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1. (WO2015129212) 電子デバイスおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129212 国際出願番号: PCT/JP2015/000786
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 19.02.2015
IPC:
H01L 21/768 (2006.01) ,H01L 23/522 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/06 (2006.01) ,H05B 33/10 (2006.01) ,H05B 33/12 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
70
1つの共通基板内または上に形成された複数の固体構成部品または集積回路からなる装置またはその特定部品の製造または処理;集積回路装置またはその特定部品の製造
71
グループ21/70で限定された装置の特定部品の製造
768
装置内の別個の構成部品間に電流を流すため使用する相互接続を適用するもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
23
半導体または他の固体装置の細部
52
動作中の装置内の1つの構成部品から他の構成部品へ電流を導く装置
522
半導体本体上に分離できないように形成された導電層及び絶縁層の多層構造からなる外部の相互接続を含むもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
02
細部
06
電極端子
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
10
エレクトロルミネッセンス光源の製造に特に適用する装置または方法
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
出願人:
株式会社JOLED JOLED INC. [JP/JP]; 東京都千代田区神田錦町三丁目23番地 23, Kandanishiki-cho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1010054, JP
発明者:
阿部 裕樹 ABE, Yuuki; null
代理人:
特許業務法人 ナカジマ知的財産綜合事務所 NAKAJIMA & ASSOCIATES IP FIRM; 大阪府大阪市北区豊崎三丁目2番1号淀川5番館6F 6F, Yodogawa 5-Bankan, 2-1, Toyosaki 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5310072, JP
優先権情報:
2014-03513926.02.2014JP
発明の名称: (EN) ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 電子デバイスおよびその製造方法
要約:
(EN) This electronic device is provided with a substrate, a first conductive layer, a second conductive layer and an intermediate layer. The first conductive layer is arranged on the substrate, and is formed from aluminum or an aluminum alloy. The second conductive layer is arranged at a distance from the first conductive layer. The intermediate layer is interposed between the first conductive layer and the second conductive layer, and is in contact with both the first conductive layer and the second conductive layer. The intermediate layer is configured so as to contain elements, namely aluminum (Al) and fluorine (F).
(FR) L'invention porte sur un dispositif électronique qui comporte un substrat, une première couche conductrice, une seconde couche conductrice et une couche intermédiaire. La première couche conductrice est disposée sur le substrat, et est formée à partir d'aluminium ou d'un alliage d'aluminium. La seconde couche conductrice est disposée à une certaine distance de la première couche conductrice. La couche intermédiaire est interposée entre la première couche conductrice et la seconde couche conductrice, et est en contact à la fois avec la première couche conductrice et avec la seconde couche conductrice. La couche intermédiaire est conçue pour contenir des éléments, c'est-à-dire de l'aluminium (Al) et du fluor (F).
(JA)  電子デバイスは、基板と、第1導電層と、第2導電層と、中間層と、を備える。第1導電層は、基板上に配設され、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる。第2導電層は、第1導電層に対して間隔をあけて配設されている。 中間層は、第1導電層と第2導電層との間に介挿され、第1導電層および第2導電層の双方と接しているとともに、アルミニウム(Al)およびフッ素(F)の各元素を含み構成されている。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
US20170054058