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1. (WO2015129155) フラッシュランプアニール用半導体基板、アニール基板、半導体装置、並びに半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129155 国際出願番号: PCT/JP2015/000319
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 26.01.2015
IPC:
H01L 21/265 (2006.01) ,H01L 21/26 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
263
高エネルギーの輻射線を有するもの
265
イオン注入法
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
26
波または粒子の輻射線の照射
出願人:
信越半導体株式会社 SHIN-ETSU HANDOTAI CO.,LTD. [JP/JP]; 東京都千代田区大手町二丁目2番1号 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004, JP
発明者:
大槻 剛 OHTSUKI, Tsuyoshi; JP
竹野 博 TAKENO, Hiroshi; JP
代理人:
好宮 幹夫 YOSHIMIYA, Mikio; JP
優先権情報:
2014-03515626.02.2014JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FOR FLASH LAMP ANNEALING, ANNEALED SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND PRODUCTION METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR POUR RECUIT PAR LAMPE FLASH, SUBSTRAT RECUIT, DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) フラッシュランプアニール用半導体基板、アニール基板、半導体装置、並びに半導体装置の製造方法
要約:
(EN) The present invention is a semiconductor substrate for flash lamp annealing that: is used in a production step in which ions are implanted, a p-n junction is formed on the surface of the semiconductor substrate, and ion implantation defects are repaired by flash lamp annealing; and that is characterized by the carbon concentration of the semiconductor substrate being 0.5 ppma or less. As a result, the present invention provides a semiconductor substrate for flash lamp annealing that makes it possible to easily and reliable prevent residual ion implantation defects in a device that is subjected to a flash lamp annealing step.
(FR) La présente invention concerne un substrat semi-conducteur pour recuit par lampe flash qui est utilisé dans une étape de production dans laquelle des ions sont implantés, une jonction p-n est formée sur la surface du substrat semi-conducteur et des défauts d'implantation ionique sont réparés par recuit par lampe flash; et ledit substrat semi-conducteur est caractérisé par une concentration de carbone du substrat semi-conducteur inférieure ou égale à 0,5 ppma. Par conséquent, la présente invention concerne un substrat semi-conducteur pour recuit par lampe flash qui permet d'empêcher facilement et de manière fiable les défauts d'implantation ionique résiduelle dans un dispositif qui est soumis à une étape de recuit par lampe flash.
(JA)  本発明は、イオン注入を行い半導体基板表面にp-n接合を形成し、フラッシュランプアニールによりイオン注入欠陥を回復させる製造工程で用いられるフラッシュランプアニール用半導体基板であって、前記半導体基板の炭素濃度が0.5ppma以下であることを特徴とするフラッシュランプアニール用半導体基板である。これにより、フラッシュランプアニール工程を使用したデバイスにおいてイオン注入欠陥の残留を簡単かつ確実に防止できるフラッシュランプアニール用半導体基板が提供される。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN106030762DE112015000650US20160351415KR1020160125379