膜341を部分的にエッチングするようにした場合、第1層間絶縁膜341におけるスリット342の形成部位に薄肉部44が残されることで、エッチングが第1層間絶縁膜341のアレイ基板311b側にまで及ぶことが避けられる。しかも、仮にスリットが第1層間絶縁膜341を膜厚方向に貫通する形態とされた場合に比べると、第1層間絶縁膜341のアレイ基板311b側がスリット342を通して露出することが避けられるので、膜質が不均質化するのが回避される。これにより、スリット342の形成に伴って生じ得る表示性能の劣化が生じ難くなる。また、スリット342の配置自由度が高いものとなる。
[0068]
 <実施形態5>
 本発明の実施形態5を図14または図15によって説明する。この実施形態5では、上記した実施形態1からスリットを省略するとともに、第1層間絶縁膜441における外周側部分を除去した構成のものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0069]
 本実施形態に係る第1層間絶縁膜441は、図14及び図15に示すように、主に表示領域AAに配される内周側部分441aのみによって構成されている。つまり、内周側部分441aのみからなる第1層間絶縁膜441は、アレイ基板411bにおいて少なくとも表示領域AAに配されるとともに第1透明電極膜423の下層側に配され且つシール部411dとは非重畳となる範囲に配されてなる。このような構成により第1層間絶縁膜441には、シール部411dが直接接着されることが避けられているので、温度変化に伴ってシール部411dから第1層間絶縁膜441に応力が直接作用する事態が回避されている。これにより、第1層間絶縁膜441における表示領域AA側の部分に剥離が生じることが避けられるので、表示領域AAにおいて第1層間絶縁膜441の上層側に配される第1透明電極膜423からなる画素電極418に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。
[0070]
 詳しくは、第1層間絶縁膜441は、アレイ基板411bにおいて表示領域AAの全域と、非表示領域NAAにおけるシール部非配置領域SNAのうちの表示領域AAに隣接する内周側部分と、に跨る範囲に配されている。つまり、第1層間絶縁膜441は、表示領域AAに配される絶縁膜本体部分に加えて、非表示領域NAAにまで拡張して配される絶縁膜拡張部45を有している。絶縁膜拡張部45は、表示領域AAをその全周にわたって取り囲むよう平面に視て額縁状をなしている。
[0071]
 既述したように、第1層間絶縁膜441がシール部411dとは非重畳となる範囲に配されているので、シール部411dは、第1層間絶縁膜441との間で第2透明電極膜424(共通電極422)を挟み込む形で相対的に下層側に配されて、第1層間絶縁膜441の非形成部分において露出する平坦化膜440に対して直接接着されている。この平坦化膜440は、第1層間絶縁膜441よりも膜厚が大きなものとされているので、温度変化に伴って平坦化膜440におけるシール部411dの接着箇所に応力が作用した場合でも、平坦化膜440における表示領域AA側の部分に剥離が生じ難いものとされる。言い換えると、相対的に膜厚が小さな第1層間絶縁膜441は、応力によって剥離が生じ易い傾向にあるものの、第1層間絶縁膜441がシール部411dに直接接着されない構成とされることで、温度変化に伴ってシール部411dから第1層間絶縁膜441に応力が作用する事態が回避されている。以上により、第1層間絶縁膜441における表示領域AA側の部分に剥離が生じることが避けられるので、表示不良の発生が抑制される。
[0072]
 以上説明したように本実施形態の液晶パネル(表示装置)411は、表示領域AAと表示領域AAを取り囲む非表示領域NAAとに区分されるアレイ基板(第1基板)411bと、アレイ基板411bとの間に内部空間ISを有する形で対向状に配されるCF基板(第2基板)411aと、アレイ基板411bとCF基板411aとの間に介在し、内部空間ISを取り囲む形で非表示領域NAAに配されるとともに内部空間ISを封止するシール部411dと、アレイ基板411bにおいて少なくとも表示領域AAに配される第1透明電極膜423と、アレイ基板411bにおいて少なくとも表示領域AAに配されるとともに第1透明電極膜423のアレイ基板411b側に配され且つシール部411dとは非重畳となる範囲に配されてなる第1層間絶縁膜(第1絶縁膜)441と、アレイ基板411bにおいて少なくとも表示領域AAに配されるとともに第1層間絶縁膜441のアレイ基板411b側に配されて第1層間絶縁膜441を第1透明電極膜423との間で挟み込む第2透明電極膜424と、を備える。
[0073]
