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1. (WO2015129092) 表示又は照明装置、および絶縁膜の形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報

国際公開番号: WO/2015/129092 国際出願番号: PCT/JP2014/077042
国際公開日: 03.09.2015 国際出願日: 09.10.2014
IPC:
H05B 33/22 (2006.01) ,G03F 7/023 (2006.01) ,H01L 51/50 (2006.01) ,H05B 33/12 (2006.01)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
22
補助的な誘電体または反射層の配置あるいは化学的または物理的組成によって特徴づけられたもの
G 物理学
03
写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ
F
フォトメカニカル法による凹凸化又はパターン化された表面の製造,例.印刷用,半導体装置の製造法用;そのための材料;そのための原稿;そのために特に適合した装置
7
フォトメカニカル法,例.フォトリソグラフ法,による凹凸化又はパターン化された表面,例.印刷表面,の製造;そのための材料,例.フォトレジストからなるもの;そのため特に適合した装置
004
感光材料
022
キノンジアジド
023
高分子キノンジアジド;高分子添加剤,例.結合剤
H 電気
01
基本的電気素子
L
半導体装置,他に属さない電気的固体装置
51
能動部分として有機材料を用い,または能動部分として有機材料と他の材料との組み合わせを用いる固体装置;このような装置またはその部品の製造または処理に特に適用される方法または装置
50
光放出に特に適用されるもの,例.有機発光ダイオード(OLED)または高分子発光ダイオード(PLED)
H 電気
05
他に分類されない電気技術
B
電気加熱;他に分類されない電気照明
33
エレクトロルミネッセンス光源
12
実質的に2次元放射面をもつ光源
出願人:
JSR株式会社 JSR CORPORATION [JP/JP]; 東京都港区東新橋一丁目9番2号 9-2, Higashi-Shinbashi 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058640, JP
発明者:
工藤 和生 KUDOU, Kazunari; JP
安田 博幸 YASUDA, Hiroyuki; JP
山村 哲也 YAMAMURA, Tetsuya; JP
勝井 宏充 KATSUI, Hiromitsu; JP
宮迫 毅明 MIYASAKO, Takaaki; JP
代理人:
特許業務法人SSINPAT SSINPAT PATENT FIRM; 東京都品川区西五反田七丁目13番6号 五反田山崎ビル6階 Gotanda Yamazaki Bldg. 6F, 13-6, Nishigotanda 7-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1410031, JP
優先権情報:
2014-03833528.02.2014JP
発明の名称: (EN) DISPLAY OR ILLUMINATION DEVICE, AND METHOD FOR FORMING INSULATING FILM
(FR) DISPOSITIF D'AFFICHAGE OU D'ÉCLAIRAGE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ISOLANT
(JA) 表示又は照明装置、および絶縁膜の形成方法
要約:
(EN) [Problem] To provide a display or illumination device that has a thin-film transistor as a driving element, the thin film transistor including a semiconductor layer comprising a highly optically degradable substance, wherein a reduction is achieved in the optical degradation that occurs in the the substance and accompanies the use of the the display or illumination device. [Solution] A display or illumination device including a TFT substrate, a first electrode, an insulating film, and a second electrode. The first electrode is provided on the TFT substrate and is connected to the TFT. The insulating film is formed on the first electrode so as to allow the first electrode to be partially exposed and has a total light transmittance in a range of 0-15% at a wavelength of 300-400 nm. The second electrode is provided so as to face the first electrode. The display or illumination device is such that: the insulating film is formed from a radiation-sensitive material; the radiation-sensitive material includes (A) a polymer, (B) a photosensitizer, and (C) a resin such as a novolac resin; and the content of resin (C) in the radiation-sensitive material is 2-200 parts by mass in relation to 100 parts by mass of polymer (A).
(FR) Le problème décrit par la présente invention est de fournir un dispositif d'affichage ou d'éclairage qui a un transistor en couches minces en tant qu'élément de pilotage, le transistor en couches minces comprenant une couche semi-conductrice comprenant une substance très dégradable optiquement, dans laquelle une réduction est obtenue dans la dégradation optique qui se produit dans la substance et accompagne l'utilisation du dispositif d'affichage ou d'éclairage. La solution selon l'invention porte sur un dispositif d'affichage ou d'éclairage comprenant un substrat de transistor en couches minces (TFT), une première électrode, un film isolant et une seconde électrode. La première électrode est disposée sur le substrat TFT et est connectée au TFT. Le film isolant est formé sur la première électrode afin de permettre à la première électrode d'être partiellement exposée et possède une transmittance totale de la lumière dans une plage de 0 à 15 % à une longueur d'onde de 300 à 400 nm. La seconde électrode est disposée afin de faire face à la première électrode. Le dispositif d'affichage ou d'éclairage est tel que : le film isolant est formé à partir d'un matériau sensible au rayonnement ; le matériau sensible au rayonnement comprend (A) un polymère, (B) un photosensibilisateur, et (C) une résine telle qu'une résine novolaque ; et le contenu de résine (C) dans le matériau sensible au rayonnement est de 2 à 200 parties en masse par rapport à 100 parties en masse de polymère (A).
(JA) [課題]光劣化の大きい物質からなる半導体層を含む薄膜トランジスタを駆動用素子として有する表示又は照明装置において、これらの装置の使用に伴う前記物質の光劣化が抑制された表示又は照明装置を提供する。 [解決手段]TFT基板と、TFT基板上に設けられ、且つ前記TFTと接続された第1電極と、第1電極を部分的に露出させるように第1電極上に形成された、全光線透過率が波長300~400nmにおいて0~15%の範囲にある絶縁膜と、第1電極に対向して設けられた第2電極とを有する表示又は照明装置であり、前記絶縁膜が、感放射線性材料から形成された絶縁膜であり、前記感放射線性材料が、(A)重合体と、(B)感光剤と、(C)ノボラック樹脂等の樹脂とを含有し、前記感放射線性材料における樹脂(C)の含有量が、重合体(A)100質量部に対して2~200質量部である、表示又は照明装置。
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指定国: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, ST, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 日本語 (JA)
国際出願言語: 日本語 (JA)
また、:
CN105874882KR1020160118216JPWO2015129092