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1. (WO2015129133) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129133 国際出願番号: PCT/JP2014/083682
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 19.12.2014
IPC:
H01L 21/20 (2006.01) ,C23C 16/24 (2006.01) ,C30B 25/20 (2006.01) ,H01L 21/205 (2006.01) ,H01L 21/324 (2006.01)
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
C 化学;冶金
23
金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
C
金属質への被覆;金属材料による材料への被覆;表面への拡散,化学的変換または置換による,金属材料の表面処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般
16
ガス状化合物の分解による化学的被覆であって,表面材料の反応生成物を被覆層中に残さないもの,すなわち化学蒸着(CVD)法
22
金属質材料以外の無機質材料の析出に特徴のあるもの
24
けい素のみの析出
C 化学;冶金
30
結晶成長
B
単結晶成長;共晶物質の一方向固化または共析晶物質の一方向析出;物質のゾーンメルティングによる精製;特定構造を有する均質多結晶物質の製造;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質;単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質の後処理;そのための装置
25
反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着(CVD)による成長
02
エピタキシャル層成長
18
基板によって特徴づけられたもの
20
基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
20
基板上への半導体材料の析出,例.エピタキシャル成長
205
固体を析出させるガス状化合物の還元または分解を用いるもの,すなわち化学的析出を用いるもの
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
21
半導体装置または固体装置またはそれらの部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
02
半導体装置またはその部品の製造または処理
04
少なくとも一つの電位障壁または表面障壁,例.PN接合,空乏層,キャリア集中層,を有する装置
18
不純物,例.ドーピング材料,を含むまたは含まない周期律表第IV族の元素またはA↓I↓I↓IB↓V化合物から成る半導体本体を有する装置
30
21/20~21/26に分類されない方法または装置を用いる半導体本体の処理
324
半導体本体の性質を改変するための熱処理,例.アニーリング,シンタリング
出願人:
株式会社SUMCO SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区芝浦一丁目2番1号 1-2-1, Shibaura, Minato-ku, Tokyo 1058634, JP
発明者:
鳥越 和尚 TORIGOE Kazuhisa; JP
小野 敏昭 ONO Toshiaki; JP
代理人:
特許業務法人樹之下知的財産事務所 KINOSHITA & ASSOCIATES; 東京都杉並区荻窪五丁目26番13号 荻窪TMビル3階 3rd floor, Ogikubo TM building, 26-13, Ogikubo 5-chome, Suginami-ku, Tokyo 1670051, JP
優先権情報:
2014-03596926.02.2014JP
発明の名称: (EN) EPITAXIAL-SILICON-WAFER MANUFACTURING METHOD AND EPITAXIAL SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL ET TRANCHE DE SILICIUM ÉPITAXIAL
(JA) エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法及びエピタキシャルシリコンウェーハ
要約:
(EN) This epitaxial-silicon-wafer manufacturing method includes an epitaxial-film formation step (step S2) in which an epitaxial film is grown on a silicon wafer to which boron has been added, the resistivity of said silicon wafer being less than or equal to 100 mΩ∙cm, and a heat-treatment step (step S3) in which the epitaxial silicon wafer is heat-treated at a temperature less than 900°C.
(FR) Un procédé de fabrication d'une tranche de silicium épitaxial comprend une étape (S2) de formation d'un film épitaxial dans laquelle un film épitaxial est mis à croître sur une tranche de silicium à laquelle du bore a été ajouté, la résistivité de ladite tranche de silicium étant inférieure ou égale à 100 mΩ∙cm, et une étape (S3) de traitement thermique dans laquelle la tranche de silicium épitaxial est traitée à chaud à une température inférieure à 900 °C.
(JA)  エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法は、ボロンが添加され、その抵抗率が100mΩ・cm以下であるシリコンウェーハ上に、エピタキシャル膜を成長させるエピタキシャル膜形成工程(ステップS2)と、前記エピタキシャルシリコンウェーハを900℃未満の温度で熱処理する熱処理工程(ステップS3)とを備える。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
DE112014006413KR1020160122802US20170011918CN106062926