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1. (WO2015129417) 電子デバイス封止用樹脂組成物および電子デバイス
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129417 国際出願番号: PCT/JP2015/053122
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 04.02.2015
IPC:
C09K 3/10 (2006.01) ,C08F 2/44 (2006.01) ,C08F 2/50 (2006.01) ,C08F 290/04 (2006.01) ,C08F 299/00 (2006.01) ,H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 23/29 (2006.01) ,H01L 23/31 (2006.01) ,H01L 29/786 (2006.01) ,H01L 31/048 (2014.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/04 (2006.01)
C 化学;冶金
09
染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
K
他に分類されない応用される物質;他に分類されない物質の応用
3
物質であって,他に分類されないもの
10
ジョイントまたはカバーを,シールまたはパッキングするためのもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
2
重合方法
44
配合成分,例.可塑剤,染料,充填剤,の存在下における重合
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
2
重合方法
46
波動エネルギーまたは粒子線の照射によって開始される重合
48
紫外線または可視光線によるもの
50
増感剤を用いるもの
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
290
脂肪族不飽和の末端基または側基の導入により変性された重合体に,単量体を重合させて得られる高分子化合物
02
不飽和末端基の導入により変性された重合体への
04
サブクラスC08CまたはC08Fに分類される重合体
C 化学;冶金
08
有機高分子化合物;その製造または化学的加工;それに基づく組成物
F
炭素-炭素不飽和結合のみが関与する反応によってえられる高分子化合物
299
非高分子量単量体の不存在下に,炭素-炭素不飽和結合のみが関与する重合体相互の反応によって得られる高分子化合物
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
31
半導体本体上への絶縁層の形成,例.マスキング用またはフォトリソグラフィック技術の使用によるもの;これらの層の後処理;これらの層のための材料の選択
312
有機物層,例.フォトレジスト
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
334
ユニポーラ型の装置の製造のための多段階工程
335
電界効果トランジスタ
336
絶縁ゲートを有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
29
材料に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
28
封緘,例.封緘層,被覆
31
配列に特徴のあるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
29
整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部整流,増幅,発振またはスイッチングに特に適用される半導体装置であり,少なくとも1つの電位障壁または表面障壁を有するもの;少なくとも1つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合空乏層またはキャリア集中層,を有するコンデンサーまたは抵抗器;半導体本体または電極の細部(31/00~47/00,51/05が優先;半導体本体または電極以外の細部23/00;1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品からなる装置27/00
66
半導体装置の型
68
整流,増幅またはスイッチされる電流を流さない電極に電流のみまたは電位のみを与えることにより制御できるもの
76
ユニポーラ装置
772
電界効果トランジスタ
78
絶縁ゲートによって生じる電界効果を有するもの
786
薄膜トランジスタ
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
31
赤外線,可視光,短波長の電磁波,または粒子線輻射に感応する半導体装置で,これらの輻射線エネルギーを電気的エネルギーに変換するかこれらの輻射線によって電気的エネルギーを制御かのどちらかに特に適用されるもの;それらの装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置;それらの細部
04
変換装置として使用されるもの
042
光電池のパネルまたは配列を含むもの,例.太陽電池
048
封緘されたものまたは容器を有するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
02
細部
04
封止装置
出願人:
古河電気工業株式会社 FURUKAWA ELECTRIC CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区丸の内2丁目2番3号 2-3, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008322, JP
発明者:
浅沼 匠 ASANUMA, Takumi; JP
青山 真沙美 AOYAMA, Masami; JP
石坂 靖志 ISHIZAKA, Yasushi; JP
三枝 哲也 MIEDA, Tetsuya; JP
代理人:
松下 亮 MATSUSHITA, Makoto; JP
優先権情報:
2014-03796328.02.2014JP
発明の名称: (EN) RESIN COMPOSITION FOR SEALING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE SERVANT À ÉTANCHÉIFIER UN DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE
(JA) 電子デバイス封止用樹脂組成物および電子デバイス
要約:
(EN)  Provided are: a resin composition for sealing an electronic device, the resin composition capable of adequately suppressing penetration by water vapor; and an electronic device in which the resin composition for sealing an electronic device is applied. The present invention includes (A) a polybutadiene polymer represented by chemical formula (1) having a (meth)acryloyl group at a terminal end thereof, and (B) a photopolymerization initiator, and does not include a thermoplastic resin having a mass-average molecular weight of 50,000 or greater. (In chemical formula (1), R1 and R2 each represent a hydroxyl group or H2C=C(R7)-COO-, R3 and R4 each independently represent a C1-C16 substituted or unsubstituted divalent organic group, R5, R6, and R7 each represent a hydrogen atom or a C1-C10 alkyl group, and at least one organic group represented by chemical formula (2) is included within chemical formula (1). In chemical formula (1), l and m each represent 0 or 1, n is an integer of 15-150, and x:y = 0-100:100-0. R1 and R2 are never both a hydroxyl group.)
(FR)  Cette invention concerne : une composition de résine servant à étanchéifier un dispositif électronique, ladite composition de résine étant capable d'empêcher de manière adéquate la pénétration de vapeur d'eau ; et un dispositif électronique dans lequel la composition de résine servant à étanchéifier un dispositif électronique est appliquée. La présente invention comprend (A) un polymère de polybutadiène représenté par la formule chimique (1) ayant un groupe (méth)acryloyle à l'une de ses extrémités terminales, et (B) un amorceur de photopolymérisation, et ne contient pas de résine thermoplastique ayant un poids moléculaire moyen en poids de 50 000 ou plus. (Dans la formule chimique (1), R1 et R2 représentent chacun un groupe hydroxyle ou H2C=C(R7)-COO-, R3 et R4 représentent chacun indépendamment un groupe organique divalent C1-C16, substitué ou non, R5, R6, et R7 représentent chacun un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle C1-C10, et au moins un groupe organique représenté par la formule chimique (2) est présent dans la formule chimique (1) ; l et m représentent chacun 0 ou 1, n est un entier de 15 à 150, x:y = 0-100:100-0, et R1 et R2 ne sont jamais tous les deux un groupe hydroxyle.)
(JA)  水蒸気の透過を十分に抑制することができる電子デバイス封止用樹脂組成物、および該電子デバイス封止用樹脂組成物を適用した電子デバイスを提供する。 (A)下記化学式(1)で表される末端に(メタ)アクリロイル基を有するポリブタジエン重合体と(B)光重合開始剤とを含み、質量平均分子量が5万以上の熱可塑性樹脂を含まない。(式中、R1およびR2はそれぞれ水酸基またはH2C=C(R7)-COO-を、R3およびR4はそれぞれ独立して炭素数1~16の置換、非置換の二価の有機基を、R5、R6、R7は、それぞれ水素原子または炭素数1~10のアルキル基を表し、その内部に少なくとも1つの下記化学式(2)で表される有機基を含む。lおよびmはそれぞれ0または1を、nは15~150を示す整数であり、x:y=0~100:100~0である。ただし、R1およびR2がいずれも水酸基である場合はない。)
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20160362576KR1020160122791CN106062022