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1. (WO2015129486) レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129486 国際出願番号: PCT/JP2015/053969
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 13.02.2015
IPC:
G03F 7/11 (2006.01) ,C08F 220/06 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
09
構造の細部,例.支持体,補助層,に特徴のあるもの
11
被覆層又は中間層,例.下塗層をもつもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
220
ただ1つの炭素―炭素二重結合を含有する1個以上の不飽和脂肪族基をもち,そのうちのただ1つの脂肪族基がただ1つのカルボキシル基によって停止されている化合物.その塩,無水物,エステル,アミド,イミドまたはそのニトリルの共重合体
02
9個以下の炭素原子をもつモノカルボン酸;その誘導体
04
酸;その金属塩またはアンモニウム塩
06
アクリル酸;メタクリル酸;それらの金属塩またはアンモニウム塩
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
日産化学工業株式会社 NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区神田錦町三丁目7番地1 7-1, Kanda-Nishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054, JP
発明者:
藤谷 徳昌 FUJITANI, Noriaki; JP
坂本 力丸 SAKAMOTO, Rikimaru; JP
代理人:
特許業務法人はなぶさ特許商標事務所 HANABUSA PATENT & TRADEMARK OFFICE; 東京都千代田区神田駿河台3丁目2番地 新御茶ノ水アーバントリニティ Shin-Ochanomizu Urban Trinity, 2, Kandasurugadai 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010062, JP
優先権情報:
2014-03585426.02.2014JP
発明の名称: (EN) COMPOSITION FOR FORMING UPPER-LAYER RESIST FILM, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAID COMPOSITION
(FR) COMPOSITION POUR FORMER UN FILM DE RÉSERVE DE COUCHE SUPÉRIEURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN UTILISANT LADITE COMPOSITION
(JA) レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a composition for forming a upper-layer resist film used in a lithography process during a step for manufacturing a semiconductor device, the composition not intermixing with the resist, and blocking exposure light, such as UV or DUV, that is undesirable particularly during EUV exposure, and selectively transmitting only EUV. The composition is capable of being developed using developing fluid after exposure. [Solution] A composition for forming an upper-layer resist film including the unit structure represented in formula (1) and formula (2) shown below, and including: a polymer (P) having a weight-average molecular weight of 500-2000 according to GPC; and, as a solvent, a C8-16 ether compound.
(FR) Le but de l'invention est de fournir une composition pour former un film de réserve de couche supérieure utilisé dans un processus de lithographie lors d'une étape de fabrication d'un dispositif à semi-conducteurs, la composition n'étant pas mélangée avec la réserve, et bloquant une lumière d'exposition, telle que UV ou DUV, qui n'est pas souhaitable notamment lors d'une exposition EUV, et transmettant sélectivement uniquement l'EUV. La composition peut être développée à l'aide d'un fluide de développement après une exposition. L'invention porte sur une composition pour former un film de réserve de couche supérieure comprenant la structure d'unité représentée dans la formule (1) et la formule (2) montrées ci-dessous, et comprenant : un polymère (P) ayant un poids moléculaire moyen en poids de 500-2000 selon GPC ; et, en tant que solvant, un composé d'éther C8-16.
(JA) 【課題】 レジストとインターミキシングすることなく、特にEUV露光に際して好ましくない露光光、例えばUVやDUVを遮断してEUVのみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能な、半導体装置の製造工程におけるリソグラフィープロセスに用いるレジスト上層膜形成組成物を提供する。 【解決手段】 下記式(1)及び式(2)で表される単位構造を含み、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ法により測定される重量平均分子量が500乃至2,000である重合体(P)と、溶剤として炭素原子数8乃至16のエーテル化合物とを含むレジスト上層膜形成組成物。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106030408US20170010535JPWO2015129486KR1020160126970