 このようにすれば、互いに対向するアレイ基板411bとCF基板411aとの間には、内部空間ISが有されるとともにその内部空間ISを取り囲む形で配されるシール部411dが介在しており、シール部411dによって内部空間ISが封止される。第1層間絶縁膜441は、アレイ基板411bにおいて少なくとも表示領域AAに配されるとともに、第1透明電極膜423と第2透明電極膜424との間に挟み込まれる形で配されている。
[0074]
 そして、第1層間絶縁膜441は、シール部411dとは非重畳となる範囲に配されており、シール部411dが直接接着されることがないものとされる。ここで、仮にシール部が第1層間絶縁膜441に直接接着した場合には、温度変化に伴って両者の接着箇所に応力が生じると、第1層間絶縁膜441における表示領域AA側の部分に剥離が生じてしまい、第1層間絶縁膜441の上層側に配される第1透明電極膜423に位置ずれなどの不良が生じるおそれがある。特に、狭額縁化が進行し、シール部411dから表示領域AAまでの幅が狭くなった場合には、上記した接着箇所に生じた応力が、第1層間絶縁膜441における表示領域AA側の部分により影響し易くなる傾向にある。しかも、第1層間絶縁膜441が第1透明電極膜423と第2透明電極膜424との間に挟み込まれる構成では、第2透明電極膜424を備えない構成のものに比べると、第1層間絶縁膜441の膜厚が相対的に薄くなる傾向にあるため、第1層間絶縁膜441におけるシール部411dの接着箇所に作用する応力によって第1層間絶縁膜441に剥離が生じ易くなっている。これに対し、第1層間絶縁膜441がシール部411dに直接接着されない構成とされることで、温度変化に伴ってシール部411dから第1層間絶縁膜441に応力が作用する事態が回避されている。これにより、第1層間絶縁膜441における表示領域AA側の部分に剥離が生じることが避けられるので、表示領域AAにおいて第1層間絶縁膜441の上層側に配される第1透明電極膜23に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。
[0075]
 また、アレイ基板411bにおいて少なくとも表示領域AAに配されるとともに第1層間絶縁膜441のアレイ基板411b側に配されて第1層間絶縁膜441を第1透明電極膜423との間で挟み込む第2透明電極膜424と、アレイ基板411bにおいて表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る範囲に配されてシール部411dが接着されるとともに第2透明電極膜424のアレイ基板411b側に配され且つ第1層間絶縁膜441よりも膜厚が大きな平坦化膜440と、を備える。このように第1層間絶縁膜441が第1透明電極膜423と第2透明電極膜424との間に挟み込まれる構成では、シール部411dが接着される平坦化膜440の膜厚が第1層間絶縁膜441の膜厚よりも大きくなっているので、温度変化に伴って平坦化膜440におけるシール部411dの接着箇所に応力が作用した場合でも、平坦化膜440における表示領域AA側の部分に剥離が生じ難いものとされる。言い換えると、相対的に膜厚が小さな第1層間絶縁膜441は、応力によって剥離が生じ易い傾向にあるものの、第1層間絶縁膜441がシール部411dに直接接着されない構成とされることで、温度変化に伴ってシール部411dから第1層間絶縁膜441に応力が作用する事態が回避されている。以上により、第1層間絶縁膜441における表示領域AA側の部分に剥離が生じることが避けられるので、表示不良の発生が抑制される。
[0076]
 <実施形態6>
 本発明の実施形態6を図16によって説明する。この実施形態6では、上記した実施形態4からスリット542及び薄肉部544の配置を変更したものを示す。なお、上記した実施形態4と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0077]
 本実施形態に係るスリット542及び薄肉部544は、図16に示すように、非表示領域NAAのシール部非配置領域SNAにおいて、第2透明電極膜524における電極膜拡張部524aとは平面に視て非重畳となる位置に配されている。このように、スリット542が電極膜拡張部524aとは非重畳の配置となっていても、スリット542が第1層間絶縁膜541をその膜厚方向に貫通することがない形態とされることで残された薄肉部544によって、スリット542の形成に際して下層側の平坦化膜540がエッチングされるのを防ぐことができる。以上のように、薄肉部544を残存させる形でスリット542を第1層間絶縁膜541に形成することで、スリット542を、電極膜拡張部524aの配置に囚われることなく自由に配置しつつも、平坦化膜540にエッチングが及ぶのを好適に防ぐことができる。また、スリット542の配置自由度が高くされることで、スリット542及び薄肉部544の幅寸法は、上記した実施形態4に記載したものよりも広くすることができる。
[0078]
