16:00 CETの火曜日 19.11.2019のメンテナンス理由で数時間使用できません
国際・国内特許データベース検索
このアプリケーションの一部のコンテンツは現時点では利用できません。
このような状況が続く場合は、にお問い合わせくださいフィードバック & お問い合わせ
1. (WO2015129415) 半導体装置の製造方法および半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129415 国際出願番号: PCT/JP2015/053098
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 04.02.2015
IPC:
H01L 21/60 (2006.01) ,H01L 21/607 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
50
サブグループ21/06~21/326の一つに分類されない方法または装置を用いる半導体装置の組立
60
動作中の装置にまたは装置から電流を流すためのリードまたは他の導電部材の取り付け
607
機械振動,例.超音波振動,の適用を含むもの
出願人:
シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 大阪府堺市堺区匠町1番地 1, Takumi-cho, Sakai-ku, Sakai City, Osaka 5908522, JP
発明者:
石塚 悦子 ISHIZUKA, Etsuko; null
佐藤 知稔 SATOH, Tomotoshi; null
中西 宏之 NAKANISHI, Hiroyuki; null
代理人:
特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK; 大阪府大阪市北区天神橋2丁目北2番6号 大和南森町ビル Daiwa Minamimorimachi Building, 2-6, Tenjinbashi 2-chome Kita, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300041, JP
優先権情報:
2014-03732527.02.2014JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法および半導体装置
要約:
(EN)  A GaN-based power device (1) is provided with a bonding pad part (2) for ultrasonically bonding an aluminum wire (3), and a second electrode (42) formed below the bonding pad part (2). The GaN-based power device (1) applies ultrasonic vibration so that the angle θ between the direction in which the ultrasonic vibration is applied to the wire and the longitudinal direction of the second electrode (42) is such that 0° ≤ θ ≤ 45°.
(FR)  La présente invention concerne un dispositif électrique à base de GaN (1) qui est pourvu d'une partie plot de connexion (2) pour la connexion ultrasonique d'un fil en aluminium (3), et d'une seconde électrode (42) formée en dessous de la partie plot de connexion (2). Le dispositif électrique à base de GaN (1) applique une vibration ultrasonique pour que l'angle θ entre la direction dans laquelle la vibration ultrasonique est appliquée sur le fil et la direction longitudinale de la seconde électrode (42) soit telle que 0° ≤ θ ≤ 45°.
(JA)  GaN系パワーデバイス(1)は、アルミワイヤ(3)を超音波ボンディングするボンディングパッド部(2)と、ボンディングパッド部(2)の下に形成されている第2電極(42)とを備え、超音波振動をワイヤに印加する方向と第2電極(42)の長手方向との成す角θが、0°≦θ≦45°となるように超音波振動を印加にする。
front page image
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170062375JPWO2015129415