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1. (WO2015129392) 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129392 国際出願番号: PCT/JP2015/052826
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 02.02.2015
IPC:
H01L 21/027 (2006.01) ,B82Y 40/00 (2011.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
B 処理操作;運輸
82
ナノテクノロジー
Y
ナノ構造物の特定の使用または応用;ナノ構造物の測定または分析;ナノ構造物の製造または処理
40
ナノ構造物の製造または処理
出願人:
東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 東京都港区赤坂五丁目3番1号 3-1, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1076325, JP
発明者:
西 孝典 NISHI, Takanori; JP
冨田 忠利 TOMITA, Tadatoshi; JP
楊 元 YOU, Gen; JP
村松 誠 MURAMATSU, Makoto; JP
北野 高広 KITANO, Takahiro; JP
代理人:
金本 哲男 KANEMOTO, Tetsuo; JP
優先権情報:
2014-03465825.02.2014JP
発明の名称: (EN) SUBSTRATE TREATMENT METHOD, COMPUTER STORAGE MEDIUM, AND SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM
(FR) PROCÉDÉ DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, SUPPORT D'ENREGISTREMENT INFORMATIQUE ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT
(JA) 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
要約:
(EN) In this substrate treatment method, in which a substrate is treated using a block copolymer that contains a first polymer and a second polymer: the block copolymer is coated on a patterned substrate, and, subsequent to the coating of the block copolymer, the substrate is heat-treated at a temperature equal to or greater than the volatilization temperature of a solvent contained in the block copolymer, and the solvent is removed from the block copolymer; subsequent to solvent removal, the substrate is subjected to annealing treatment in an atmosphere of another solvent, which is different to the removed solvent, to phase separate the block copolymer into the first polymer and the second polymer, said annealing treatment being performed at a temperature that is lower than the volatilization temperature of the other solvent.
(FR) Dans ce procédé de traitement de substrat, au cours duquel un substrat est traité à l'aide d'un copolymère bloc qui contient un premier polymère et un second polymère : le copolymère bloc est appliqué sur un substrat à motifs et, après l'application du copolymère bloc, le substrat est traité thermiquement à une température égale ou supérieure à la température de volatilisation d'un solvant contenu dans le copolymère bloc, et le solvant est éliminé du copolymère bloc; après élimination du solvant, le substrat est soumis à un traitement de recuit dans une atmosphère d'un autre solvant, qui est différent du solvant éliminé, pour effectuer une séparation de phases du copolymère bloc en un premier polymère et en un second polymère, ledit traitement de recuit étant effectué à une température qui est inférieure à la température de volatilisation de l'autre solvant.
(JA)  第1のポリマーと第2のポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する基板処理方法は、パターンが形成された基板上にブロック共重合体を塗布し、ブロック共重合体塗布後の基板を、ブロック共重合体に含まれる溶剤の揮発温度以上で加熱処理して当該ブロック共重合体から溶剤を除去し、溶剤除去後の基板を、当該除去した溶剤とは異なる他の溶剤の雰囲気内でアニール処理して、ブロック共重合体を第1のポリマーと第2のポリマーに相分離させ、他の溶剤の揮発温度よりも低い温度で当該アニール処理が行われる。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)