 詳しくは、スリット542及び薄肉部544は、シール部非配置領域SNAにおける外周側部分に配されており、シール部511dと電極膜拡張部524aとに挟み込まれる位置に配されている。そして、スリット542及び薄肉部544は、表示領域AAまでの距離よりも、シール部511dまでの距離の方が短くなる配置、言い換えると表示領域AAよりもシール部511dの近くに配置されている。従って、上記した実施形態4に記載したスリット342に比べると、本実施形態に係るスリット542及び薄肉部544は、第1層間絶縁膜541におけるシール部511dの接着箇所により近い位置に配置されている。従って、第1層間絶縁膜541におけるシール部511dの接着箇所に応力が作用して剥離が生じたとしても、上記したスリット542の配置によって第1層間絶縁膜541における剥離し得る部分の範囲が狭いものとなる。これにより、第1層間絶縁膜541に剥離が生じたとしてもその剥離範囲が限定されることで、表示性能に悪影響を及ぼし難いものとされる。
[0079]
 以上説明したように本実施形態によれば、第1層間絶縁膜541は、スリット542が表示領域AAよりもシール部511dの近くに配されるよう設けられている。このようにすれば、第1層間絶縁膜541におけるスリット542の形成部位に薄肉部が形成される構成では、スリット542の配置自由度が高いものとなるので、スリット542を表示領域AAよりもシール部511dの近くに配置することが可能となる。そして、第1層間絶縁膜541におけるシール部511dの接着箇所に応力が作用して剥離が生じたとしても、上記したスリット542の配置によって第1層間絶縁膜541における剥離し得る部分の範囲が狭いものとなる。これにより、第1層間絶縁膜541に剥離が生じたとしてもその剥離範囲が限定されることで、表示性能に悪影響を及ぼし難いものとされる。
[0080]
 <実施形態7>
 本発明の実施形態7を図17によって説明する。この実施形態7では、上記した実施形態6からスリット642の深さを変更し、薄肉部を除去したものを示す。なお、上記した実施形態6と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0081]
 本実施形態に係るスリット642は、図17に示すように、非表示領域NAAのシール部非配置領域SNAにおいて、第2透明電極膜624における電極膜拡張部624aとは平面に視て非重畳となる位置に配されるとともに、第1層間絶縁膜641をその膜厚方向について貫通する形で形成されている。このため、スリット642を通して下層側の平坦化膜640が液晶層611c側に露出している。スリット642は、表示領域AAよりもシール部611dの近くに配置されている。このように薄肉部を残存させることなく第1層間絶縁膜641に形成されたスリット642の配置を、電極膜拡張部624aの配置に囚われることなく自由に設定することも可能である。
[0082]
 以上説明したように本実施形態によれば、アレイ基板611bにおいて表示領域AAと非表示領域NAAとに跨る範囲に配されるとともに第1層間絶縁膜641のアレイ基板611b側に配される平坦化膜640を備えており、第1層間絶縁膜641は、スリット642が平坦化膜640と重畳する位置に配されるよう設けられている。このようにすれば、スリット642の配置自由度が高いものとなる。
[0083]
 <実施形態8>
 本発明の実施形態8を図18または図19によって説明する。この実施形態8では、上記した実施形態1からスリット742の数を変更したものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0084]
 本実施形態に係るスリット742は、図18及び図19に示すように、非表示領域NAAのシール部非配置領域SNAにおいて、互いに並行する形で2本が第1層間絶縁膜741に形成されている。これら2本のスリット742は、共にシール部711dに倣ってその全周にわたって連続的に延在する形態とされている。2本のスリット742は、相対的に表示領域AAの近くに配される内周側スリット742Aと、相対的にシール部711dの近くに配される外周側スリット742Bと、からなり、それぞれが第2透明電極膜724における電極膜拡張部724aと平面に視て重畳する配置とされる。第1層間絶縁膜741は、内周側スリット742Aよりも内側に配される内周側部分741aと、外周側スリット742Bよりも外側に配される外周側部分741bと、両スリット742A,742Bの間に挟み込まれる中間部分46と、に区分される。このうちの中間部分46は、両スリット742A,742Bに倣って平面に視て額縁状をなしている。
[0085]
 <実施形態9>
 本発明の実施形態9を図20または図21によって説明する。この実施形態9では、上記した実施形態2,4の構成を組み合わせたものを示す。なお、上記した実施形態2,4と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0086]
