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1. (WO2015129469) 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129469 国際出願番号: PCT/JP2015/053849
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 12.02.2015
IPC:
C04B 35/00 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,C23C 14/58 (2006.01) ,H01L 21/363 (2006.01)
C 化学;冶金
04
セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
B
石灰;マグネシア;スラグ;セメント;その組成物,例.モルタル,コンクリートまたは類似の建築材料;人造石;セラミックス;耐火物;天然石の処理
35
組成に特徴を持つ成形セラミック製品;セラミック組成;セラミック製品を製造するための無機化合物粉末の処理
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
22
被覆の方法に特徴のあるもの
34
スパッタリング
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
14
被覆形成材料の真空蒸着,スパッタリングまたはイオン注入法による被覆
58
後処理
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
34
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない21/06,21/16および21/18に分類されない半導体本体を有する装置
36
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
363
物理的析出を用いるもの,例.真空蒸着,スパッタリング
出願人:
住友金属鉱山株式会社 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. [JP/JP]; 東京都港区新橋5-11-3 11-3, Shimbashi 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1058716, JP
発明者:
中山 徳行 NAKAYAMA, Tokuyuki; JP
西村 英一郎 NISHIMURA, Eiichiro; JP
松村 文彦 MATSUMURA, Fumihiko; JP
井藁 正史 IWARA, Masashi; JP
代理人:
正林 真之 SHOBAYASHI, Masayuki; JP
優先権情報:
2014-03702227.02.2014JP
2014-16314808.08.2014JP
2014-26362225.12.2014JP
発明の名称: (EN) OXIDE SINTERED BODY, SPUTTERING TARGET, AND OXIDE SEMICONDUCTOR THIN FILM OBTAINED USING SPUTTERING TARGET
(FR) CORPS FRITTÉ À BASE D'OXYDES, CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE, ET FILM MINCE SEMI-CONDUCTEUR À BASE D'OXYDES OBTENU À L'AIDE DE LADITE CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE
(JA) 酸化物焼結体、スパッタリング用ターゲット、及びそれを用いて得られる酸化物半導体薄膜
要約:
(EN) An oxide sintered body which, when made into an oxide semiconductor thin film by sputtering, can achieve low carrier density and high carrier mobility, and a sputtering target using said oxide sintered body are provided. This oxide sintered body contains indium, gallium and zinc as oxides. The gallium content, expressed as the atomic ratio Ga/(In+Ga), is 0.08 or greater and less than 0.20, and the zinc content, expressed as the atomic ratio Zn/(In+Ga+Zn), is 0.0001 or greater and less than 0.08. This crystalline oxide semiconductor thin film is formed with the oxide sintered body as a sputtering target, and can achieve a carrier density of 8.0×1017cm-3 or less and a carrier mobility of 10cm2/V*s or greater.
(FR) Cette invention concerne un corps fritté à base d'oxydes qui, lorsqu'il est converti en un film mince semi-conducteur à base d'oxydes par pulvérisation cathodique, permet d'obtenir une faible densité de porteurs de charge et une mobilité élevée desdits porteurs de charge ; et une cible de pulvérisation cathodique utilisant ledit corps fritté à base d'oxydes. Le corps fritté à base d'oxydes selon l'invention contient de l'indium, du gallium et du zinc à titre d'oxydes. Sa teneur en gallium, exprimée en rapport atomique Ga/(In + Ga), est de 0,08 ou plus et inférieure à 0,20, et sa teneur en zinc, exprimée en rapport atomique Zn/(In + Ga + Zn), est de 0,0001 ou plus et inférieure à 0,08. Le film mince semi-conducteur cristallin à base d'oxydes selon l'invention est formé en utilisant le corps fritté à base d'oxydes à titre de cible de pulvérisation cathodique, et permet d'obtenir une densité de porteurs de charge de 8,0×1017 cm-3 ou moins et une mobilité desdits porteurs de charge de 10 cm2/V*s ou plus.
(JA)  スパッタリング法によって酸化物半導体薄膜とした場合に、低キャリア濃度、高キャリア移動度が得られる酸化物焼結体、及びそれを用いたスパッタリング用ターゲットを提供する。 この酸化物焼結体は、インジウム、ガリウム及び亜鉛を酸化物として含有する。ガリウムの含有量がGa/(In+Ga)原子数比で0.08以上0.20未満であり亜鉛の含有量がZn/(In+Ga+Zn)原子数比で0.0001以上0.08未満である。この酸化物焼結体をスパッタリング用ターゲットとして形成した結晶質の酸化物半導体薄膜は、キャリア濃度8.0×1017cm-3以下で、キャリア移動度10cm/V・s以上が得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106029603US20160348230KR1020160125959