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1. (WO2015129307) 樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129307 国際出願番号: PCT/JP2015/050633
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 13.01.2015
IPC:
G03F 7/038 (2006.01) ,G03F 7/004 (2006.01) ,H01L 21/027 (2006.01)
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
038
不溶性又は特異的に親水性になる高分子化合物
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
04
クロム酸塩
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
027
その後のフォトリソグラフィック工程のために半導体本体にマスクするもので,グループ21/18または21/34に分類されないもの
出願人:
富士フイルム株式会社 FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区西麻布2丁目26番30号 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620, JP
発明者:
土村 智孝 TSUCHIMURA Tomotaka; JP
山口 修平 YAMAGUCHI Shuhei; JP
横川 夏海 YOKOKAWA Natsumi; JP
代理人:
小田原 修一 ODAHARA Shuichi; JP
優先権情報:
2014-03403825.02.2014JP
発明の名称: (EN) RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING SAME, RESIST-APPLICATION MASK BLANKS, RESIST-PATTERNING METHOD, AND PHOTOMASK
(FR) COMPOSITION DE RÉSINE, FILM DE RÉSERVE UTILISANT CETTE DERNIÈRE, ÉBAUCHES DE MASQUE POUR APPLICATION DE RÉSERVE, PROCÉDÉ DE MODÉLISATION DE RÉSERVE ET PHOTOMASQUE
(JA) 樹脂組成物、それを用いたレジスト膜、レジスト塗布マスクブランクス、レジストパターン形成方法、及び、フォトマスク
要約:
(EN) This active-light-sensitive or radiation-sensitive resin composition contains the following: a macromolecular compound (A) that contains a phenolic hydroxyl group and has (a) a weight-average molecular weight between 3,000 and 6,500, inclusive, and (b) a glass transition temperature (Tg) of at least 140°C; a compound (B) that generates an acid upon exposure to active light or radiation; and (C) a cross-linker that cross-links the macromolecular compound (A) via the action of the aforementioned acid and has a glass transition temperature (Tg) of at least 200°C.
(FR) Cette composition de résine sensible à la lumière active ou sensible au rayonnement contient les éléments suivants : un composé macromoléculaire (A) qui contient un groupe hydroxyle phénolique et possède (a) un poids moléculaire moyen en poids compris entre 3000 et 6 500, inclus, et (b) une température de transition vitreuse (Tg) d'au moins 140 °C; un composé (B) qui génère un acide lors de son exposition à une lumière active ou un rayonnement; et (C) un agent de réticulation qui réticule le composé macromoléculaire (A) par l'action de l'acide susmentionné et possède une température de transition vitreuse (Tg) d'au moins 200° C.
(JA)  感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、フェノール性水酸基を有し、かつ、下記(a)及び(b)を満たす高分子化合物(A)、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)、及び、酸の作用により高分子化合物(A)を架橋する、ガラス転移温度(Tg)が200℃以上の架橋剤(C)を含有する。 (a)重量平均分子量が3000以上6500以下 (b)ガラス転移温度(Tg)が140℃以上
指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
KR1020160101094