 本実施形態に係るスリット842は、図20及び図21に示すように、シール部811dに倣ってその全周にわたって間欠的に並んで配されるとともに、第1層間絶縁膜841をその膜厚方向について貫通することがない深さで形成されている。従って、隣り合うスリット842の間には、第1層間絶縁膜841の内周側部分841aと外周側部分841bとを繋ぐスリット間残存部843が残されるのに加えて、第1層間絶縁膜841におけるスリット842の形成部分には、スリット842の非形成部分よりも膜厚が薄肉な薄肉部844が残されている。
[0087]
 <実施形態10>
 本発明の実施形態10を図22または図23によって説明する。この実施形態10では、上記した実施形態3,4の構成を組み合わせたものを示す。なお、上記した実施形態3,4と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0088]
 本実施形態に係るスリット942は、図22及び図23に示すように、全体としてシール部911dに倣う形で平面に視て額縁状をなすよう配されるとともに、その周方向に加えて幅方向についても所定の間隔を空けて複数ずつ並んで配されているのに加えて、第1層間絶縁膜941をその膜厚方向について貫通することがない深さで形成されている。従って、隣り合うスリット942の間には、全体として平面に視て格子状をなすスリット間残存部943が残されるのに加えて、第1層間絶縁膜941におけるスリット942の形成部分には、スリット942の非形成部分よりも膜厚が薄肉な薄肉部944が残されている。
[0089]
 <実施形態11>
 本発明の実施形態11を図24によって説明する。この実施形態11では、上記した実施形態1からスリット1042の配置を変更するとともにスリット1042と重畳する第2の電極膜拡張部47を設けたものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0090]
 本実施形態に係るスリット1042は、図24に示すように、非表示領域NAAのシール部非配置領域SNAにおいて、表示領域AAよりもシール部1011dの近くに配されるとともに、第2透明電極膜1024における電極膜拡張部(第1の電極膜拡張部)1024aとは平面に視て非重畳となる位置に配されている。その上で、スリット1042に対して平面に視て重畳する位置には、第2透明電極膜1024からなる第2の電極膜拡張部47が設けられている。第2の電極膜拡張部47は、電極膜拡張部1024aからは分離された島状をなしている。従って、第1層間絶縁膜1041にスリット1042をフォトリソグラフィ法によって形成するのに際し、第1層間絶縁膜1041を部分的にエッチングする場合において、第1層間絶縁膜1041におけるスリット1042の形成予定部分の下層側に第2透明電極膜1024の第2の電極膜拡張部47が配されることで、第2の電極膜拡張部47がエッチングストッパとして機能し、エッチングが第2の電極膜拡張部47の下層側の平坦化膜1040にまで及ぶことが避けられる。これにより、平坦化膜1040の膜厚均一性が良好に保たれている。
[0091]
 <実施形態12>
 本発明の実施形態12を図25によって説明する。この実施形態12では、上記した実施形態11から第2の電極膜拡張部1147を電極膜拡張部1124aに繋げたものを示す。なお、上記した実施形態11と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0092]
 本実施形態に係る第2の電極膜拡張部1147は、図25に示すように、電極膜拡張部1124aに繋げられている。これにより、スリット1142の平面配置や形成範囲を変更した場合でも、スリット1142に対して第2透明電極膜1124を平面に視て重畳した配置を容易に維持することが可能とされる。このような構成においても、第2の電極膜拡張部1147がエッチングストッパとして機能することで、エッチングが第2の電極膜拡張部1147の下層側の平坦化膜1140にまで及ぶことが避けられる。
[0093]
 <実施形態13>
 本発明の実施形態13を図26によって説明する。この実施形態13では、上記した実施形態1から共通電極部1222をCF基板1211a側に配置した構成のものを示す。なお、上記した実施形態1と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0094]
 本実施形態に係る液晶パネル1211は、図26に示すように、共通電極部1222が第3透明電極膜49からなるとともに、その第3透明電極膜49がアレイ基板1211b側ではなく、CF基板1211a側に配置されており、動作モードがVA(Vertical Alignment:垂直配向)モードとされている。共通電極部1222をなす第3透明電極膜49は、CF基板側平坦化膜1211jに対して上層側(CF基板1211a側とは反対側)に積層する形で配されており、CF基板1211aのほぼ全面にわたるベタ状のパターンとされる。また、共通電極部1222をなす第3透明電極膜49は、第1透明電極膜1223及び第2透明電極膜1224と同様に、例えばITO(Indium Tin Oxide)或いはZnO(Zinc Oxide)といった透明電極材料からなる。アレイ基板1211b側に配された画素電極1218をなす第1透明電極膜1223は、液晶層1211cを介してCF基板1211a側に配された共通電極部1222をなす第3透明電極膜49と対向状に配されているので、TFT1217を駆動して両透明電極膜1223,49間に生じ得る電位差を制御することで、液晶層1211cに含まれる液晶分子の配向状態を制御することができる。さらには、アレイ基板1211bにおいては、画素電極1218をなす第1透明電極膜1223との間で第1層間絶縁膜1241を挟み込む第2透明電極膜1224によって補助容量電極50が構成されている。この補助容量電極50は、第1層間絶縁膜1241を介して画素電極1218をなす第1透明電極膜1223と対向状に配されることで、画素電極1218をなす第1透明電極膜1223との間で容量を形成している。そして、補助容量電極50は、共通電位供給部1229に接続されることで、共通電位が供給されているので、TFT1217によって充電された画素電極1218の電位を一定期間保持させることが可能とされる。
[0095]
 そして、アレイ基板1211bの非表示領域NAAにおけるシール部非配置領域SNAにおいて、シール部1211dが直接接着された第1層間絶縁膜1241には、シール部1211dに倣ってその全周にわたって連続的に延在する形態のスリット1242が形成されている。スリット1242は、第1層間絶縁膜1241をその膜厚方向について貫通する形態とされている。従って、第1層間絶縁膜1241は、スリット1242を境界として、主に表示領域AAに配される内周側部分1241aと、全域が非表示領域NAAに配される外周側部分1241bとに分離(分割)されている。このうちの外周側部分1241bに対してシール部1211dが接着されている。このことから、第1層間絶縁膜1241のうちのシール部1211dの接着箇所を有する外周側部分1241bに温度変化に伴って生じる応力が作用した場合でも、スリット1242によって分離された内周側部分1241aに、上記した応力が極めて伝達され難くなっている。これにより、第1層間絶縁膜1241における表示領域AA側の部分に剥離が生じ難くなるので、表示領域AAにおいて第1層間絶縁膜1241の上層側に配される第1透明電極膜1223に位置ずれなどの不良が生じ難くなる。もって、表示不良の発生が抑制され、特に狭額縁化を図る上で好適とされる。このスリット1242は、アレイ基板1211bの製造工程において、既知のフォトリソグラフィ法により第1層間絶縁膜1241をパターニングすることで形成されており、コンタクトホールCH2を形成するのと同時に(同じ工程で)形成されている。
[0096]
 <実施形態14>
 本発明の実施形態14を図27によって説明する。この実施形態14では、上記した実施形態13からスリット1342の深さを変更したものを示す。なお、上記した実施形態13と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0097]
 本実施形態に係るスリット1342は、図27に示すように、第1層間絶縁膜1341をその膜厚方向について貫通することがない深さで形成されている。つまり、このスリット1342の深さ寸法は、第1層間絶縁膜1341の膜厚に満たない大きさとされている。従って、第1層間絶縁膜1341におけるスリット1342の形成部分には、第1層間絶縁膜1341におけるスリット1342の非形成部分の膜厚よりも薄肉な薄肉部1344が形成されている。第1層間絶縁膜1341のうち、薄肉部1344に比べて膜厚が相対的に大きくされたスリット1342の非形成部分には、外周側部分1341bにおけるシール部1311dと平面に視て重畳する部分や内周側部分1341aが含まれている。スリット1342及び薄肉部1344は、シール部1311dに倣ってその全周にわたって連続的に延在する形で配されている。従って、薄肉部1344は、第1層間絶縁膜1341における内周側部分1341aと外周側部分1341bとを全周にわたって繋いでいる。このような構成であっても、第1層間絶縁膜1341のうちシール部1311dが接着された外周側部分1341bに温度変化に伴って応力が作用した場合、その応力が薄肉部1344によって緩和されるので、内周側部分1341aに剥離が生じ難くなっている。
[0098]
 本実施形態に係るスリット1342の形成に際しては、アレイ基板1311bの製造工程の中の露光工程において第1層間絶縁膜1341を露光するのに用いるフォトマスクを、図示しないハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクとしている。ハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクは、露光光の透過率が例えば10%~70%程度とされる半透過領域を有しているので、露光工程では、このうちの半透過領域の透過光により、第1層間絶縁膜1341におけるスリット1342及び薄肉部1344の形成予定部分を露光するようにしている。このようなハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクを用いて露光工程を行った後にエッチング工程を行うことで、薄肉部1344を残存させた形でスリット1342を形成することができる。このエッチング工程では、スリット1342の形成部分に薄肉部1344が残されることで、エッチングが第1層間絶縁膜1341の下層側の第2層間絶縁膜1339に及ぶことが避けられている。これにより、第2層間絶縁膜1339の膜厚均一性を高く維持することができる。また、スリット1342の配置自由度が高いものとなる。
[0099]
 <実施形態15>
 本発明の実施形態15を図28によって説明する。この実施形態15では、上記した実施形態13からスリット1442の数を変更したものを示す。なお、上記した実施形態13と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。
[0100]
 本実施形態に係るスリット1442は、図28に示すように、非表示領域NAAのシール部非配置領域SNAにおいて、互いに並行する形で2本が第1層間絶縁膜1441に形成されている。これら2本のスリット1442は、共にシール部1411dに倣ってその全周にわたって連続的に延在する形態とされている。2本のスリット1442は、相対的に表示領域AAの近くに配される内周側スリット1442Aと、相対的にシール部1411dの近くに配される外周側スリット1442Bと、からなる。第1層間絶縁膜1441は、内周側スリット1442Aよりも内側に配される内周側部分1441aと、外周側スリット1442Bよりも外側に配される外周側部分1441bと、両スリット1442A,1442Bの間に挟み込まれる中間部分1446と、に区分される。このうちの中間部分1446は、両スリット1442A,1442Bに倣って平面に視て額縁状をなしている。
[0101]
 <他の実施形態>
 本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
 (1)上記した各実施形態(実施形態5を除く)では、スリットがシール部に倣ってその全周にわたって連続的または間欠的に配されるよう設けられた場合を示したが、スリットがシール部の周方向について部分的に配される構成であってもよい。例えば、シール部における角部を除いた真っ直ぐな部分にのみ倣う形でスリットを設けたものや、逆にシール部における真っ直ぐな部分を除いた角部にのみ倣う形でスリットを設けることも可能である。また、上記した各実施形態(実施形態5を除く)では、スリットが全周にわたって一定幅とされる構成を示したが、スリットの幅がその周方向について途中で変化する構成を採ることも可能である、例えば、平面に視て額縁状とされるスリットのうち、特に大きな応力の発生が懸念される四隅の角部では、真っ直ぐな辺部に比べてスリットの幅を幅広にする構成を採ることができる。
[0102]
 (2)上記した実施形態2,3において、隣り合うスリット間の配列間隔、スリット間残存部の幅寸法、スリットの設置数、スリットの平面形状などは適宜に変更可能である。これは、実施形態9,10においても同様である。
[0103]
 (3)上記した実施形態4,6,14において、薄肉部の厚さ寸法(第1層間絶縁膜におけるスリットの非形成部分の膜厚に対する比率)、スリットの幅寸法などは適宜に変更可能である。これは、実施形態9,10においても同様である。
[0104]
 (4)上記した実施形態5において、アレイ基板における第1層間絶縁膜が形成されない部分(下層側の平坦化膜が露出する部分)の具体的な範囲は適宜に変更可能である。
[0105]
 (5)上記した実施形態5において、第1層間絶縁膜の下層側に配される平坦化膜にスリットを形成するようにしてもよい。
[0106]
 (6)上記した実施形態6,7,11,12,13,14において、スリットの平面配置を適宜に変更することが可能である。特に実施形態11,12においては、スリットの平面配置を変更するのに伴い、第2の電極膜拡張部の平面配置も変更するのが好ましい。
[0107]
 (7)上記した実施形態8,15において、スリットの本数を3本以上とすることも可能である。また、上記した実施形態8,15において、各スリットの幅寸法や隣り合うスリット間の間隔などを適宜に変更することも可能である。
[0108]
 (8)上記した実施形態11,12において、実施形態2,3,4,8,9,10に記載された各構成を適宜に組み合わせることも可能である。
[0109]
 (9)上記した実施形態13において、実施形態2,3,6,7,9,10に記載された各構成を適宜に組み合わせることも可能である。
[0110]
 (10)上記した実施形態13において、実施形態5に記載された各構成を適宜に組み合わせることも可能である。
[0111]
 (11)上記した各実施形態では、半導体膜をCGシリコン薄膜(多結晶シリコン薄膜)とした場合を例示したが、それ以外にも、例えば酸化物半導体やアモルファスシリコンを半導体膜の材料として用いることも可能である。
[0112]
 (12)上記した各実施形態では、第1金属膜及び第2金属膜がチタン(Ti)及び銅(Cu)の積層膜により形成される場合を示したが、例えばチタンに代えてモリブデン(Mo)、窒化モリブデン(MoN)、窒化チタン(TiN)、タングステン(W)、ニオブ(Nb)、モリブデン-チタン合金(MoTi)、モリブデン-タングステン合金(MoW)などを用いることも可能である。それ以外にも、チタン、銅、アルミニウムなどの単層の金属膜を用いることも可能である。
[0113]
 (13)上記した各実施形態では、動作モードがFFSモードまたはVAモードとされた液晶パネルについて例示したが、それ以外にもIPS(In-Plane Switching)モードなどの他の動作モードとされた液晶パネルについても本発明は適用可能である。
[0114]
 (14)上記した各実施形態では、液晶パネルにおいて表示部が短辺方向については中央に配されるものの長辺方向についての一方の端部側に片寄った配置とされたものを示したが、液晶パネルにおいて表示部が長辺方向については中央に配されるものの短辺方向について一方の端部側に片寄った配置とされるものも本発明に含まれる。また、液晶パネルにおいて表示部が長辺方向及び短辺方向についてそれぞれ一方の端部側に片寄った配置とされるものも本発明に含まれる。逆に、液晶パネルにおいて表示部が長辺方向及び短辺方向について中央に配置されるものも本発明に含まれる。
[0115]
 (15)上記した各実施形態では、ドライバをアレイ基板上に直接COG実装したものを示したが、アレイ基板に対してACFを介して接続したフレキシブル基板上にドライバを実装するようにしたものも本発明に含まれる。
[0116]
 (16)上記した各実施形態では、縦長な方形状をなす液晶パネルを例示したが、横長な方形状をなす液晶パネルや正方形状をなす液晶パネルにも本発明は適用可能である。
[0117]
 (17)上記した各実施形態に記載した液晶パネルに対して、タッチパネルや視差バリアパネル(スイッチ液晶パネル)などの機能性パネルを積層する形で取り付けるようにしたものも本発明に含まれる。また、液晶パネルに直接タッチパネルパターンを形成するようにしたものも本発明に含まれる。
[0118]
 (18)上記した各実施形態では、液晶表示装置が備えるバックライト装置としてエッジライト型のものを例示したが、直下型のバックライト装置を用いるようにしたものも本発明に含まれる。
[0119]
 (19)上記した各実施形態では、外部光源であるバックライト装置を備えた透過型の液晶表示装置を例示したが、本発明は、外光を利用して表示を行う反射型液晶表示装置にも適用可能であり、その場合はバックライト装置を省略することができる。
[0120]
 (20)上記した各実施形態では、液晶表示装置のスイッチング素子としてTFTを用いたが、TFT以外のスイッチング素子(例えば薄膜ダイオード(TFD))を用いた液晶表示装置にも適用可能であり、またカラー表示する液晶表示装置以外にも、白黒表示する液晶表示装置にも適用可能である。
[0121]
 (21)上記した各実施形態では、一対の基板間に液晶層が挟持された構成とされる液晶パネルについて例示したが、一対の基板間に液晶材料以外の機能性有機分子を挟持した表示パネルについても本発明は適用可能である。
[0122]
 (22)上記した各実施形態では、表示パネルとして液晶パネルを例示したが、それ以外にも例えばPDP(プラズマディスプレイパネル)や有機ELパネルなどの表示パネルにも本発明は適用可能である。
[0123]
 (23)上記した各実施形態では、小型または中小型に分類され、携帯型情報端末、携帯電話(スマートフォンを含む)、ノートパソコン(タブレット型ノートパソコンを含む)、デジタルフォトフレーム、携帯型ゲーム機、電子インクペーパなどの各種電子機器などに用いされる液晶パネルを例示したが、画面サイズが例えば20インチ~90インチで、中型または大型(超大型)に分類される液晶パネルにも本発明は適用可能である。その場合、液晶パネルをテレビ受信装置、電子看板(デジタルサイネージ)、電子黒板などの電子機器に用いることが可能とされる。

符号の説明

[0124]
 11,411,1211...液晶パネル(表示装置)、11a,411a,1211a...CF基板(第2基板)、11b,311b,411b,611b,1211b,1311b...アレイ基板(第1基板)、11d,111d,211d,311d,411d,511d,711d,811d,911d,1011d,1211d,1311d,1411d...シール部、11i...遮光部、23,423,1223...第1透明電極膜、24,324,424,524,624,1024,1124,1224...第2透明電極膜、24a,324a,524a,624a,1024a,1124a...電極膜拡張部、29...共通電位供給部、40,340,440,540,640,1040,1140...平坦化膜(第2絶縁膜)、41,141,241,341,441,541,641,741,841,841,941,1041,1241,1341,1441...第1層間絶縁膜(第1絶縁膜)、42,142,242,342,542,642,742,842,942,1042,1142,1242,1342,1442...スリット、44,544,844,944,1344...薄肉部、47,1147...第2の電極膜拡張部(電極膜拡張部)、AA...表示領域、CH3...コンタクトホール、IS...内部空間、NAA...非表示領域

請求の範囲

[請求項1]
 表示領域と前記表示領域を取り囲む非表示領域とに区分される第1基板と、
 前記第1基板との間に内部空間を有する形で対向状に配される第2基板と、
 前記第1基板と前記第2基板との間に介在し、前記内部空間を取り囲む形で前記非表示領域に配されるとともに前記内部空間を封止するシール部と、
 前記第1基板において少なくとも前記表示領域に配される第1透明電極膜と、
 前記第1基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されて前記シール部が接着されるとともに前記第1透明電極膜の前記第1基板側に配される第1絶縁膜であって、前記非表示領域において前記シール部よりも前記表示領域側となる位置に配されるスリットを有する第1絶縁膜と、
 前記第1基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第1絶縁膜の前記第1基板側に配されて前記第1絶縁膜を前記第1透明電極膜との間で挟み込む第2透明電極膜と、を備える表示装置。
[請求項2]
 前記第2透明電極膜は、前記非表示領域にまで拡張して配される電極膜拡張部を有しており、
 前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記第2透明電極膜の前記電極膜拡張部と重畳する位置に配されるよう設けられている請求項1記載の表示装置。
[請求項3]
 前記第1基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されるとともに前記第2透明電極膜の前記第1基板側に配される第2絶縁膜と、
 前記第1基板において前記非表示領域に配されるとともに前記第2絶縁膜の前記第1基板側に配されるとともに共通電位とされる共通電位供給部と、を備えており、
 前記電極膜拡張部は、前記第2絶縁膜に開口形成されたコンタクトホールを通して前記共通電位供給部に接続されている請求項2記載の表示装置。
[請求項4]
 前記第1基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されるとともに前記第1絶縁膜の前記第1基板側に配される第2絶縁膜を備えており、
 前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記第2絶縁膜と重畳する位置に配されるよう設けられている請求項1記載の表示装置。
[請求項5]
 前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記第1絶縁膜の膜厚方向について貫通する形態となるよう設けられている請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の表示装置。
[請求項6]
 前記第1絶縁膜は、前記スリットの形成部位に、前記スリットの非形成部位よりも薄肉な薄肉部が形成されるよう設けられている請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の表示装置。
[請求項7]
 前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記表示領域よりも前記シール部の近くに配されるよう設けられている請求項6記載の表示装置。
[請求項8]
 前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記シール部に倣ってその全周にわたって連続的または間欠的に配されるよう設けられている請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の表示装置。
[請求項9]
 前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記シール部の全周にわたって連続的に延在する溝状をなすよう設けられている請求項8記載の表示装置。
[請求項10]
 前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記シール部の全周にわたって間欠的に配されるよう設けられている請求項8記載の表示装置。
[請求項11]
 前記第2基板において少なくとも前記非表示領域に配される遮光部を備えており、
 前記第1絶縁膜は、前記スリットが前記遮光部と重畳する配置となるよう設けられている請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の表示装置。
[請求項12]
 表示領域と前記表示領域を取り囲む非表示領域とに区分される第1基板と、
 前記第1基板との間に内部空間を有する形で対向状に配される第2基板と、
 前記第1基板と前記第2基板との間に介在し、前記内部空間を取り囲む形で前記非表示領域に配されるとともに前記内部空間を封止するシール部と、
 前記第1基板において少なくとも前記表示領域に配される第1透明電極膜と、
 前記第1基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第1透明電極膜の前記第1基板側に配され且つ前記シール部とは非重畳となる範囲に配されてなる第1絶縁膜と、
 前記第1基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第1絶縁膜の前記第1基板側に配されて前記第1絶縁膜を前記第1透明電極膜との間で挟み込む第2透明電極膜と、を備える表示装置。
[請求項13]
 前記第1基板において少なくとも前記表示領域に配されるとともに前記第1絶縁膜の前記第1基板側に配されて前記第1絶縁膜を前記第1透明電極膜との間で挟み込む第2透明電極膜と、
 前記第1基板において前記表示領域と前記非表示領域とに跨る範囲に配されて前記シール部が接着されるとともに前記第2透明電極膜の前記第1基板側に配され且つ前記第1絶縁膜よりも膜厚が大きな第2絶縁膜と、を備える請求項12記載の表示装置。

図面

[ 図 1]

[ 図 2]

[ 図 3]

[ 図 4]

[ 図 5]

[ 図 6]

[ 図 7]

[ 図 8]

[ 図 9]

[ 図 10]

[ 図 11]

[ 図 12]

[ 図 13]

[ 図 14]

[ 図 15]

[ 図 16]

[ 図 17]

[ 図 18]

[ 図 19]

[ 図 20]

[ 図 21]

[ 図 22]

[ 図 23]

[ 図 24]

[ 図 25]

[ 図 26]

[ 図 27]

[ 図 28]